形成膜層的裝置的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本申請(qǐng)涉及一種形成膜層的裝置以及一種形成膜層的方法。
【背景技術(shù)】
[0002]在各種領(lǐng)域中，均需求形成各種膜層的技術(shù)，例如，形成如阻隔層的保形涂層，在電致發(fā)光顯示器、液晶顯示器(LCD)、電泳等中所需求的柔性顯示涂層，射頻識(shí)別(RFID)，微電機(jī)系統(tǒng)(MEMS)，光學(xué)涂層，柔性基底上的電子組件，柔性基底上的膜層，電致變色，光電動(dòng)勢(shì)等等。
[0003]現(xiàn)有技術(shù)文件
[0004]專(zhuān)利文件1:美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)N0.2002-0170496
[0005]專(zhuān)利文件2:美國(guó)專(zhuān)利N0.4，692，233。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0006][技術(shù)目的]
[0007]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N形成膜層的裝置以及一種形成膜層的方法。
[0008][技術(shù)方案]
[0009]本申請(qǐng)?zhí)峁┮环N形成膜層的裝置，包括，含有至少一個(gè)安裝成用于傳輸基底的導(dǎo)輥的傳輸系統(tǒng)；以及安裝成用于在傳輸?shù)幕妆砻嫔闲纬汕膀?qū)層的第一處理區(qū)。
[0010]所述處理區(qū)包括第一室和設(shè)置于第一室上側(cè)或下側(cè)的第二室，并且在第一室中形成通行部，通過(guò)該通行部能夠?qū)⒒讖牡谝皇业南聜?cè)或上側(cè)引入第二室。所述導(dǎo)輥分別處在第一室和第二室的每一個(gè)中，并安裝成形成路徑，基底能夠通過(guò)該路徑穿過(guò)第一室，接著經(jīng)由所述通行部穿過(guò)第二室。
[0011][技術(shù)效果]
[0012]根據(jù)本申請(qǐng)，提供了形成膜層的裝置和采用所述裝置形成膜層的方法，所述裝置可傳輸基底(例如，柔性基底如塑料膜、纖維或金屬網(wǎng)或膜)，并可在基底上形成膜層。采用所述裝置，可在基底上形成各種前驅(qū)層。
【附圖說(shuō)明】
[0013]圖1至6為圖示了形成膜層的處理區(qū)或裝置的具體實(shí)施例。
[0014]圖7至11為圖示了前驅(qū)體供給輥的具體實(shí)施例。
【具體實(shí)施方式】
[0015]根據(jù)本申請(qǐng)的一個(gè)方面，提供了一種形成膜層的裝置，其被配置為在傳輸基底的同時(shí)在基底上形成膜層。該裝置可以為所謂用于形成膜層的輥對(duì)輥(roll-to-roll)裝置。
[0016]所述形成膜層的裝置可包括:含有一個(gè)或多個(gè)安裝成用于傳輸基底的導(dǎo)輥的傳輸系統(tǒng)；以及安裝成用于在傳輸基底的同時(shí)在基底的表面上形成前驅(qū)層的第一處理區(qū)。
[0017]第一處理區(qū)可包括第一室和設(shè)置于所述第一室上部或下部的第二室，且第一室可具有通行部，經(jīng)過(guò)該通行部可將基底從第一室的上部或下部引入第二室。在一個(gè)實(shí)施例中，第二室可設(shè)置為與第一室的上部或下部相接觸。
[0018]所述一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)輥可設(shè)置于各個(gè)第一室和第二室中，且也可形成一個(gè)路徑，使得基底能夠穿過(guò)第一室，接著經(jīng)由通行部穿過(guò)第二室。在此過(guò)程中，經(jīng)由通行部引入第二室的基底可經(jīng)由相同的通行部排出第二室之外。
[0019]第一室或第二室可具有通道，例如，隨后將描述的流動(dòng)限制通道，并且經(jīng)由所述通道，可將基底引入或排出第一室或第二室。
[0020]在一個(gè)實(shí)施例中，所述形成膜層的裝置可以是原子層沉積(ALD, Atomic LayerDeposit1n)設(shè)備，例如，以原子層沉積(ALD)方式形成膜層的棍對(duì)棍原子層沉積(ALD)設(shè)備。
[0021]根據(jù)本申請(qǐng)的另一方面，提供了一種形成膜層的方法，例如，采用形成膜層的裝置的形成膜層的方法。
[0022]具體實(shí)施例詳述
[0023]本申請(qǐng)的形成膜層的裝置，可包括傳輸系統(tǒng)，以及至少一個(gè)可在傳輸系統(tǒng)傳輸?shù)幕咨闲纬赡拥奶幚韰^(qū)(下文中，可稱(chēng)之為第一處理區(qū)，以區(qū)別于隨后將描述的另一處理區(qū))。
[0024]傳輸系統(tǒng)可被形成用于傳輸基底，且可具有能夠傳輸基底的任何結(jié)構(gòu)。在一個(gè)實(shí)施例中，形成膜層的裝置可以是所謂的輥對(duì)輥設(shè)備。在此情況下，傳輸系統(tǒng)可包括一個(gè)或多個(gè)導(dǎo)輥。傳輸系統(tǒng)的導(dǎo)輥可形成使得基底能夠經(jīng)過(guò)處理區(qū)的路徑。
