于0.Sm2。所述加熱板的材料為防氟氣腐蝕的材料，如鋁和鎳，所述加熱板230包括加熱板上板231和加熱板下板232，所述加熱板上板內(nèi)或者加熱板下板內(nèi)嵌有加熱電阻(圖未示)，加熱的溫度范圍為400-450°C，所述加熱板下板232包括下板上部2321和下板下部2322，圖2示出了幾種可選的加熱板結(jié)構(gòu)的剖面示意圖:圖2 (a)所示加熱板上板231和加熱板下板232均為平板結(jié)構(gòu)，這種結(jié)構(gòu)便于加工成本較低；圖2 (b)示出的加熱板下板上部2321為平板結(jié)構(gòu)，所述下板下部2322包括空心的中間部分和封閉的邊緣部分，這種將加熱板下板下部采用邊緣部分封閉的結(jié)構(gòu)可以防止在沉積薄膜過(guò)程中所產(chǎn)生的顆粒落入加熱板下方而無(wú)法清除掉，從而能夠提高成膜質(zhì)量；圖2 (c)示出的加熱板與圖2 (b)的相似，區(qū)別在于(c)中所述下板下部封閉的邊緣部分的外表面為斜面形狀，這樣可以使得反應(yīng)腔內(nèi)的射頻電磁場(chǎng)和氣體流場(chǎng)更加平緩，改善基板的電磁場(chǎng)和氣流場(chǎng)的邊界效應(yīng)，有利于提高成膜的均勻性。所述加熱板結(jié)構(gòu)除了上述圖2所示的幾種加熱板情況外，還可以有其他類(lèi)似結(jié)構(gòu)，此處不再一一列舉。
[0041]繼續(xù)參考圖1，在所述內(nèi)腔腔體210底壁的內(nèi)側(cè)還設(shè)置有間隔部件250，用于間隔開(kāi)所述加熱板230和所述內(nèi)腔腔體210底壁，所述間隔部件的材料采用導(dǎo)電、熱導(dǎo)率低且防氟氣腐蝕的材料，優(yōu)選地材料為鋁或者鎳。之所以采用導(dǎo)電材料來(lái)制造間隔部件是為了使加熱板上不產(chǎn)生懸浮電位，避免受干擾的等離子體場(chǎng)了對(duì)反應(yīng)腔內(nèi)工藝制程的影響，保證了所沉積薄膜的成膜質(zhì)量。在本發(fā)明中，為了防止PECVD反應(yīng)腔內(nèi)的高溫對(duì)腔體及其它部件的損壞，需要將高溫范圍盡可能限制在加熱板和待加熱的基板上，故采用減少間隔部件接觸面積的方式來(lái)減少所述加熱板與所述內(nèi)腔腔體底壁之間的熱傳遞，因此只要間隔部件的接觸面積足夠小并且能夠均勻支撐所述加熱板230的結(jié)構(gòu)即可，而不對(duì)間隔部件的具體形狀進(jìn)行具體要求，例如所述間隔部件可以為十字形、井字形、米字型或者S形等任意形狀的一個(gè)整體，也可以為長(zhǎng)方體、圓柱體、梯形體等多個(gè)個(gè)體拼裝組成。針對(duì)圖2 (a)所示的加熱板下板為平板的情況，所述間隔部件可以直接設(shè)置于所述加熱板的下方；針對(duì)圖2 (b)和(C)所示的加熱板下板包括空心的中間部分的情況，所述間隔部件可以設(shè)置于所述下板下部的空心部分，所述間隔部件的高度與所述下板下部的邊緣部分高度一致。
[0042]另外，所述間隔部件可以選用外緣封閉的結(jié)構(gòu)，以防止在沉積薄膜過(guò)程中產(chǎn)生的雜質(zhì)顆粒落入加熱板下方而無(wú)法清除掉，從而能夠提高成膜質(zhì)量。具體地，所述間隔部件250可以為一種金屬框。
[0043]在一采用金屬框作為間隔部件的具體實(shí)施例中，如圖3所示，為了能減少熱傳遞希望選用盡量小的接觸面積，但從力學(xué)角度考慮金屬框又必須有一定的寬度才能承重，所以優(yōu)選的金屬框?yàn)閷挾确秶鸀?mm,高度范圍為5-15mm。所述金屬框可以米用導(dǎo)電、熱導(dǎo)率低且防氟氣腐蝕的材料，例如鋁或者鎳。所述金屬框與加熱板可以為兩個(gè)獨(dú)立的部件，例如所述金屬框可以采用寬度范圍l_3mm的窄鋁條并使之按照均勻排布的方法來(lái)實(shí)現(xiàn)。所述金屬框也可以與所述加熱板加工為一個(gè)整體，這樣可以防止加熱板與間隔部件在相互接觸的地方形成空隙，使沉膜過(guò)程中生成的顆粒落入其中，影響成膜質(zhì)量，同時(shí)也使得內(nèi)腔的整體設(shè)計(jì)更加簡(jiǎn)單，降低間隔部件和加熱板的裝配難度。
