蒸鍍裝置及利用該蒸鍍裝置的蒸鍍速度計算方法
【技術領域】
[0001]本發(fā)明涉及蒸鍍裝置及利用該蒸鍍裝置的蒸鍍速度計算方法，尤其涉及應用于顯示基板的制造的薄膜形成用蒸鍍裝置及利用該蒸鍍裝置的蒸鍍速度計算方法。
【背景技術】
[0002]顯示面板包括液晶顯示面板、有機發(fā)光顯示面板、等離子體顯示面板等。這種顯示面板可由多個薄膜(Thin Film)構成。多個薄膜大部分通過蒸鍍工藝來形成。在進行蒸鍍工藝之后，測量薄膜是否按所設定的基準厚度形成，從而當所設定的基準厚度與實際厚度不同時，校正蒸鍍比率。

【發(fā)明內容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種能夠從被氣化的蒸鍍物預測將形成于基板的蒸鍍薄膜的厚度的蒸鍍裝置及利用該蒸鍍裝置的蒸鍍速度計算方法。
[0004]根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置包括:蒸鍍源，使蒸鍍物氣化；真空腔室，提供內部空間，以使被氣化的所述蒸鍍物蒸鍍到基板上；泵浦光源，向被氣化的所述蒸鍍物照射第一偏光，以使被氣化的所述蒸鍍物極化成使被氣化的所述蒸鍍物沿預定方向形成電場；以及蒸鍍速度計算單元，測量所述電場的強度以算出所述蒸鍍物的蒸鍍速度。
[0005]此時，所述泵浦光源可以是脈沖激光器。
[0006]所述蒸鍍速度計算單元可包括:光照射部，向被極化的所述蒸鍍物照射第二偏光；光接收部，從被極化的所述蒸鍍物接收第三偏光，并測量所接收的所述第三偏光的偏振狀態(tài)；以及計算部，從所述第三偏光的偏振狀態(tài)算出所述蒸鍍物的蒸鍍速度。
[0007]所述第三偏光可以是所述第二偏光的振動方向因被極化的所述蒸鍍物而變形的偏光。
[0008]所述光照射部可包括:光源，發(fā)出光源光；以及第一偏光器，將所述光源光偏振成所述第二偏光。
[0009]所述光照射部還可包括測量所述第二偏光的偏振狀態(tài)的第一測量部。
[0010]所述光照射部還可包括:透鏡，使所述第二偏光聚光；以及光學斬波器，放大從所述透鏡接收到的所述第二偏光的強度。
[0011]所述光接收部可包括:第二偏光器，接收所述第三偏光，且具有與所述第一偏光器不同的透過軸；第二測量部，通過借助所述第二偏光器而被偏振的第三偏光的光量來測量所述第二偏光器所接收到的所述第三偏光的所述偏振狀態(tài)。
[0012]所述光源可以是激光器，所述第二測量部可以是光檢器。
[0013]并且，所述光源可以是燈，所述第二測量部可以是光譜儀。
[0014]所述第一偏光器可以是格蘭泰勒偏光器。
[0015]所述光接收部包括:相位延遲器，接收所述第三偏光并延遲所述第三偏光的相位；偏光棱鏡，接收相位被延遲的所述第三偏光，分離為沿著彼此不同的軸偏振的第一子偏光和第二子偏光；以及第二測量部，分別測量所述第一子偏光和所述第二子偏光的光量以測量所述第三偏光的偏振狀態(tài)。
[0016]所述相位延遲器將所述第三偏光的相位延遲四分之一波長，所述偏光棱鏡可包含沃拉斯頓棱鏡。此時，所述第二測量部可以是平衡檢波器。
[0017]根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍速度計算方法包括如下步驟:氣化蒸鍍物；向被氣化的所述蒸鍍物照射第一偏光；向被極化的蒸鍍物照射第二偏光；以及從被極化的所述蒸鍍物接收所述第二偏光的偏振狀態(tài)發(fā)生變形的第三偏光，以算出蒸鍍物的蒸鍍速度。
[0018]根據本發(fā)明的一實施例的向被極化的蒸鍍物照射第二偏光的步驟包括如下步驟:發(fā)出光源光；以及將所述光源光偏振為第二偏光，在偏振為所述第二偏光的步驟中可利用偏光棱鏡。
[0019]算出所述蒸鍍物的蒸鍍速度的步驟可包括如下步驟:接收所述第三偏光；使所接收的所述第三偏光偏振；測量被偏振的第三偏光的強度，以測量所述第三偏光的偏振狀態(tài)；以及從所述第三偏光的偏振狀態(tài)算出所述蒸鍍物的蒸鍍速度。
[0020]根據本發(fā)明的一實施例的算出蒸鍍物的蒸鍍速度的步驟可包括如下步驟:接收所述第三偏光；使所接收的所述第三偏光的相位延遲而生成圓偏光；從所述圓偏光測量所述第三偏光的偏振狀態(tài)；以及從所述第三偏光的偏振狀態(tài)算出所述蒸鍍物的蒸鍍速度。
[0021]因此，根據本發(fā)明，即便不直接測量所形成的蒸鍍薄膜的厚度也能夠預測蒸鍍薄膜的厚度，且在蒸鍍過程中可實時地算出蒸鍍速度。因此，能夠節(jié)省顯示基板的制造成本。
[0022]并且，根據本發(fā)明，用于計算蒸鍍速度的測量設備可被布置在真空腔室的外部，因此可保護測量設備不受被氣化的蒸鍍物的影響，并減少更換的必要性，從而能夠延長設備的壽命。
[0023]并且，根據本發(fā)明的蒸鍍速度計算方法利用偏光使被氣化的蒸鍍物極化，并測量形成于內部的電場，從而可在進行蒸鍍工藝過程中測量蒸鍍速度。
【附圖說明】
[0024]圖1為示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置的構成的方框圖。
[0025]圖2為根據光路徑概略地示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置的概略圖。
