鍍膜設(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明是有關(guān)于一種加工設(shè)備，且特別是有關(guān)于一種鍍膜設(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]真空濺鍍?cè)O(shè)備在半導(dǎo)體相關(guān)產(chǎn)業(yè)中已獲得廣泛的應(yīng)用，舉例來(lái)說(shuō)，觸控顯示面板中的透明導(dǎo)電薄膜可利用真空濺鍍?cè)O(shè)備來(lái)制作。詳細(xì)而言，真空濺鍍是屬于物理氣相沉積(PVD)技術(shù)的一種，普遍應(yīng)用在半導(dǎo)體加工的成膜程序中，其在真空腔體內(nèi)的濺鍍靶源的陰、陽(yáng)電極之間施加高電壓以將惰性氣體(如氬氣)高溫離子化成等離子體(plasma)，而等離子體中的離子會(huì)轟擊濺鍍靶材，使得濺鍍靶材的原子或分子濺飛出并沉積、附著在工件表面上以形成薄膜。
[0003]由于濺鍍靶材在被離子轟擊的過(guò)程中會(huì)持續(xù)升溫，故真空濺鍍?cè)O(shè)備一般利用冷卻管來(lái)對(duì)濺鍍靶材進(jìn)行散熱。然而，在濕度較高的環(huán)境中，低溫的冷卻管上容易產(chǎn)生冷凝水，冷凝水若無(wú)法及時(shí)被排出則可能流至陰、陽(yáng)電極處，使陰、陽(yáng)電極導(dǎo)通而造成短路。一種解決此問(wèn)題的方法為將進(jìn)行濺鍍加工場(chǎng)所的濕度控制為較低以避免冷卻管上產(chǎn)生冷凝水，但是控制環(huán)境濕度較為耗費(fèi)能源且會(huì)增加設(shè)備成本。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明提供一種鍍膜設(shè)備，可有效避免靶源短路。
[0005]本發(fā)明的鍍膜設(shè)備包括中空座體、靶源及散熱元件。中空座體具有開口。中空座體內(nèi)具有至少一導(dǎo)引斜面，導(dǎo)引斜面往開口傾斜。靶源固定于中空座體且適于對(duì)工件進(jìn)行鍍膜。散熱元件位于中空座體內(nèi)以對(duì)靶源進(jìn)行散熱。來(lái)自散熱元件的液體適于沿導(dǎo)引斜面往開口流動(dòng)并通過(guò)開口而離開中空座體。
[0006]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的散熱元件為冷卻管并通過(guò)開口而延伸至中空座體內(nèi)，液體為凝結(jié)在冷卻管上的冷凝水。
[0007]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的導(dǎo)引斜面鄰接開口。
[0008]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的中空座體包括第一側(cè)壁及至少一第二側(cè)壁，靶源固定于第一側(cè)壁，導(dǎo)引斜面形成于第二側(cè)壁。
[0009]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的至少一第二側(cè)壁的數(shù)量為多個(gè)，至少一導(dǎo)引斜面的數(shù)量為多個(gè)，這些導(dǎo)引斜面分別形成于這些第二側(cè)壁。
[0010]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的中空座體的內(nèi)徑沿遠(yuǎn)離開口的方向漸減而形成導(dǎo)引斜面。
[0011]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的中空座體具有開槽，靶源位于中空座體外部且對(duì)位于開槽。
[0012]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的靶源包括第一電極、第二電極、靶材及絕緣材。靶材配置于第一電極與第二電極之間。絕緣材配置于開槽的周緣且用以隔絕第一電極與第二電極。
[0013]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的鍍膜設(shè)備還包括主體，其中開口形成于中空座體的末端，中空座體以末端固定于主體而沿水平方向延伸，水平方向垂直于重力方向，至少一導(dǎo)引斜面傾斜于水平方向。
