高強(qiáng)度鈦銅的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001] 本發(fā)明涉及適合作為FPC連接器或自動聚焦相機(jī)模組等電子零件用彈簧材的高 強(qiáng)度鈦銅。
【背景技術(shù)】
[0002] 近年來，以便攜終端等為代表的電子設(shè)備的小型化日益進(jìn)展，因而在其中使用的 連接器窄間距化及低高度化的趨勢顯著。越是小型的連接器針寬越窄，為較小地折疊的加 工形狀，所以對于使用的部件，要求用來得到需要的彈簧性的高強(qiáng)度。這一點(diǎn)，含有鈦的銅 合金（以下稱作"鈦銅"）由于強(qiáng)度比較高、在應(yīng)力緩和特性方面也在銅合金中最好，所以從 很久以來就被作為特別要求強(qiáng)度的信號類端子用部件使用。
[0003] 鈦銅是時效硬化型的銅合金。通過溶體處理形成作為溶質(zhì)原子的Ti的過飽和固 溶體，如果從該狀態(tài)在低溫下實(shí)施比較長時間的熱處理，則通過亞穩(wěn)相分解，在母相中作為 Ti濃度的周期性變動的調(diào)制構(gòu)造發(fā)展，強(qiáng)度提高。此時，成為問題的是強(qiáng)度與彎曲加工性相 反的特性這一點(diǎn)。即，如果使強(qiáng)度提高則彎曲加工性受損，相反，如果重視彎曲加工性則不 能得到希望的強(qiáng)度。一般而言，使冷軋的壓下率越高，導(dǎo)入的錯位量越多，錯位密度越高，所 以有利于析出的核生成點(diǎn)增加，能夠使時效處理后的強(qiáng)度變高，但如果使壓下率過高，則彎 曲加工性惡化。因此，課題是實(shí)現(xiàn)強(qiáng)度及彎曲加工性的兼顧。
[0004] 所以，從添加Fe、Co、Ni、Si等第三元素(專利文獻(xiàn)1)、限制固溶到母相中的雜質(zhì)元 素群的濃度且將它們作為第二相粒子（Cu-Ti一X類粒子)使其以規(guī)定的分布形態(tài)析出而 使調(diào)制構(gòu)造的規(guī)則性變高(專利文獻(xiàn)2)、規(guī)定對于使結(jié)晶粒微細(xì)化有效的微量添加元素和 第二相粒子的密度(專利文獻(xiàn)3)、使結(jié)晶粒微細(xì)化(專利文獻(xiàn)4)等的觀點(diǎn)，提出了想要實(shí)現(xiàn) 鈦銅的強(qiáng)度和彎曲加工性的兼顧的技術(shù)。
[0005] 在鈦銅的情況下，還提出了下述鈦銅：存在對于作為母相的a相相容性較差的0 相（TiCu3)、和相容性較好的0 '相（TiCu4)，0相給彎曲加工性帶來不良影響，而使0 '相 均勻且微細(xì)地分散有利于強(qiáng)度和彎曲加工性的兼顧，在抑制0相的同時使相微細(xì)分散 (專利文獻(xiàn)5)。
[0006] 著眼于結(jié)晶方位，還提出了通過控制結(jié)晶取向以滿足1{420}/1。{420}>1.0及 1(220}/%{220} < 3. 0、來改善強(qiáng)度、彎曲加工性及耐應(yīng)力緩和性的技術(shù)(專利文獻(xiàn)6)。
[0007] 但是，在上述先行文獻(xiàn)所記載的哪種鈦銅中，其制造方法都以由鑄錠的熔化鑄造 -均質(zhì)化退火一熱軋一（退火及冷軋的反復(fù)）一最終溶體化處理一冷軋一時效處理的順序 構(gòu)成為基礎(chǔ)，在特性改善方面有限度。
[0008] 在這樣的狀況下，近年來，還嘗試了將在最終溶體化處理后進(jìn)行的冷軋及時效處 理的順序與以往相反地進(jìn)行，即，代替時效處理一冷軋的順序，最后實(shí)施去應(yīng)變退火，使彎 曲加工性提高(專利文獻(xiàn)7)。根據(jù)該文獻(xiàn)，通過采用這樣的制造方法，得到的鈦銅的錯位密 度上升。并且，根據(jù)軋制面上的{220}結(jié)晶面的X射線衍射線強(qiáng)度峰值的半值寬度間接地 評價錯位密度，規(guī)定作為來自軋制面的{220}結(jié)晶面的X射線衍射強(qiáng)度峰值的半值寬度的 0 {220}和作為來自純銅標(biāo)準(zhǔn)粉末的{220}結(jié)晶面的X射線衍射強(qiáng)度峰值的半值寬度的 0。{22〇}滿足下式：3. 0 < 0 {22〇}/0。{22〇} < 6. 0。
