自冷式移動式鍍膜承載盤的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種鍍膜承載盤，特別是涉及一種自冷式移動式鍍膜承載盤。
【背景技術(shù)】
[0002]目前真空濺鍍技術(shù)的應(yīng)用日漸廣泛，其中以連續(xù)式濺鍍設(shè)備(In-linesputtering apparatus)因為擁有速度快、產(chǎn)量高、鍍覆質(zhì)量優(yōu)良等優(yōu)點，且能大幅地降低生產(chǎn)成本，因此已廣泛地應(yīng)用于大量鍍膜的制程中。一般連續(xù)式濺鍍設(shè)備依序包含至少三個區(qū)域:一進料腔體區(qū)、一鍍膜腔體區(qū)，及一出料腔體區(qū)；其中，一待鍍物是被置于一傳送單元上的一承載盤上，以于上述腔體區(qū)內(nèi)或跨腔體區(qū)間傳輸，并由該出料腔體區(qū)輸出一在該待鍍物的一表面鍍覆有一鍍膜的成品。然而，于連續(xù)式濺鍍過程中，由于該鍍膜腔體區(qū)內(nèi)部是使用高能的離子體撞擊靶材，因而使該鍍膜腔體區(qū)的內(nèi)部溫度大量升高。特別是為了縮短鍍膜時間，此技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)人員還會通過提高靶材輸出功率的手段，以增加被濺離靶材外的鍍材量。前述做法更容易使鍍膜腔體區(qū)內(nèi)的溫度進一步增加，以致于該承載盤與該待鍍物的溫度也相應(yīng)增加。若該待鍍物所吸收到的一高溫?zé)崮芪茨芗皶r散去，一旦該待鍍物甚或是其上的鍍膜無法承受該高溫?zé)崮芤蚨a(chǎn)生變形時，將導(dǎo)致該待鍍物變形并從而損壞該鍍膜的質(zhì)量。
[0003]參閱圖1，為了解決散熱問題，如中國臺灣第1392756核準(zhǔn)公告號發(fā)明專利案則公開一種濺鍍用承載裝置1，其包含一用以承載一待鍍物(如基板，圖未示)的載具11、一承載該載具11的金屬托盤12，及一供放置該金屬托盤12的導(dǎo)熱傳送帶13。該金屬托盤12于面向該載具11的一表面形成有多個鋸齒狀凸起121。該載具11于面向該金屬托盤12的一表面也形成有多個與該金屬托盤12的鋸齒狀凸起121相對應(yīng)的凹槽111。借由該載具11的凹槽111與該金屬托盤12的鋸齒狀凸起121彼此嚙合，使該載具11與該金屬托盤12間形成有較大的熱接觸面積。借此，幫助該待鍍物及其上所沉積的一鍍膜(圖未示)，將濺鍍過程中所累積在該載具11、該待鍍物與該鍍膜上的一高溫?zé)崮軅鲗?dǎo)至該金屬托盤12，并經(jīng)由該導(dǎo)熱傳送帶13帶走該金屬托盤12的高溫?zé)崮?。雖然該金屬托盤12與該導(dǎo)熱傳送帶13能夠借由其本身的熱傳導(dǎo)系數(shù)高的特點以帶走該高溫?zé)崮?。然而，由于該金屬托盤12及該導(dǎo)熱傳送帶13本身的熱容(heat capacity)仍嫌不足，以致于該金屬托盤12與該導(dǎo)熱傳送帶13能自該載具11匯出的熱能有限，因而限縮了散熱效果。
[0004]經(jīng)上述說明可知，如何進一步地提升濺鍍用承載裝置的熱容，以有效地帶走濺鍍過程中累積在待鍍物與鍍膜上的高溫?zé)崮懿亩嵘兡べ|(zhì)量，是此技術(shù)領(lǐng)域的相關(guān)技術(shù)人員所待突破的難題。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明的目的在于提供一種自冷式移動式承載盤。
[0006]本發(fā)明的自冷式移動式承載盤，包含:一載盤單元，及一相變化物質(zhì)。該載盤單元內(nèi)部形成有一密閉空間。該相變化物質(zhì)填置于該載盤單元的密閉空間中。在本發(fā)明中，該相變化物質(zhì)能自該載盤單元吸收一熱能，以作為至少部分的該相變化物質(zhì)自一固態(tài)熔融成一液態(tài)時所需的潛熱(latent heat)，且該相變化物質(zhì)的恪點為介于18°C至95°C間。
[0007]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該相變化物質(zhì)是選自一有機類材料與一無機類材料其中一者。
[0008]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該有機類材料是一烴類，且該烴類是選自C16至C5tl的一烷類。
[0009]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該無機類材料是選自一含有一結(jié)晶水合鹽的組成物，或一熔解鹽。
[0010]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該載盤單元的密閉空間需大于或等于該相變化物質(zhì)于該液態(tài)時所占有的體積。
[0011]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該相變化物質(zhì)于該固態(tài)時是占有該密閉空間的 80%至 90%。
