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      一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置及方法

      文檔序號(hào):8376155閱讀:455來源:國知局
      一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置及方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001] 本發(fā)明涉及一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置及方法,屬于金屬表面處理領(lǐng) 域。
      【背景技術(shù)】
      [0002] 利用氣體放電產(chǎn)生等離子體對(duì)金屬表面進(jìn)行改性是一種新型的處理手段,相比于 傳統(tǒng)的電鍍,涂覆,拋光等在不影響使用情況下具有污染小,均勻性好等特點(diǎn)。因此產(chǎn)生諸 如等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PACVD),等離子體滲氮、滲碳,離子注入等方法,并在特殊零 件加工,航天航空,醫(yī)學(xué)上都有較好的應(yīng)用價(jià)值,但由于其產(chǎn)生條件較為苛刻,難以在大規(guī) 模場(chǎng)合得到應(yīng)用。隨著對(duì)等離子體技術(shù)的研宄進(jìn)一步深入,在此基礎(chǔ)上,研宄發(fā)現(xiàn)一種新型 的放電形式,能夠在常壓下無需介質(zhì)阻擋產(chǎn)生類似輝光的放電形態(tài),定義為彌散放電。俄 羅斯的Tomsk研宄所率先開始研宄,發(fā)現(xiàn)此種放電形式能夠在材料表面發(fā)生一系列復(fù)雜的 物理、化學(xué)反應(yīng),且在納秒脈沖電源下傳輸?shù)讲牧媳韺拥墓β氏禂?shù)可以達(dá)到每立方厘米數(shù) 百兆瓦。最后,由彌散放電產(chǎn)生的等離子體除了包含普通氣體放電存在的等離子體外還能 夠產(chǎn)生各種光學(xué)輻射(包括紫外線UV、真空紫外線VUV、X射線等),不僅能夠彌補(bǔ)此前等離 子體應(yīng)用的苛刻條件,還具有良好的處理效果。因此利用彌散放電對(duì)金屬表面處理具有重 要意義。
      [0003] 現(xiàn)有的幾種用于金屬表面的處理方法,如PACVD法在反應(yīng)時(shí)可能產(chǎn)生來自反應(yīng) 室壁的污染且限定在低氣壓下進(jìn)行,對(duì)氣體充入環(huán)節(jié)與腔體的氣密性要求較高,操作起來 較為復(fù)雜。等離子體滲碳、滲氮等應(yīng)用于輝光放電,只能在低氣壓下實(shí)現(xiàn),此外需要額外的 溫控設(shè)備用來促進(jìn)離子反應(yīng)速率。裝置操作困難,能量利用率較低。同樣,離子注入雖操 作簡(jiǎn)單,但其主要是利用離子源對(duì)材料表面轟擊,易對(duì)材料表面產(chǎn)生損傷,處理不均勻,對(duì) 其表面光潔度也有一定影響,并不能夠大范圍應(yīng)用。針對(duì)以上情況,本發(fā)明提出一種新型 的處理手段彌散放電不需要預(yù)電離與誘導(dǎo)設(shè)施,利用高壓納秒脈沖電源,通過小曲率半徑 電極就能夠發(fā)生多通道交疊的彌散模式,彌散放電發(fā)生時(shí),能夠在其表面形成類似輝光放 電處理模式,并能夠得出較好的處理結(jié)果。俄羅斯的Tarasenko等利用脈寬~2ns,上升 沿~0. 5ns的脈沖電源對(duì)AlBe材料表面進(jìn)行了彌散放電處理,結(jié)果表明彌散放電可有效 清除AlBe表面碳元素,清除深度能夠達(dá)到約400nm。此外,經(jīng)彌散放電處理的AlBe表層有 氧化膜生成,膜厚約l〇〇nm。當(dāng)改變氣體氛圍為0) 2時(shí),還發(fā)現(xiàn)其表層硬度相對(duì)于初始提高 約 2 倍(Shulepov M A, Akhmadeev Y K, Tarasenko V F, et al. Modification of surface layers of copper under the action of the volumetric discharge initiated by an avalanche electron beam in nitrogen and C02at atmospheric pressure[J]. Russian Physics Journal, 2011,53(12) : 1290-1294) D Baksht 等對(duì)彌散放電的機(jī)理進(jìn)行了分析, 并在此基礎(chǔ)上對(duì)銅表面進(jìn)行了處理,實(shí)驗(yàn)時(shí)也發(fā)現(xiàn)了上述效果(Baksht E H,Burachenko A G,Kostyrya I D,et al.Runaway-electron-preionized diffuse discharge at atmospheric pressure and its application[J]. Journal of Physics D:Applied Physics,2009, 42(18) : 185201.)。因此,利用彌散放電對(duì)金屬表面處理不僅能夠清楚金屬 表面的碳化物,形成保護(hù)層,還可以提高金屬表層的硬度,增強(qiáng)金屬表面的耐磨性與抗壓 性。