[0044]所述內(nèi)腔200還包括設(shè)置于內(nèi)腔腔體210頂壁外側(cè)的用于冷卻頂壁的第一冷卻機(jī)構(gòu)260和設(shè)置于內(nèi)腔腔體210底壁外側(cè)的用于冷卻底壁的第二冷卻機(jī)構(gòu)270，所述第一冷卻機(jī)構(gòu)260和第二冷卻機(jī)構(gòu)270可以采用滾壓的方式安裝在腔體的頂壁和底壁，所述第一冷卻機(jī)構(gòu)260和第二冷卻機(jī)構(gòu)270可以采用冷卻媒介的方式進(jìn)行冷卻，優(yōu)選地，可以采用銅管水冷卻或者鋼管水冷卻。本發(fā)明通過(guò)采用兩個(gè)冷卻機(jī)構(gòu)的方法使得整個(gè)內(nèi)腔溫度從400°C以上的高溫狀態(tài)降低至80-160°C的范圍，并且能保證腔體頂壁和底壁保持在同一設(shè)定溫度，從而增加整個(gè)內(nèi)腔腔體的溫度均勻性，滿足腔內(nèi)工藝溫度的要求。相應(yīng)地，設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)也會(huì)使得氣體噴淋頭的溫度范圍從400 °C以上的高溫狀態(tài)降至170^250 °C，降低了氣體噴淋頭因高溫而產(chǎn)生形變的風(fēng)險(xiǎn)和部件損壞的可能，保證了氣體噴淋頭的高精度平面度及反應(yīng)腔內(nèi)的成膜質(zhì)量。
[0045]本發(fā)明采用了在等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的內(nèi)腔外增加了真空外腔的方法，可以使得內(nèi)腔腔體具有更好的熱均勻性，進(jìn)一步減少內(nèi)腔腔體的形變，并且通過(guò)內(nèi)外腔的壓力差可以避免粉塵對(duì)工藝的影響。
[0046]綜上所述，本發(fā)明提供了一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，通過(guò)真空環(huán)境的外腔和進(jìn)行等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的內(nèi)腔相互結(jié)合、對(duì)基板進(jìn)行400-450°C的局部直接高溫加熱、采用間隔部件以及在腔體頂壁和底壁分別設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)等一系列技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)了采用低溫PECVD反應(yīng)腔進(jìn)行高溫AMOLED工藝的技術(shù)效果，使得反應(yīng)腔內(nèi)加熱板在450°C高溫的情況下腔體溫度仍能保持低至80-160°C的低溫環(huán)境，解決了傳統(tǒng)方式中以鋁作為反應(yīng)腔腔體材料而面臨的400-450°C高溫環(huán)境下材料強(qiáng)度、剛度變差以及嚴(yán)重的熱形變問(wèn)題，同時(shí)本發(fā)明的PECVD裝置的設(shè)計(jì)方案也簡(jiǎn)化了反應(yīng)腔的整體設(shè)計(jì)，降低了生產(chǎn)成本。
[0047]雖然本法明已以較佳的實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍為準(zhǔn)。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，包括:提供真空環(huán)境的外腔和進(jìn)行等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的內(nèi)腔，所述內(nèi)腔包括: 內(nèi)腔腔體，采用防氟氣腐蝕材料制造； 氣體噴淋頭，設(shè)置于所述內(nèi)腔腔體頂壁的內(nèi)側(cè)，用于提高工藝氣體分布的均勻性； 加熱板，位于所述氣體噴淋頭的下方并設(shè)置于所述內(nèi)腔腔體底壁的內(nèi)側(cè)，用于承載和直接加熱待處理的基板； 間隔部件，位于所述內(nèi)腔腔體底壁的內(nèi)側(cè)，用于間隔開(kāi)所述加熱板和所述內(nèi)腔腔體底壁，在減少二者之間熱傳遞的同時(shí)實(shí)現(xiàn)導(dǎo)電的功能； 第一冷卻機(jī)構(gòu)，位于內(nèi)腔腔體頂壁外側(cè)，用于冷卻所述內(nèi)腔腔體的頂壁； 第二冷卻機(jī)構(gòu)，位于內(nèi)腔腔體底壁外側(cè)，用于冷卻所述內(nèi)腔腔體的底壁。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述防氟氣腐蝕材料為鋁。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述內(nèi)腔腔體的頂壁和底壁的厚度為5-35mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述加熱板包括加熱板上板和加熱板下板，所述加熱板上板內(nèi)或者加熱板下板內(nèi)嵌有加熱電阻。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述加熱板上板和加熱板下板均為平板結(jié)構(gòu)。