[0014]在本發(fā)明的一實(shí)施例中，上述的主體為真空腔體，中空座體固定于真空腔體的內(nèi)壁，工件適于在真空腔體內(nèi)進(jìn)行鍍膜。
[0015]基于上述，在本發(fā)明的鍍膜設(shè)備中，中空座體內(nèi)具有導(dǎo)引斜面且此導(dǎo)引斜面往中空座體的開口傾斜。當(dāng)中空座體內(nèi)的散熱元件(如冷卻管)的表面因環(huán)境濕度較高而產(chǎn)生冷凝水時(shí)，冷凝水會(huì)通過(guò)導(dǎo)引斜面的導(dǎo)引而往開口流動(dòng)并通過(guò)開口被排出中空座體。據(jù)此，不需對(duì)環(huán)境濕度進(jìn)行控制就能夠避免靶源因接觸冷凝水而產(chǎn)生短路現(xiàn)象，以節(jié)省設(shè)備成本并提升加工品質(zhì)。
[0016]為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合附圖作詳細(xì)說(shuō)明如下。
【附圖說(shuō)明】
[0017]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜設(shè)備的俯視示意圖；
[0018]圖2是圖1的中空座體及靶源的立體圖；
[0019]圖3是圖1的鍍膜設(shè)備沿1-1線的剖視圖；
[0020]圖4是圖1的中空座體及靶源的俯視圖；
[0021]圖5是圖1的中空座體及靶源沿I1-1I線的剖面圖。
[0022]附圖標(biāo)記說(shuō)明:
[0023]50:工件；
[0024]60:法蘭；
[0025]70:密封件；
[0026]100:鍍膜設(shè)備；
[0027]110:主體；
[0028]110a:內(nèi)壁；
[0029]120:中空座體；
[0030]120a:末端；
[0031]120b:開口；
[0032]122:第一側(cè)壁；
[0033]122a:開槽；
[0034]124、126、128:第二側(cè)壁；
[0035]124a、126a、128a:導(dǎo)引斜面；
[0036]130:靶源；
[0037]132:第一電極；
[0038]134:第二電極；
[0039]136:靶材；
[0040]138:絕緣材；
[0041]140:散熱元件；
[0042]Dl:水平方向；
[0043]D2:重力方向；
[0044]F:流動(dòng)方向。
【具體實(shí)施方式】
[0045]圖1是本發(fā)明一實(shí)施例的鍍膜設(shè)備的俯視示意圖。圖2是圖1的中空座體及靶源的立體圖。圖3是圖1的鍍膜設(shè)備沿1-1線的剖視圖。請(qǐng)參考圖1至圖3，本實(shí)施例的鍍膜設(shè)備100，例如為磁控式真空濺鍍?cè)O(shè)備，包括主體110、中空座體120、靶源130及散熱元件140。主體110為真空腔體，中空座體120以其末端120a固定于主體110的內(nèi)壁IlOa而沿水平方向Dl (示出于圖3)延伸，所述水平方向Dl垂直于重力方向D2。在本實(shí)施例中，例如是通過(guò)法蘭60將中空座體120固定于主體110的內(nèi)壁110a，并將密封件70 (例如為O型環(huán))設(shè)置于內(nèi)壁IlOa與法蘭60之間以進(jìn)行密封。在其它實(shí)施例中，可通過(guò)其它適當(dāng)方式來(lái)固定中空座體120，本發(fā)明不對(duì)此加以限制。
[0046]靶源130固定于中空座體120且適于在真空腔體110內(nèi)對(duì)工件50進(jìn)行鍍膜。中空座體120具有開口 120b，開口 120b形成于中空座體120的末端120a。散熱元件140例如為冷卻管并通過(guò)開口 120b而延伸至中空座體120內(nèi)，以對(duì)靶源130進(jìn)行散熱。
[0047]如圖3所示，本實(shí)施例的中空座體120的內(nèi)徑沿遠(yuǎn)離開口 120b的方向漸減而在中空座體120內(nèi)形成導(dǎo)引斜面124a，導(dǎo)引斜面124a傾斜于水平方向Dl并往開口 120b傾斜，且導(dǎo)引斜面124a鄰接開口 120b。當(dāng)中空座體120內(nèi)的散熱元件14