著自身軸線旋轉(zhuǎn)，所以承受器220繞著承受器底座210的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0040]原子層沉積裝置還包括來源氣噴射器230、反應(yīng)氣噴射器232和吹掃氣噴射器234和236，這些噴射器設(shè)置在反應(yīng)室200的上部以供應(yīng)來源氣、反應(yīng)氣和吹掃氣到繞著自身軸線旋轉(zhuǎn)且繞著承受器底座210的軸線轉(zhuǎn)動(dòng)的基板222上。
[0041]來源氣噴射器230、反應(yīng)氣噴射器232和吹掃氣噴射器234和236呈放射狀地設(shè)置并且在圓周方向上以規(guī)則的角間距布置。吹掃氣噴射器234和236分別設(shè)置在來源氣噴射器230與反應(yīng)氣噴射器232之間所限定的空間中。
[0042]各噴射器230、232、234、236的一端通往反應(yīng)室200之外，并且連接到對(duì)應(yīng)的氣體供應(yīng)源(未示出)，使得各氣體可以被供應(yīng)到對(duì)應(yīng)的噴射器230、232、234、236。
[0043]根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的原子層沉積裝置還包括排氣單元240，所述排氣單元分隔來源氣噴射器230與吹掃氣噴射器234和236之間、反應(yīng)氣噴射器232與吹掃氣噴射器234和236之間的空間，以防止各噴射器230、232、234、236排出的氣體進(jìn)入存在其他噴射器的區(qū)域。
[0044]如圖4至圖6所示，優(yōu)選地，四個(gè)承受器220和基板222以規(guī)則的間距布置。與此相對(duì)應(yīng)的是，優(yōu)選地，設(shè)置四個(gè)噴射器，包括來源氣噴射器230、反應(yīng)氣噴射器232以及分別設(shè)置在來源氣噴射器230與反應(yīng)氣噴射器232之間所限定的空間內(nèi)的吹掃氣噴射器234和236。
[0045]為此，來源氣噴射器230和反應(yīng)氣噴射器232設(shè)置成以180°的角間距彼此相對(duì)。吹掃氣噴射器234和236被定向成與來源氣噴射器230和反應(yīng)氣噴射器232成直角。
[0046]使氣體噴射器230、232、234和236彼此分隔的排氣單元240具有交叉形狀，其中板子繞著中心軸線以規(guī)則的間隔布置并且被定向成放射狀，因此將氣體噴射器230、232、234和236之間的空間分隔成四個(gè)區(qū)域。
[0047]在實(shí)施例中，如圖6所示，排氣單元240包括分隔壁241，這些分隔壁以預(yù)定的距尚在相對(duì)于橫向上與氣體噴射器230、232、234、236分隔開的位置處設(shè)置在各噴射器230、232、234、236的兩對(duì)面上，并且與氣體噴射器230、232、234、236平行。因此，分隔壁241所限定的噴射區(qū)域A、B、C和D形成交叉形狀。
[0048]各氣體噴射器230、232、234、236被定向成與其他相鄰的氣體噴射器成直角。優(yōu)選地，各氣體噴射器的第一側(cè)上設(shè)置的分隔壁垂直地連接到相鄰的氣體噴射器的第二側(cè)上設(shè)置的分隔壁上，因此形成大致“L”形。
[0049]同樣地，因?yàn)楦鳉怏w噴射器的第一側(cè)上設(shè)置的分隔壁垂直地連接到相鄰的氣體噴射器的第二側(cè)上設(shè)置的分隔壁上，所以使得相鄰的兩個(gè)分隔壁形成大致“L”形。因此，四個(gè)“L”形分隔壁241被設(shè)置。