6.根據(jù)權(quán)利要求4所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述加熱板下板包括下板上部和下板下部，所述下板上部為平板結(jié)構(gòu)，所述下板下部包括空心的中間部分和封閉的邊緣部分。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述下板下部封閉的邊緣部分的外表面為斜面形狀。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述加熱板材料為鋁或者鎳。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述加熱板的加熱溫度范圍為400-450°C。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件采用減少接觸面積的方式來(lái)減少所述加熱板與所述內(nèi)腔腔體底壁之間的熱傳遞。
11.根據(jù)權(quán)利要求6所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件設(shè)置于所述下板下部的空心部分，所述間隔部件的高度與所述下板下部的邊緣部分高度一致。
12.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件為任意形狀的能夠均勻支撐所述加熱板的結(jié)構(gòu)。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件為外緣封閉的結(jié)構(gòu)。
14.根據(jù)權(quán)利要求10所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件為廣3_的寬度范圍的金屬框。
15.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件的材料采用導(dǎo)電、熱導(dǎo)率低且防氟氣腐蝕的材料。
16.根據(jù)權(quán)利要求所述15的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件的材料為鋁或者鎳。
17.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件與所述加熱板為相互獨(dú)立的兩個(gè)部件。
18.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述間隔部件與所述加熱板加工為一個(gè)整體。
19.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述第一冷卻機(jī)構(gòu)和第二冷卻機(jī)構(gòu)以滾壓方式安裝在所述內(nèi)腔腔體的頂壁和底壁，所述第一冷卻機(jī)構(gòu)和第二冷卻機(jī)構(gòu)可以采用冷卻媒介的方式進(jìn)行冷卻。
20.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，其特征在于:所述內(nèi)腔腔體的溫度范圍為80-160°C，所述噴淋頭的溫度范圍17(T250°C。
【專利摘要】本發(fā)明提供了一種用于制備AMOLED的PECVD裝置，通過(guò)真空環(huán)境的外腔和進(jìn)行等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相沉積反應(yīng)的內(nèi)腔相互結(jié)合、對(duì)基板進(jìn)行400-450℃的局部直接高溫加熱、采用間隔部件以及在腔體頂壁和底壁分別設(shè)置冷卻機(jī)構(gòu)等一系列技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)了采用低溫PECVD反應(yīng)腔進(jìn)行高溫AMOLED工藝的技術(shù)效果，解決了傳統(tǒng)方式中以鋁作為反應(yīng)腔腔體材料而面臨的400-450℃高溫環(huán)境下材料強(qiáng)度、剛度變差以及嚴(yán)重的熱形變問(wèn)題。
【IPC分類(lèi)】C23C16-44
【公開(kāi)號(hào)】CN104862666
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201410062827
【發(fā)明人】楊飛云, 譚曉華, 陳金元, 徐升東, 李朋, 李一成, 劉傳生
【申請(qǐng)人】上海理想萬(wàn)里暉薄膜設(shè)備有限公司, 理想能源設(shè)備(上海)有限公司
【公開(kāi)日】2015年8月26日
【申請(qǐng)日】2014年2月25日