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      具有端點(diǎn)檢測(cè)窗的化學(xué)機(jī)械拋光墊的制作方法_4

      文檔序號(hào):9297032閱讀:來源:國(guó)知局
      micalCompany)) ;0?!化如->1心//?用多元醇(N,N,N',N'-四(2-徑丙基乙二胺))(獲自己斯夫度AS巧);^uraco化基于胺的多元醇 (獲自己斯夫);M姐化賊自1敷基于胺的多元醇(獲自拜耳材料科技有限責(zé)任公司度ayer MaterialScienceUX)) 異丙醇胺燈IPA)(獲自陶氏化學(xué)公司);和S乙醇胺燈EA)(獲 自馬林克羅特貝克公司(MallinckrodtBakerInc.))。多種優(yōu)選的胺起始的多元醇固化劑 列于表1中。
      [0050] 表 1
      [0051]
      [0052] 在不希望受理論束縛的情況下,除了促進(jìn)用其產(chǎn)生的端點(diǎn)檢測(cè)窗的物理性質(zhì)的所 要平衡之外,據(jù)相信,用于固化劑系統(tǒng)中的胺起始的多元醇固化劑的濃度還作用W自動(dòng)催 化其反應(yīng)和固化劑系統(tǒng)中的任何雙官能固化劑與異氯酸醋封端的氨基甲酸醋預(yù)聚物中所 存在的未反應(yīng)的異氯酸醋(NC0)基團(tuán)的反應(yīng)。
      [0053] 用于形成本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗的雙官能固化劑優(yōu)選地選自二 醇和二胺。更優(yōu)選地,雙官能固化劑是選自由W下組成的群組的雙官能芳香族固化劑:二乙 基甲苯二胺值ETDA) ;3,5-二甲基硫基-2,4-甲苯二胺和其異構(gòu)體;3,5-二乙基甲苯-2, 4-二胺和其異構(gòu)體(例如,3,5-二乙基甲苯-2,6-二胺);4,4'-雙-(仲下基氨基)-二 苯基甲燒山4-雙-(仲下基氨基)-苯;4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯胺);4,4'-亞甲 基-雙-(3-氯-2,6-二乙基苯胺)(MCDEA);聚環(huán)下燒氧化物-二-對(duì)氨基苯甲酸醋;N, N'-二烷基二氨基二苯基甲燒;p,p'-亞甲基二苯胺(MDA);間苯二胺(MPDA);4,4'-亞 甲基-雙-(2-氯苯胺)(MB0CA);4,4'-亞甲基-雙-(2,6-二乙基苯胺)(MDEA);4,4'-亞 甲基-雙-(2,3-二氯苯胺)(MDCA);4,4'-二氨基-3,3'-二乙基-5,5'-二甲基二苯 基甲燒;2,2',3,3'-四氯二氨基二苯基甲燒;丙二醇二-對(duì)氨基苯甲酸醋;和其混合物。 更優(yōu)選地,所用雙官能芳香族固化劑選自由W下組成的群組:4,4'-亞甲基-雙-(2-氯苯 胺HMBOCA) ;4,4'-亞甲基-雙-(3-氯-2,6-二乙基苯胺HMCDEA);和其異構(gòu)體。最優(yōu) 選地所用雙官能芳香族固化劑是4,4'-亞甲基-雙- (2-氯苯胺)(MB0CA)。
      [0054] 固化劑系統(tǒng)的組分中所含有的反應(yīng)性氨基團(tuán)的總和(即,胺(畑2)基團(tuán)和徑基 (0H)基團(tuán)的總和)除W用于形成本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗的異氯酸醋封端 的氨基甲酸醋預(yù)聚物中的未反應(yīng)的異氯酸醋(NC0)基團(tuán)(即,化學(xué)計(jì)量比)優(yōu)選地是0.7 到1. 2 (優(yōu)選地0. 8到1. 10 ;更優(yōu)選地0. 95到1. 05 ;最優(yōu)選地0. 98到1. 02)。