[0050]排氣單元240的分隔壁241被安裝成以下方式:它們被支撐在反應(yīng)室200的蓋子的下表面上或反應(yīng)室的內(nèi)側(cè)壁上。在各分隔壁241中形成氣體通道242。在分隔壁241的側(cè)面或下表面的至少一個(gè)上形成與氣體通道242連通的多個(gè)排氣孔244。
[0051]可以在排氣單元240的分隔壁241的兩個(gè)側(cè)面和下表面上形成排氣孔244。以供參考，在本實(shí)施例中，雖然圖中示出排氣孔244在各分隔壁241的側(cè)面上形成一行，但是如果需要，排氣孔244可以形成為多行。
[0052]換句話講，排氣單元240中形成的排氣孔244可以被定向成僅僅在與氣體噴射器230、232、234和236中形成的氣體噴射孔(并未用附圖標(biāo)記來表不)相同的方向?？商娲?，排氣孔244可以被定向成僅僅在與氣體噴射孔的方向垂直的方向上。作為另外的替代形式，排氣孔244可以形成為這樣一種方式:一些排氣孔244被定向成在與氣體噴射孔的方向相同的方向上，并且其他排氣孔244被定向成在與氣體噴射孔的方向垂直的方向上。
[0053]如圖9所示，排氣孔244可以設(shè)置在與氣體噴射器230、232、234和236的氣體噴射孔的高度相同的高度處，或者在比氣體噴射孔高的位置處。同樣地，如果排氣孔244可以設(shè)置在與氣體噴射器230、232、234和236的氣體噴射孔的高度相同的高度處，或者在比氣體噴射孔高的位置處，這樣可以提高將已經(jīng)從氣體噴射器230、232、234和236排出的氣體中的留在空氣中而不是沉積在基板上的氣體，從反應(yīng)室100中排出的效率。
[0054]同時(shí)，如圖10和圖11所示，在排氣單元240中可以水平地形成又窄又長(zhǎng)的狹縫246來代替排氣孔244。
[0055]同樣地，狹縫246可以被定向成僅僅在與氣體噴射器230、232、234和236中形成的氣體噴射孔(并未用附圖標(biāo)記來表示)的方向相同的方向?？商娲?，狹縫246可以被定向成僅僅在與氣體噴射孔的方向垂直的方向上。作為另外的替代形式，狹縫246可以形成為這樣一種方式:一些狹縫246被定向成在與氣體噴射孔的方向相同的方向上，并且其他狹縫246被定向成在與氣體噴射孔的方向垂直的方向上。此外，如圖10所述，狹縫246可以形成在比氣體噴射器230、232、234和236的氣體噴射孔低的位置處。可替代地，如圖11所示，狹縫246可以形成在與氣體噴射器230、232、234和236的氣體噴射孔的高度相同的高度處，或者形成在比氣體噴射孔高的位置處。
[0056]狹縫246的功能與以上解釋的排氣孔244的功能相同，因此認(rèn)為更加詳細(xì)的解釋是不必要的。
[0057]例如，在圖10和圖11中，雖然圖示了狹縫246水平布置成一行，但是狹縫可以形成為多行。可替代地，雖然附圖并未示出，但是狹縫246可以垂直地布置成多行。
[0058]排氣單元240的氣體通道242連接到排氣線250上，所述排氣線延伸到反應(yīng)室200夕卜。排氣線250連接到排氣泵252上。
[0059]假定提供四個(gè)“L”形分隔壁241，優(yōu)選的是，延伸到反應(yīng)室200外的排氣線250以及排氣泵252連接到各分隔壁241上。雖然附圖中并未示出，但是分隔壁241可以互相結(jié)合成這樣一種方式:各氣體噴射器230、232、234和236的兩對(duì)面上設(shè)置的分隔壁241的外端，也就是說，與反應(yīng)室的內(nèi)側(cè)壁相鄰的分隔壁241的端部，互相連接。在這種情況下，僅僅可以設(shè)置單個(gè)排氣線和單個(gè)排氣泵。