[0012]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該載盤單元包括一基座，及一封板，該基座具有一基壁與一圍繞該基壁的一周緣以定義出一凹槽的圍壁，該封板蓋設(shè)于該圍壁的一表面以封閉該凹槽并定義出該密閉空間。
[0013]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該載盤單元還包括一第一密封環(huán)，該圍壁的表面形成有一第一環(huán)形止漏槽，該封板蓋設(shè)于該圍壁的表面時，將該第一密封環(huán)夾制于該第一環(huán)形止漏槽內(nèi)。
[0014]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該載盤單元還包括多個鎖固件，及多個第二密封環(huán)，該基座的基壁具有多個自該基壁的一表面朝該封板凸伸而出的凸柱，每一凸柱具有一鎖固孔，及一圍繞該鎖固孔的第二環(huán)形止漏槽，所述鎖固件是貫穿該封板，以分別對應(yīng)鎖固于所述鎖固孔，使該封板與該基座結(jié)合，且該封板將所述第二密封環(huán)分別對應(yīng)夾制于所述第二環(huán)形止漏槽內(nèi)。
[0015]本發(fā)明的自冷式移動式鍍膜承載盤，該基座還具有一背向該基座的表面的承載面，且該承載面自其兩相反側(cè)緣背向該基座的表面凸伸出有兩個限位條。
[0016]本發(fā)明的有益效果在于，借由該相變化物質(zhì)本身于相變過程所需的熔解潛熱，以自該載盤單元吸收該熱能，能帶走于濺鍍過程中累積在待鍍物上的高溫?zé)崮?，以借此提升散熱效果并從而改善鍍膜質(zhì)量。
【附圖說明】
[0017]本發(fā)明的其他特征及功效，將于參照圖式的實施方式中清楚地呈現(xiàn)，其中:
[0018]圖1是一立體分解圖，說明由中國臺灣第1392756核準(zhǔn)公告號發(fā)明專利案所公開的一種濺鍍用承載裝置；
[0019]圖2是一立體組合圖，說明本發(fā)明自冷式移動式鍍膜承載盤的一實施例；
[0020]圖3是一立體分解圖，說明本發(fā)明該實施例的一載盤單元，及其細部構(gòu)件；
[0021]圖4是一沿圖2的直線IV-1V所取得的剖視圖，說明該載盤單元的細部構(gòu)件及其細部連結(jié)關(guān)系；
[0022]圖5是一溫度對時間曲線圖，說明采用本發(fā)明該實施例模擬在一濺鍍過程中一待鍍物的一頂面、一底面、該載盤單元及一相變化物質(zhì)的溫度變化；
[0023]圖6是一溫度對時間曲線圖，說明采用一金屬載盤模擬在該濺鍍過程中該待鍍物的頂面、底面、該金屬載盤的一頂面與一底面的溫度變化。
【具體實施方式】
[0024]參閱圖2、圖3與圖4，本發(fā)明自冷式移動式承載盤的一實施例，是被放置于一連續(xù)式真空鍍膜系統(tǒng)(圖未示，如濺鍍系統(tǒng))的一輸送單元上，以通過該輸送單元令該實施例于該連續(xù)式真空鍍膜系統(tǒng)的多個真空腔體間移動。本發(fā)明該實施例包含:一載盤單元2，及一相變化物質(zhì)3 (于圖2與圖3中是未顯示出該相變化物質(zhì)3)。
[0025]該載盤單元2包括一基座21、一封板22，及一第一密封環(huán)23。該基座21具有一基壁211與一圍繞該基壁211的一周緣以定義出一凹槽的圍壁212。該封板22蓋設(shè)于該圍壁212的一表面以封閉該凹槽并定義出一密閉空間20。該相變化物質(zhì)3則填置于該密閉空間20中。該圍壁212的表面形成有一第一環(huán)形止漏槽213。該封板22蓋設(shè)于該圍壁212的表面時，將該第一密封環(huán)23夾制于該第一環(huán)形止漏槽213內(nèi)。
[0026]在本發(fā)明該實施例中，該載盤單元2的基座21與封板22是由鋁合金(Al alloy)所構(gòu)成，且該相變化物質(zhì)3能自該載盤單元2吸收一熱能，以作為至少部分的該相變化物質(zhì)3自一固態(tài)熔融成一液態(tài)時所需的潛熱。較佳地，該相變化物質(zhì)3的熔點為介于18°C至95°C 間。
[0027]此處值得說明的是，為了避免該相變化物質(zhì)3于熔化時體積膨脹造成該載盤單元2變形。因此，該載盤單元2的密閉空間20需大于或等于該相變化物質(zhì)3于該液態(tài)時所占有的體積。此處需補充說明的是，該相變化物質(zhì)3于一吸熱過程中的一儲熱能力(heatstorage capacity)，是介于134kJ/kg至250kJ/kg間，且該吸熱過程包括一自該固態(tài)恪化為該液態(tài)的相變(phase transit1n) ο該相變化物質(zhì)3是選自一有機類材料(organicmaterial)與一無機(inorganic material)類材料其中之一者。
[0028]更具體地說，該有機類材料是一徑類(hydrocarbon)，且該徑類是選自C16至C 5(