動(dòng)特性狀態(tài)，在絕對(duì) 純分子的流動(dòng)特性狀態(tài)下該供氣管道或結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)值會(huì)顯示與壓力無(wú)關(guān)。實(shí)際上，對(duì)該所 需的壓力范圍，已經(jīng)存在主要呈層狀或端流的流動(dòng)特性，在該種特性下，該導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo) 值顯出與壓力相關(guān)。
[0026] 特別是管子類或其他導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)值在升高壓力下呈超比例增加。在等離子體 處理腔和/或包封該等離子體處理腔的真空室W及所有在其中所提供的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的給定 的幾何構(gòu)型情況下，可在設(shè)定的壓力下，如W計(jì)算機(jī)輔助計(jì)算該位于等離子體處理腔下游 的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)值，并在給出該真空累裝置的已知抽吸能力下用其來測(cè)定該有效抽吸能 力。
[0027] 按另一方案，該真空累裝置在2-50化的壓力范圍，但至少在2-20化的壓力范圍內(nèi) 的按分子氮（馬）計(jì)且標(biāo)準(zhǔn)化到該等離子體處理腔的內(nèi)表面的有效抽吸能力為至少3000mV h、4000mVh、4500mVh、5000mVh或5500mVh，各均按每平方米等離子體處理腔的內(nèi)表面計(jì)。 [002引 W如此高的有效抽吸能力，最終可實(shí)現(xiàn)的氣體流量或氣體體積流量為大于3slm， 特別是> 3. 5slm，> 5slm，> 7. 5slm，>lOslm，> 12. 5slm或甚至> 15slm。在此，如高于 3. 5slm的更大的氣體流量，特別是可在至少5Pa、7. 5Pa、15化、20化或50化的壓力范圍內(nèi)實(shí) 現(xiàn)。
[0029] 在該方面，按另一優(yōu)選方案是設(shè)定，該真空累裝置在高于5化和/或高于10化的 壓力范圍內(nèi)，按分子氮（馬）計(jì)且標(biāo)準(zhǔn)化到該等離子體處理腔的內(nèi)表面的有效抽吸能力至少 為3000mVh、4000mVh、4500mVh、5000mVh或5500mVh，各均按每平方米等離子體處理腔的 內(nèi)表面計(jì)。
[0030] 按另一優(yōu)選方案還可設(shè)定，在該等離子體處理腔的下游和該真空累裝置的上游所 提供的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)在2化壓力下的標(biāo)準(zhǔn)化到該等離子體處理腔的內(nèi)表面的總傳導(dǎo)值為至少 2000mVh、3000mVh、4000mVh、5000mVh或eOOOmVh，各均按每平方米等離子體處理腔的內(nèi) 表面計(jì)。
[0031] 按另一優(yōu)選方案，該真空累裝置具有搖桿式活塞累，該累在2化壓力下的標(biāo)準(zhǔn)化 到該等離子體處理腔的內(nèi)表面的抽吸能力為至少2000mVh、3000mVh、4000mVh、5000mVh 或至少eooomVh，各均按每平方米等離子體處理腔的內(nèi)表面計(jì)。如果該等離子體處理腔具 有0.5m2的內(nèi)表面，則該里給出的抽吸能力要除W因子2。在該等離子體處理腔具有約2m2 的內(nèi)表面情況下，要提供具有乘W因子2的抽吸能力的搖桿式活塞累，即所謂的羅茨機(jī)械 增壓累。
[0032] 應(yīng)用至少一個(gè)搖桿式活塞累表明，對(duì)提供較高的通過該等離子體處理腔的氣體流 量是有利的。由此，搖桿式活塞累在高于1化或高于2Pa的壓力范圍內(nèi)具有近似恒定的抽 吸能力。
[0033] 另外的累體系如禍輪分子累（Turbomolekula巧umpen)，可在另一些壓力范圍內(nèi)， 特別是低于1化下，具有比搖桿式活塞累更高的抽吸效率或累效率。但在該里優(yōu)選設(shè)定的 2-20化的壓力范圍內(nèi)，禍輪分子累的累效率或抽吸效率卻明顯下降。在高于2Pa、4化或甚 至高于5化的壓力范圍內(nèi)采用禍輪分子累，該所需的例如3slm或甚至5slm的氣體流量，在 技術(shù)上是達(dá)不到的或不可實(shí)現(xiàn)的。
[0034] 基于搖桿式活塞累的大小和幾何構(gòu)型，其大多不可直接連接在等離子體處理腔上 或包封該等離子體處理腔的真空室的外殼上。而需要該配備有至少一個(gè)搖桿式活塞累的真 空累裝置經(jīng)導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)如經(jīng)出氣口與該搖桿式活塞累呈流體技術(shù)相連。在此，相應(yīng)的導(dǎo)氣結(jié) 構(gòu)或管道如此設(shè)計(jì)，W使其流體技術(shù)的傳導(dǎo)值對(duì)該真空累裝置的有效抽吸能力有盡可能小 的影響。
[0035] 處于等離子體處理腔和真空累裝置之間的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的流阻或傳導(dǎo)值應(yīng)至少如該 真空累裝置的抽吸能力一樣大。因此，該真空累裝置的有效抽吸能力由該搖桿式活塞累的 抽吸能力的串接和配置在其上游的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo)值得出。