[0060]如上所述，各氣體噴射器230、232、234和236設(shè)置在由對(duì)應(yīng)的分隔壁241所限定的單獨(dú)空間中。此外，如圖5和圖6所示，反應(yīng)室200的內(nèi)部空間被分隔成來源氣噴射區(qū)A、第一吹掃氣噴射區(qū)B、反應(yīng)氣噴射區(qū)C和第二吹掃氣噴射區(qū)D。
[0061]此外，在來源氣噴射區(qū)A與第一吹掃氣噴射區(qū)B之間、在第一吹掃氣噴射區(qū)B與反應(yīng)氣噴射區(qū)C之間、在反應(yīng)氣噴射區(qū)C與第二吹掃氣噴射區(qū)D之間以及第二吹掃氣噴射區(qū)D與來源氣噴射區(qū)A之間分別限定非噴射區(qū)E。因此，氣體噴射器排出的氣體可以集中在噴射區(qū)A、B、C和D，因此提高沉積效率。
[0062]優(yōu)選地，分隔壁241從蓋子的下表面垂直地延伸到與位于承受器220上的基板222相鄰的位置處，使得不僅噴射區(qū)A、B、C和D，而且非噴射區(qū)E可以更加有效地互相分隔開。
[0063]同時(shí)，在來源氣噴射器230上設(shè)置等離子體發(fā)生器(未示出)，使得從來源氣噴射器230排出的來源氣可以變成等離子體來源氣，因此提高氣體沉積效率。本文隨后將進(jìn)行詳細(xì)說明。
[0064]以下將描述具有上述構(gòu)造的原子層沉積裝置的運(yùn)作。
[0065]氣體噴射器230、232、234和236 (包括來源氣噴射器230、反應(yīng)氣噴射器232和吹掃氣噴射器234和236)以及將氣體噴射器230、232、234和236互相分隔開的排氣單元240的分隔壁241被固定在反應(yīng)室200上。基板222繞著自身軸線旋轉(zhuǎn)，并且通過承受器220的旋轉(zhuǎn)以及承受器底座210的旋轉(zhuǎn)而圍繞承受器底座210的中心軸線轉(zhuǎn)動(dòng)。
[0066]在這種狀態(tài)下，來源氣噴射器230相繼地供應(yīng)來源氣到旋轉(zhuǎn)著的基板222，因此將來源氣沉積在基板222上。換句話講，在本實(shí)施例中，假定在承受器底座210上設(shè)置旋轉(zhuǎn)且轉(zhuǎn)動(dòng)的四個(gè)基板222，來源氣被首先供應(yīng)并沉積在第一基板222上。接著，來源氣被供應(yīng)且沉積在第二基板、第三基板和第四基板上。
[0067]同樣地，從來源氣噴射器230排出的來源氣沉積在來源氣噴射區(qū)A中的第一至第四基板222上。隨后，基板222通過承受器底座210的旋轉(zhuǎn)被相繼移動(dòng)到對(duì)應(yīng)的非噴射區(qū)、第一吹掃氣噴射區(qū)B、對(duì)應(yīng)的非噴射區(qū)、反應(yīng)氣噴射區(qū)C、對(duì)應(yīng)的非噴射區(qū)和第二吹掃氣噴射區(qū)D。
[0068]反應(yīng)氣噴射區(qū)C中設(shè)置的反應(yīng)氣噴射器232也相繼噴出反應(yīng)氣到正在旋轉(zhuǎn)且轉(zhuǎn)動(dòng)的基板222上。噴出的反應(yīng)氣與來源氣發(fā)生反應(yīng)，從而可以在基板222的表面上進(jìn)行沉積。
[0069]此外，第一和第二吹掃氣噴射區(qū)B和D中設(shè)置的吹掃氣噴射器234和236相繼地朝著正在旋轉(zhuǎn)且轉(zhuǎn)動(dòng)的基板222排出吹掃氣，因此將反應(yīng)室200的空氣中剩余的而不是沉積在基板222上的來源氣和反應(yīng)氣排出到反應(yīng)室200外。
[0070]在來源氣噴射器230排出的來源氣以及反應(yīng)氣噴射器232排出的反應(yīng)