[0025]第一處理區(qū)是這樣的區(qū)域，其中通過(guò)傳輸系統(tǒng)引入基底，并進(jìn)行用于形成膜層的處理。如隨后將描述的，當(dāng)在處理區(qū)的基底上形成前驅(qū)體的膜層時(shí)，處理區(qū)可形成為容納前驅(qū)體。作為說(shuō)明書(shū)中使用的術(shù)語(yǔ)，所述前驅(qū)體可包括所有可形成膜層的材料，且每種材料本身可形成膜層，或者每種材料可首先應(yīng)用于基底表面，接著可通過(guò)其自我反應(yīng)或與其它材料的反應(yīng)形成膜層。前驅(qū)體的狀態(tài)沒(méi)有特別的限定，可以是氣體、液體或固體(例如，細(xì)粉)。
[0026]在處理區(qū)形成前驅(qū)體層的機(jī)制沒(méi)有特別的限定。舉例來(lái)說(shuō)，形成膜層的方法，如原子層沉積(ALD)、化學(xué)氣相沉積(CVD)以及濺射，已經(jīng)是眾所周知的。除上述方法外，可以根據(jù)應(yīng)用方式適當(dāng)?shù)倪x擇在處理區(qū)形成膜層的機(jī)制。
[0027]處理區(qū)可包括第一室和第二室，且各室均可容納前驅(qū)體。在各個(gè)第一室和第二室中所容納的前驅(qū)體的類(lèi)型可以彼此相同或者不同。
[0028]在處理區(qū)中，第二室可配置于第一室的上部或下部。圖1是示例性圖示第一室101和第二室201堆疊的狀態(tài)的示圖。在圖1中，第一室101和第二室201相互接觸。然而，第一室101和第二室201可以預(yù)定的距離彼此間隔。圖1示例性地圖示了當(dāng)從第一室101的側(cè)邊觀察時(shí)，具有圖2的結(jié)構(gòu)的處理區(qū)。
[0029]如圖所示，通行部1011形成于第一室101中，且導(dǎo)輥300可形成路徑，使得基底能夠穿過(guò)第一室101，經(jīng)由通行部1011引入第二室201，然后排出。圖3是示例性圖示導(dǎo)輥300的示圖，導(dǎo)輥300形成了路徑來(lái)使基底400能夠在圖1的結(jié)構(gòu)中以上述方法移動(dòng)。
[0030]除第一處理區(qū)之外，如需要的話(huà)，形成膜層的裝置可進(jìn)一步包括第二處理區(qū)。第二處理區(qū)可以是如同第一處理區(qū)一樣在基底上形成前驅(qū)體層的區(qū)域，或是采用惰性氣體等對(duì)基底進(jìn)行凈化操作的區(qū)域。舉例來(lái)說(shuō)，第二處理區(qū)可形成為一般腔室。在此情況下，導(dǎo)輥可形成路徑，使得經(jīng)過(guò)第一室的基底能夠穿過(guò)第二處理區(qū)，接著經(jīng)由第一室的通行部穿過(guò)第二室。
[0031]圖4是圖示進(jìn)一步包括有第二處理區(qū)500的實(shí)施例的示圖。導(dǎo)輥300形成了路徑，使得經(jīng)過(guò)第一室101的基底400能夠穿過(guò)第二處理區(qū)500，接著經(jīng)由第一室101的通行部1011穿過(guò)第二室201。在此情況下，導(dǎo)輥300可設(shè)置于第二處理區(qū)500中。
[0032]在形成膜層的裝置中，第一和第二處理區(qū)可被另一區(qū)域(下文中，稱(chēng)為第三處理區(qū))分隔開(kāi)。第三處理區(qū)可以是如同第一處理區(qū)一樣在基底上形成前驅(qū)體層的區(qū)域，或是采用惰性氣體等對(duì)基底進(jìn)行凈化操作的區(qū)域。如果第一、第二和第三處理區(qū)全部形成前驅(qū)體層，則在各個(gè)處理區(qū)中的前驅(qū)體的類(lèi)型，可以彼此相同或是不同。在此情況下，傳輸系統(tǒng)的導(dǎo)輥可形成為使得基底能夠依次經(jīng)過(guò)第一室、第三處理區(qū)、第二處理區(qū)和第二室，或者依次經(jīng)過(guò)第二室、第三處理區(qū)、第二處理區(qū)和第一室。
[0033]圖4圖示了第一處理區(qū)101和201與第二處理區(qū)500被第三處理區(qū)600分隔開(kāi)的示例性實(shí)施例。
[0034]如圖4所示，傳輸系統(tǒng)的導(dǎo)輥300可形成為使得基底400能夠依次經(jīng)過(guò)第一室101、第三處理區(qū)600、第二處理區(qū)500和第二室201，或者依次經(jīng)過(guò)第二室201、第三處理區(qū)600、第二處理區(qū)500和第一室101。
[0035]在上述結(jié)構(gòu)中，第二室可包括在第一室方向上形成的凸出部。在此情況下，可將凸出部插入第一室的通行部中，但不限于此。另外，在此結(jié)構(gòu)中，第二室的導(dǎo)輥可設(shè)置于第二室的凸出部處，但也可不設(shè)置于凸出部處。
[0036]圖5為示例性地圖示具有凸出部2011的第二室201的示圖，且圖6是圖示與圖4的形成膜層的裝置類(lèi)型相同，但采用具有凸出部2011的腔室作為第二室201的實(shí)施例的示圖。因此，除了凸出部2011形成在第二室201處以外，可等同適用圖4的描述。
[0037]在此結(jié)構(gòu)中，當(dāng)將第二室的凸出部插入第一室的通行部中時(shí)，所述通行部可具有包圍所述凸出部的外表面的尺寸。在此情況下，所述通行部可形成為具有與凸出部相同的尺寸，