      【發(fā)明內(nèi)容】

      [0004] 為了解決現(xiàn)有的金屬表面處理方法的不足,進(jìn)一步發(fā)揮等離子體處理金屬表面的 優(yōu)勢(shì),本發(fā)明的目的是提供一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置及方法,本發(fā)明基于彌 散放電形式設(shè)計(jì)一種實(shí)驗(yàn)腔結(jié)構(gòu),在原有大氣壓彌散放電基礎(chǔ)上,可通過調(diào)節(jié)實(shí)驗(yàn)腔腔內(nèi) 氣壓與氣體成分配比達(dá)到不同的改性效果,具有結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作方便,降低成本,無污染等 優(yōu)點(diǎn)。
      [0005] 本發(fā)明的目的是通過以下方案實(shí)現(xiàn)的:
      [0006] 一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置,包括:
      [0007] 實(shí)驗(yàn)腔,其為空心圓軸狀結(jié)構(gòu);所述實(shí)驗(yàn)腔兩端分別通過通過法蘭盤A和法蘭盤B 密封,所述法蘭盤A設(shè)有進(jìn)氣口,所述法蘭盤B設(shè)有出氣口;其中,
      [0008] 所述實(shí)驗(yàn)腔的進(jìn)氣口經(jīng)過閥門控制器分別連接氣體流量控制器的輸出端和抽氣 泵,所述氣體流量控制器的輸入端連接氣瓶;
      [0009] 所述實(shí)驗(yàn)腔的出氣口連接集氣瓶;
      [0010] 所述實(shí)驗(yàn)腔頂部經(jīng)過銅電極A連接高壓納秒脈沖電源陽極,所述實(shí)驗(yàn)腔底部經(jīng)過 銅電極B接入地電極;
      [0011] 所述高壓納秒脈沖電源陰極接入地電極;
      [0012] 脈沖觸發(fā)器,用以控制所述高壓納秒脈沖電源的觸發(fā)。
      [0013] 進(jìn)一步的,所述高壓納秒脈沖電源陽極通過高壓探頭接入示波器,用于測(cè)量電路 的電壓值;
      [0014] 所述地電極通過電流線圈接入所述示波器,用于測(cè)量電路的電流值。
      [0015] 進(jìn)一步的,所述實(shí)驗(yàn)腔上設(shè)有氣壓表,用以檢測(cè)實(shí)驗(yàn)腔內(nèi)氣壓。
      [0016] 進(jìn)一步的,所述實(shí)驗(yàn)腔腔體為不銹鋼材料制成,厚度為18-22mm,內(nèi)徑為 38〇-420mm ;
      [0017] 所述實(shí)驗(yàn)腔頂部均勻分布9個(gè)螺紋通孔,所述螺紋通孔直徑為8-12mm,所述螺紋 通孔通過空心螺母旋入銅電極A;
      [0018] 所述實(shí)驗(yàn)腔底部設(shè)有四個(gè)底部通孔,其中三個(gè)底部通孔用于安裝所述實(shí)驗(yàn)腔內(nèi)部 的支架A,所述支架A頂部設(shè)置有托盤,用于放置金屬材料;另外一個(gè)底部通孔用于金屬材 料通過銅電極B連接地電極;
      [0019] 所述實(shí)驗(yàn)腔底部外側(cè)設(shè)有支架B。
      [0020] 進(jìn)一步的,所述銅電極A直徑為5-7_,長度為280-320_,所述銅電極A與絕緣空 心螺母連接處設(shè)置外螺紋;
      [0021] 相鄰三根銅電極A通過銅墊片結(jié)合,引出三組銅電極A合并后接入所述高壓納秒 脈沖電源的陽極;
      [0022] 進(jìn)一步的,所述支架A、支架B、絕緣空心螺母和托盤均由絕緣材料制成。
      [0023] 進(jìn)一步的,所述法蘭盤A、法蘭盤B中心由有機(jī)玻璃制成,所述進(jìn)氣口和出氣口直 徑分別為3_5mm。
      [0024] -種使用所述的實(shí)驗(yàn)裝置處理金屬表面的方法,包括:
      [0025] 步驟1,將金屬材料放入實(shí)驗(yàn)腔內(nèi),調(diào)節(jié)氣壓與氣體成分,打開所述高壓納秒脈沖 電源并調(diào)節(jié)電壓至彌散放電電壓;
      [0026] 步驟2,設(shè)置所述脈沖觸發(fā)器的觸發(fā)頻率和觸發(fā)時(shí)間,所述脈沖觸發(fā)器控制所述高 壓納秒脈沖電源的觸發(fā),產(chǎn)生彌散放電等離子體;
      [0027] 步驟3,調(diào)節(jié)所述高壓納秒脈沖電源電壓至零位置,通過脈沖觸發(fā)器釋放儲(chǔ)存電 能,關(guān)閉高壓納秒脈沖電源,打開出氣口,拆卸法蘭盤A或法蘭盤B,取出處理后的金屬材 料。
      [0028] 進(jìn)一步的,步驟2中,由所述示波器監(jiān)測(cè)電路的電壓值和電流值。