[0026]圖3為示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍速度計算單元的動作的剖視圖。
[0027]圖4a至圖4c為概略地示出被氣化的蒸鍍物的變化的圖。
[0028]圖5為示出根據本發(fā)明的一實施例的真空腔室內的偏振狀態(tài)的投影圖。
[0029]圖6為根據光路徑概略地示出根據本發(fā)明的另一實施例的蒸鍍裝置的概略圖。
[0030]圖7為示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍速度測量方法的方框圖。
[0031]圖8為示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍速度計算步驟的方框圖。
[0032]符號說明:
[0033]100:真空腔室200:泵浦光源
[0034]300:蒸鍍速度計算單元310:光照射部
[0035]320:光接收部PLl:第一偏光
[0036]G-EM:被氣化的蒸鍍物P-EM:被極化的蒸鍍物
【具體實施方式】
[0037]在本說明書中關于“ 一個實施例”、“一實施例”等的說明，表示所說明的實施例可以包括特定的特征、結構或特性，然而并不是所有的實施例必須包括特定的特征、結構或特性。而且，這些語句并不是必須指相同的實施例。而且，應當知道，對于特定的特征、結構或特性，在與一個實施例相關聯(lián)而進行說明時，與是否明確進行了說明無關，為了實現這種特征、結構或特性，其可以與其他實施例相關聯(lián)，這屬于本發(fā)明所屬技術領域中具有通常的知識的技術人員的知識范疇內。
[0038]在本說明書中使用的“光”包括粒子束，還包括根據電場和磁場的相互作用而行進的所有形態(tài)的電磁波。以下，參照附圖詳細說明。
[0039]圖1為示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置的構成的方框圖。圖2為根據光路徑概略地示出根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置的概略圖。圖2是在所述蒸鍍裝置EA的平面上概略地示出的圖。以下，參照圖1和圖2詳細說明根據本發(fā)明的蒸鍍裝置EA的構成。
[0040]如圖1和圖2所示，根據本發(fā)明的一實施例的蒸鍍裝置EA包括真空腔室100、蒸鍍源CR、泵浦光源200以及蒸鍍速度計算單元300。所述蒸鍍速度計算單元300包括光照射部310、光接收部320以及計算部330。
[0041]所述真空腔室100包括未圖示的底部和上部，并包括連接所述底部和所述上部的多個側壁100H1?100H4。在所述底部可布置蒸鍍源CR。所述蒸鍍源CR向所述真空腔室100提供被氣化的蒸鍍物G-EM。
[0042]所述多個側壁100H1?100H4包括在第一方向Dl上相面對的第一側壁100H1及第二側壁100H2、在與所述第一方向Dl交叉的第二方向D2上相面對第三側壁100H3及第四側壁100H4。所述多個側壁100H1?100H4相互連接而形成真空狀態(tài)的內部空間VS。
[0043]所述真空腔室100還可包括至少一個窗口 Wffl?WW3。在本實施例中，所述真空腔室100包括:布置于所述第一側壁100H1的第一窗口 Wffl ;分別布置于所述第三側壁100H3及第四側壁100H4，且在所述第二方向上相面對地布置的第二窗口 WW2及第三窗口 WW3。
[0044]所述窗口 Wffl?WW3阻斷所述被氣化的蒸鍍物G-EM從所述內部空間VS泄露，卻可使光透過。因此，所述多個窗口 WW分別由光透過性高的物質(例如，玻璃或高分子膜)構成。
[0045]所述真空腔室100包括未圖示的真空泵。所述真空泵將所述真空腔室100的內部空氣釋放到外部，以使所述內部空間VS變成真空狀態(tài)。所述被氣化的蒸鍍物G-EM可容易地在所述真空狀態(tài)的所述內部空間VS內擴散。
[0046]所述泵浦光源200布置在所述真空腔室100的一側。所述泵浦光源200向所述真空腔室100照射第一偏光PLl。所述第一偏光PLl通過所述第一窗口 Wffl照射存在于所述真空腔室100的所述內部空間VS的所述被氣化的蒸鍍物G-EM。
[0047]在本實施例中，所述泵浦光源200可包括脈沖激光器(Pulsed Laser)。所述泵浦光源200向所述被氣化的蒸鍍物G-EM短時間內照射以脈沖形態(tài)輸出的所述第一偏光PL1。
[0048]所述光照射部310布置在所述真空腔室100的一側。所述光照射部310可布置在與所述泵浦光源200不同的一側。但是，在其他實施例中，所述泵浦光源200可以與所述光照射部310并排地布置在所述真空腔室100的一側，并不局限于某一個實施例。
[0049]所述光照射部310向所述真空腔室100照射第二偏光PL2。所述第二偏光PL2從所述第二窗口 WW2入射而照射到所述真空腔室100的所述內部空間VS。所述第二偏光PL2可以是為了測量所述被極化(polarizat1n)的蒸鍍物的極化狀態(tài)而向所述被極化的蒸鍍物照射的探測光(Probe light)。探測光在不影響被光照射的物質的情況下檢查所述物質的特性。