[0036] 如果該所述的導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的總傳導(dǎo)值例如為3000m3/h和該真空累裝置的抽吸能力 也為3000m3/h，則通過該傳導(dǎo)值和該抽吸能力倒數(shù)相加得出該有效抽吸能力的倒數(shù)，其對(duì) 所述實(shí)例為1500mVh。
[0037] 在此要指出的是，該里給出的總抽吸能力或傳導(dǎo)值總是標(biāo)準(zhǔn)化到等離子體處理腔 的W平方米表示的內(nèi)表面。
[003引按另一優(yōu)選方案，該真空累裝置在2-50化的壓力范圍，但至少在2-20化的壓力范 圍內(nèi)具有近似恒定的抽吸能力。該真空累裝置的抽吸能力在所述的2-20化壓力范圍內(nèi)與 最大抽吸能力的偏差最高約至多為10%或20%。在高于4化或5化的壓力范圍內(nèi)，因此在 4化或5化至20化的壓力范圍內(nèi)，該抽吸能力與該真空累裝置的最大抽吸能力的偏差優(yōu)選 約最高為5%。
[0039] 特別是用搖桿式活塞累可實(shí)現(xiàn)在該種大的壓力范圍內(nèi)的恒定抽吸能力。在該方 面，該類累W過程技術(shù)看也是有利的。因此通過節(jié)流該至少一種向等離子體處理腔供入的 過程氣體就可調(diào)節(jié)該等離子體處理腔內(nèi)部的過程壓力。
[0040] 此外，還可在恒定的氣體流量下，通過該搖桿式活塞累的可變的旋轉(zhuǎn)頻率至少在 一定的限度內(nèi)調(diào)節(jié)該等離子體處理腔內(nèi)部的所需過程壓力。借此，例如在該導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳 導(dǎo)值緩慢變化時(shí)可通過相應(yīng)提高或改變?cè)摀u桿式活塞累的轉(zhuǎn)數(shù)來補(bǔ)償如由涂敷或顆粒淀 積而變化的過程壓力。
[0041] 按另一有利的方案，呈流動(dòng)技術(shù)連接該等離子體處理腔和該真空累裝置的連接管 道的可流過的橫截面為至少200cm2,優(yōu)選為至少490cm2,或甚至大于550cm2。在橫截面如呈 圓形的連接管道情況下，其相應(yīng)于直徑約為至少160mm或250mm。在等離子體處理腔與真空 累裝置之間所提供的連接管道，如此大的流動(dòng)橫截面是必要的，W在等離子體處理腔中可 具有和保持所需的氣體流量。
[0042] 此外，該連接管道的最小橫截面與該連接管道的長(zhǎng)度有關(guān)。如果在真空累裝置和 等離子體處理腔之間的間距如大于1米，則也可能還需大得多的流動(dòng)橫截面。
[0043] 按另一優(yōu)選的方案，該等離子體處理腔配置在真空室內(nèi)。該等離子體處理腔優(yōu)選 形成該要產(chǎn)生的等離子體的屏蔽殼巧inhausung)，并且使該真空室的內(nèi)壁免受等離子體的 作用。在此，該等離子體處理腔具有至少一個(gè)，優(yōu)選多個(gè)通道，該導(dǎo)入等離子體處理腔中的 過程氣體通過所述通道可流人真空室中，并從那里可流入導(dǎo)向真空累裝置的連接管道中。
[0044] 等離子體處理腔和真空室之間的通道的幾何構(gòu)型W及數(shù)目對(duì)該導(dǎo)氣結(jié)構(gòu)的傳導(dǎo) 值有決定性的影響。
[0045] 按一個(gè)有利的方案，在該等離子體處理腔和該真空室之間所有可流過的通道的橫 截面積的總和為至少100cm2,優(yōu)選為至少250cm2,更優(yōu)選為至少500cm2。該里，那些橫截面 也是標(biāo)準(zhǔn)化到該等離子體處理腔的每平方米的內(nèi)表面。如果該等離子體處理腔的整個(gè)內(nèi) 表面例如僅為0. 5m2,則該所述通道的橫截面積為至少50cm2,優(yōu)選至少為120cm2或至少為 250cm2。如果該等離子體處理腔的內(nèi)表面大于Im2,則當(dāng)然適用相應(yīng)換算。
[0046] 按另一優(yōu)選方案，該等離子體處理裝置配備有至少一個(gè)等離子體發(fā)生裝置，該等 離子體發(fā)生裝置具有至少一個(gè)激發(fā)線圈W用于感應(yīng)激發(fā)至少一種在該等離子體腔內(nèi)部可 產(chǎn)生的等離子體。該激發(fā)線圈配置在該等離子體腔外部或甚至在該真空室外部是有利的。 一方面可由此在待處理基片上的面積上形成較均勻的等離子體。此外還可借助于在該等離 子體處理腔的外部或該真空室外部所提供的激發(fā)線圈而在很大程度上避開該激發(fā)線圈本 身受到等離子體作用。
[0047] 由此可避免對(duì)激發(fā)線圈的較昂貴的凈化處理，該是由于等離子體涂敷過程也會(huì)對(duì) 激發(fā)線圈產(chǎn)生涂敷。此外，通過在該等離子體處理腔外部或在該真空室外部提供的激發(fā)線 圈的設(shè)計(jì)，可有利地縮小該等離子體處理腔或該真空室的體積。腔室體積的縮小總是伴隨 該等離子體處理裝置的效率提高。所設(shè)定的過程壓力W及其它工藝參數(shù)如過程溫度可 該種方式合理順當(dāng)?shù)剡M(jìn)行調(diào)節(jié)。此外，也可有利地減少該等離子體處理裝置的過程循環(huán)或 循環(huán)時(shí)間。
[0048] 按另一個(gè)優(yōu)選方案，該等離子體處理裝置的最大的高頻輸出功率（PH巧至少各為 5kW、7. 5kW或lOkW每平方米的該等離子體