      [0029] 采用本發(fā)明所述實(shí)驗(yàn)裝置和實(shí)驗(yàn)方法進(jìn)行金屬表面處理,具有如下優(yōu)點(diǎn):
      [0030] (1)將不同大氣壓下與不同氣體成分下的金屬處理結(jié)合,滿足了不同條件下處理 的需要,減少了實(shí)驗(yàn)成本,縮短了試驗(yàn)時(shí)間,提高了實(shí)驗(yàn)效率;
      [0031] (2)本發(fā)明所述實(shí)驗(yàn)裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,操作容易,對(duì)比以往的等離子體處理形式,效 果明顯,無需調(diào)節(jié)氣壓等級(jí),適應(yīng)各種條件下的金屬表面處理。
      【附圖說明】
      [0032] 圖1是本發(fā)明所述實(shí)驗(yàn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0033] 圖2是本發(fā)明所述實(shí)驗(yàn)裝置的實(shí)驗(yàn)腔結(jié)構(gòu)示意圖;
      [0034] 圖3是本發(fā)明所述實(shí)驗(yàn)裝置的實(shí)驗(yàn)腔剖視圖;
      [0035] 圖4a是本發(fā)明實(shí)施例1中未處理的純銅金屬材料的SEM圖;
      [0036] 圖4b是本發(fā)明實(shí)施例1中處理后的純銅金屬材料的SEM圖;
      [0037] 圖5是本發(fā)明實(shí)施例1中處理后的純銅金屬材料的EDS能譜圖;
      [0038] 圖6是本發(fā)明實(shí)施例1中純銅金屬材料硬度檢測(cè)圖;
      [0039] 圖7是本發(fā)明實(shí)施例1中純銅金屬材料的粘附性測(cè)試圖。
      [0040] 其中,1-脈沖觸發(fā)器,2-高壓納秒脈沖電源,3-示波器,4-高壓探頭,5-集氣瓶, 6_電流線圈,7-實(shí)驗(yàn)腔,8-抽氣泵,9-閥門控制器,10-氣瓶,11-氣體流量控制器,12-進(jìn)氣 口,13-墊片,14-銅電極A,15-絕緣空心螺母,16-出氣口,17-支架B,18-氣壓表,19-法蘭 盤A,20-銅電極B,21-托盤,22-金屬材料,23-等離子體。
      【具體實(shí)施方式】
      [0041] 為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白,下面結(jié)合實(shí)施例對(duì)本發(fā)明 作進(jìn)一步詳細(xì)說明。但所舉實(shí)例不作為對(duì)本發(fā)明的限定。
      [0042] 一種等離子體處理金屬表面的實(shí)驗(yàn)裝置,包括:
      [0043] 實(shí)驗(yàn)腔7,其為空心圓軸狀結(jié)構(gòu);所述實(shí)驗(yàn)腔7兩端分別通過法蘭盤A19和法蘭盤 B密封,所述法蘭盤A19設(shè)有進(jìn)氣口 12,所述法蘭盤B設(shè)有出氣口 16,所述法蘭盤A19和法 蘭盤B中心由有機(jī)玻璃制成,所述進(jìn)氣口 12和出氣口 16直徑分別為3-5_。其中,
      [0044] 所述實(shí)驗(yàn)腔7的進(jìn)氣口 12經(jīng)過閥門控制器9分別連接氣體流量控制器11的輸出 端和抽氣泵8,所述氣體流量控制器11的輸入端連接氣瓶10 ;
      [0045] 所述實(shí)驗(yàn)腔7的出氣口 16連接集氣瓶5;
      [0046] 所述實(shí)驗(yàn)腔7上設(shè)有氣壓表18,用以檢測(cè)實(shí)驗(yàn)腔7內(nèi)氣壓。
      [0047] 所述實(shí)驗(yàn)腔7頂部經(jīng)過銅電極A14連接高壓納秒脈沖電源2陽極,所述實(shí)驗(yàn)腔7 底部經(jīng)過銅電極B20接入地電極;
      [0048] 所述高壓納秒脈沖電源2陰極接入地電極;
      [0049] 脈沖觸發(fā)器1,用以控制所述高壓納秒脈沖電源2的觸發(fā)。
      [0050] 所述高壓納秒脈沖電源2陽極通過高壓探頭4接入示波器3,用于測(cè)量電路的電壓 值;
      [0051] 所述地電極通過電流線圈6接入所述示波器3,用于測(cè)量電路的電流值。
      [0052] 所述實(shí)驗(yàn)腔7腔體為不銹鋼材料制成,厚度為18-22mm,內(nèi)徑為380-420mm;
      [0053] 所述實(shí)驗(yàn)腔7頂部均勻分布9個(gè)螺紋通孔,所述螺紋通孔直徑為8-12mm,所述螺紋 通孔通過絕緣空心螺母15旋入銅電極A14,實(shí)驗(yàn)時(shí)銅電極A14同時(shí)產(chǎn)生放電;所述絕緣空 心螺母15使得銅電極A與實(shí)驗(yàn)腔互相獨(dú)立,起到絕緣的作用。
      [0054] 其中,所述銅電極A14直徑為5-7_,長度為280-320_,所述銅電極A14與絕緣空 心螺母15連接處設(shè)置外螺紋,便于與絕緣空心螺母的連接,同時(shí)通
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