      [00巧]本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗優(yōu)選地展現(xiàn)>lg/cm3(優(yōu)選地1.05到 1. 2g/cm3;更優(yōu)選地1. 1到1. 2g/cm3)的密度;小于0. 1體積%的孔隙率;35到65的肖氏D 硬度;< 300% (優(yōu)選地100到< 300% ;更優(yōu)選地150至IJ250% ;最優(yōu)選地175至IJ245% ) 的斷裂伸長(zhǎng)率;和25到100% (優(yōu)選地25到85% ;更優(yōu)選地25到80% ;最優(yōu)選地25到 65% )的400nm下雙通透射率DPT4。。,如在本文中實(shí)例中闡述的條件下測(cè)量。
      [0056] 本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗優(yōu)選地展現(xiàn)25到100% (優(yōu)選地30到 85% ;更優(yōu)選地45到80% ;最優(yōu)選地40到65% )的800皿下雙通透射率DPTs。。,如在本文 中實(shí)例中闡述的條件下測(cè)量。優(yōu)選地,本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗展現(xiàn)25到 100% (優(yōu)選地30到85% ;更優(yōu)選地45到80% ;最優(yōu)選地40到65% )的DPTs。。,如在本文 中實(shí)例中闡述的條件下測(cè)量;和25至Ij100% (優(yōu)選地25到85% ;更優(yōu)選地25到80% ;最 優(yōu)選地25到65% )的400nm下雙通透射率DPTw。,如在本文中實(shí)例中闡述的條件下測(cè)量; 并且其中端點(diǎn)檢測(cè)窗展現(xiàn)< 30%、《25% (更優(yōu)選地《15% ;最優(yōu)選地《10% )的800皿 與400nm之間雙通透射率差量ADPTs。。4。。,如在本文中實(shí)例中闡述的條件下測(cè)量。
      [0057] 本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的端點(diǎn)檢測(cè)窗優(yōu)選地選自塞就位窗和整體窗。更優(yōu)選 地,端點(diǎn)檢測(cè)窗是并入到拋光層中的整體窗。
      [0058] 本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊任選地進(jìn)一步包含至少一個(gè)與拋光層介接的額外層。優(yōu) 選地,拋光層使用粘合劑與至少一個(gè)額外層介接。粘合劑可W選自壓敏性粘合劑、熱烙性粘 合劑、接觸粘合劑和其組合。優(yōu)選地,粘合劑是熱烙性粘合劑或壓敏性粘合劑。更優(yōu)選地, 粘合劑是熱烙性粘合劑。
      [0059] 本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊優(yōu)選地適于與拋光機(jī)的壓板介接。優(yōu)選地,化學(xué)機(jī)械拋 光墊適于附著到拋光機(jī)的壓板。優(yōu)選地,化學(xué)機(jī)械拋光墊可W使用壓敏性粘合劑和真空中 的至少一者附著到壓板。優(yōu)選地,本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊進(jìn)一步包含壓敏性壓板粘合劑 W促進(jìn)附著到壓板。本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員將知道如何選擇適用作壓敏性壓板粘合劑的適 當(dāng)壓敏性粘合劑。優(yōu)選地,本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊還將包括施用于壓敏性壓板粘合劑上 的離型襯墊。