[0009] 專利文獻(xiàn)1 :特開2004 - 231985號公報 專利文獻(xiàn)2 :特開2004 - 176163號公報 專利文獻(xiàn)3 :特開2005 - 97638號公報 專利文獻(xiàn)4 :特開2006 - 265611號公報 專利文獻(xiàn)5 :特開2006 - 283142號公報 專利文獻(xiàn)6 :特開2008 - 308734號公報 專利文獻(xiàn)7 :特開2012 - 062575號公報。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0010] 這樣，以往較多地進(jìn)行了從強(qiáng)度及彎曲加工性的兩面謀求特性的改善的努力，但 在連接器中也有幾乎不被要求彎曲加工性者。例如，F(xiàn)PC連接器或自動聚焦相機(jī)模組由于 不進(jìn)行彎曲加工，所以沒有改善彎曲加工性的要求。另一方面，連接器在使用時暴露在高溫 環(huán)境下的情況也較多，但存在如果將鈦銅在高溫條件下長時間暴露則發(fā)生永久變形(彈力 減弱)、作為彈簧材的功能下降的問題。對此還沒有進(jìn)行充分的研宄。
[0011] 所以，本發(fā)明的目的是提供一種適合作為在FPC連接器或相機(jī)模組等電子零件中 使用的導(dǎo)電性彈簧材的高強(qiáng)度鈦銅。
[0012] 本發(fā)明者們對鈦銅的〇? 2%耐受力與彈力減弱的關(guān)系及結(jié)晶方位與彈力減弱的關(guān) 系專心地進(jìn)行了調(diào)查，結(jié)果發(fā)現(xiàn)，當(dāng)0. 2%耐受力較高并且在EBSD(ElectronBackScatter Diffraction:電子后方散射衍射）測量的結(jié)晶方位解析中KAM值為1. 5~3. 0時，高溫暴 露時的耐彈力減弱性特別被改善。本發(fā)明是以以上的認(rèn)識為背景完成的，通過以下特定。
[0013] 本發(fā)明在一技術(shù)方案中，是一種鈦銅，含有2.0~4.0質(zhì)量％的Ti，作為第三元素 而合計含有0~〇? 5質(zhì)量％的從由Fe、Co、Mg、Si、Ni、Cr、Zr、Mo、V、Nb、Mn、B及P構(gòu)成的 群中選擇的1種以上，其余部由銅及不可避免的雜質(zhì)構(gòu)成，在EBSD測量的結(jié)晶方位解析中， KAM值為 1. 5~3.0。
[0014] 在有關(guān)本發(fā)明的鈦銅的一實(shí)施方式中，0? 2%耐受力為llOOMPa以上。
[0015] 本發(fā)明在另一技術(shù)方案中，是具備有關(guān)本發(fā)明的鈦銅的展銅品。
[0016] 本發(fā)明在再另一技術(shù)方案中，是具備有關(guān)本發(fā)明的鈦銅的電子零件。
[0017] 有關(guān)本發(fā)明的電子零件在一實(shí)施方式中，是自動聚焦相機(jī)模組。
[0018] 本發(fā)明在再另一技術(shù)方案中，是一種自動聚焦相機(jī)模組，具備：透鏡；彈簧部件， 將該透鏡向光軸方向的初始位置彈性施力；和電磁驅(qū)動機(jī)構(gòu)，產(chǎn)生抵抗該彈簧部件的作用 力的電磁力而能夠?qū)⑸鲜鐾哥R向光軸方向驅(qū)動；上述彈簧部件是有關(guān)本發(fā)明的鈦銅。
[0019] 能夠得到適合作為在相機(jī)模組等電子零件中使用的導(dǎo)電性彈簧材的高強(qiáng)度鈦銅。
【附圖說明】
[0020] 圖1是表示有關(guān)本發(fā)明的自動聚焦相機(jī)模組的剖視圖。
[0021] 圖2是圖1的自動聚焦相機(jī)模組的分解立體圖。
[0022] 圖3是表示圖1的自動聚焦相機(jī)模組的動作的剖視圖。
[0023] 圖4是表示測量彈力減弱量的方法的概略圖。
【具體實(shí)施方式】
[0024] (l)Ti濃度 在有關(guān)本發(fā)明的鈦銅中，使Ti濃度為2. 0~4. 0質(zhì)量％。鈦銅通過溶體化處理向Cu基 體中固溶Ti，通過時效處理使微細(xì)的析出物分散到合金中，由此使強(qiáng)度及導(dǎo)電率上升。
[0025] 如果Ti濃度不到2. 0質(zhì)量％，則析出物的析出變得不充分，不能得到希望的強(qiáng)度。 如果Ti濃度超過4. 0質(zhì)量％，則加工性劣化，在軋制時材料容易裂紋。如果考慮強(qiáng)度及加工 性的平衡，則優(yōu)選的Ti濃度是2. 5~3. 5質(zhì)量％。
[0026] (2)第三元素 在有關(guān)本發(fā)明的鈦銅中，通過含有從由Fe、Co、Mg、Si、Ni、Cr、Zr、Mo、V、Nb、Mn、B及P構(gòu)成的群中選擇的第三元素的1種以上，能夠使強(qiáng)度進(jìn)一步提高。但是，如果第三元素的合 計濃度超過〇. 5質(zhì)量％，則加工性劣化，在軋制時材料容易裂紋。所以，這些第三元素合計 可以含有〇~〇. 5質(zhì)量％，如果考慮強(qiáng)度及加工性的平衡，則優(yōu)選的是以總量0. 1~0. 4質(zhì) 量％含有上述元素的1種以上。
[0027] (3)0.2%耐受力 在有關(guān)本發(fā)明的