      [0060] 制造本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊的方法包含:提供具有拋光表面的拋光層;提供具 有5. 5到9. 5重量% (優(yōu)選地5. 75到9. 0重量% )的未反應(yīng)的NC0基團(tuán)的異氯酸醋封端 的氨基甲酸醋預(yù)聚物,其中所述異氯酸醋封端的氨基甲酸醋預(yù)聚物是包含W下的成分的反 應(yīng)產(chǎn)物:(a)芳香族多官能異氯酸醋;和化)預(yù)聚物多元醇;提供固化劑系統(tǒng),其包含:0到 90重量% (優(yōu)選地0到75重量% ;更優(yōu)選地0到70重量% )的雙官能固化劑;和10到 100重量% (優(yōu)選地25到100重量% ;更優(yōu)選地30到100重量% )的胺起始的多元醇固化 劑,其每分子具有至少一個(gè)氮原子(優(yōu)選地一到四個(gè)氮原子;更優(yōu)選地兩到四個(gè)氮原子;最 優(yōu)選地兩個(gè)氮原子)并且每分子具有平均至少=個(gè)(優(yōu)選地=到六個(gè);更優(yōu)選地=到五個(gè); 最優(yōu)選地四個(gè))徑基;將所述異氯酸醋封端的氨基甲酸醋預(yù)聚物和所述固化劑系統(tǒng)組合w形成組合;使所述組合反應(yīng)W形成產(chǎn)物;由所述產(chǎn)物形成端點(diǎn)檢測(cè)窗;用所述拋光層介接 所述端點(diǎn)檢測(cè)窗W提供化學(xué)機(jī)械拋光墊。優(yōu)選地,端點(diǎn)檢測(cè)窗W使用已知技術(shù)并入到拋光 層中的整體窗形式或W使用已知技術(shù)并入到化學(xué)機(jī)械拋光墊中的塞就位窗形式與拋光層 介接。最優(yōu)選地,端點(diǎn)檢測(cè)窗W整體窗形式并入到拋光層中。
      [0061] 本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光襯底的方法包含:提供化學(xué)機(jī)械拋光設(shè)備,其具有壓板、光 源和光傳感器(優(yōu)選地多傳感器攝譜儀);提供至少一個(gè)待拋光的襯底(優(yōu)選地,其中襯底 選自由W下中的至少一者組成的群組:磁性襯底、光學(xué)襯底和半導(dǎo)體襯底;更優(yōu)選地,其中 襯底是半導(dǎo)體襯底;最優(yōu)選地,其中襯底是半導(dǎo)體晶片);提供本發(fā)明的化學(xué)機(jī)械拋光墊; 將所述化學(xué)機(jī)械拋光墊安裝到所述壓板上;任選地在化學(xué)機(jī)械拋光墊的拋光表面與襯底之 間的界面處提供拋光介質(zhì)(優(yōu)選地,其中拋光介質(zhì)選自由W下組成的群組:拋光漿料和不 含磨料的反應(yīng)性液體調(diào)配物);在所述拋光表面與所述襯底之間產(chǎn)生動(dòng)態(tài)接觸,其中至少 某一材料由所述襯底去除;和通過W下方式確定拋光端點(diǎn):使來自所述光源的光透射通過 端點(diǎn)檢測(cè)窗,并且分析反射出所述襯底的表面、回通過所述端點(diǎn)檢測(cè)窗入射到所述光傳感 器的所述光。優(yōu)選地,拋光端點(diǎn)基于對(duì)反射出襯底的表面并且透射通過端點(diǎn)檢測(cè)窗的光波 長(zhǎng)的分析來確定,其中光波長(zhǎng)具有> 370nm到800nm的波長(zhǎng)。更優(yōu)選地,拋光端點(diǎn)基于對(duì)反 射出襯底的表面并且透射通過端點(diǎn)檢測(cè)窗的光的多個(gè)波長(zhǎng)的分析來確定,其中所分析的波 長(zhǎng)之一具有> 370nm到800nm的波長(zhǎng)。
      [0062] 本發(fā)明的一些實(shí)施例現(xiàn)將詳細(xì)地描述于W下實(shí)例中。
      [0063]比巧連例C1-C4巧連倆I1-6
      [0064] 根據(jù)表2中提供的調(diào)配物細(xì)節(jié)制備端點(diǎn)檢測(cè)窗。使用滿流混合器在1,00化pm下 將窗預(yù)聚物與固化劑系統(tǒng)的組分混合30秒。將除了雙官能固化劑(即,MB0CA和MCDEA)的 所有原料維持在60°C的預(yù)混合溫度下。將MB0CA和MCDEA當(dāng)使用時(shí)維持在12
      當(dāng)前第4頁(yè)1 2 3 4 5 
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