蒸發(fā)源裝置及蒸鍍?cè)O(shè)備的制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及顯示器制作技術(shù)領(lǐng)域，尤其是指一種蒸發(fā)源裝置及蒸鍍?cè)O(shè)備。
【背景技術(shù)】
[0002]在有機(jī)發(fā)光二極管(Organic Light-Emitting D1de，0LED)顯示器的制作中，蒸發(fā)鍍膜是一項(xiàng)必不可少的制作工藝。
[0003]在蒸發(fā)鍍膜工藝所采用蒸鍍?cè)O(shè)備中，最主要的是坩禍和用于放置坩禍的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，該兩個(gè)裝置的設(shè)計(jì)合理與否直接關(guān)系到成膜的質(zhì)量和膜的特性。現(xiàn)有技術(shù)其中一種蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)如圖1所示，蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)包括呈螺旋狀的加熱絲1，圍繞坩禍2設(shè)置，利用一條加熱絲可以對(duì)整個(gè)坩禍2進(jìn)行加熱；圖2為現(xiàn)有技術(shù)另一種蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的示意圖，蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)包括多個(gè)平行設(shè)置的加熱絲3，豎直地設(shè)置在坩禍2的外圍，用于對(duì)整個(gè)坩禍2進(jìn)行加熱。
[0004]上述兩種形式的蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)，由于加熱絲分散設(shè)置在坩禍的外圍，使得坩禍整體受熱不均，靠近加熱絲的坩禍部分升溫較快，遠(yuǎn)離加熱絲的坩禍部分升溫較慢，加熱工藝控制不好，易造成坩禍內(nèi)材料局部受熱過(guò)高，出現(xiàn)材料變質(zhì)或者噴發(fā)的現(xiàn)象。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0005]本發(fā)明技術(shù)方案的目的是提供一種蒸發(fā)源裝置及蒸鍍?cè)O(shè)備，通過(guò)改進(jìn)蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)，達(dá)到提高坩禍整體受熱均勻性的目的。
[0006]本發(fā)明提供一種蒸發(fā)源裝置，包括:
[0007]熱源結(jié)構(gòu)，包括加熱源和導(dǎo)熱體，其中所述導(dǎo)熱體與放置蒸發(fā)材料的蒸發(fā)容器接觸連接，所述加熱源圍繞所述蒸發(fā)容器設(shè)置，且通過(guò)所述導(dǎo)熱體的熱傳導(dǎo)，所述加熱源的熱量傳導(dǎo)至所述蒸發(fā)容器上，為所述蒸發(fā)容器加熱。
[0008]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述導(dǎo)熱體包括用于放置所述蒸發(fā)容器的第一容納空間，所述加熱源在所述第一容納空間的外圍圍繞所述蒸發(fā)容器設(shè)置。
[0009]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述加熱源與所述導(dǎo)熱體的外表面接觸連接。
[0010]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述加熱源嵌設(shè)在所述導(dǎo)熱體的內(nèi)部。
[0011]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述導(dǎo)熱體形成為內(nèi)部中空的筒狀結(jié)構(gòu)，其中內(nèi)部中空的部分形成為所述第一容納空間。
[0012]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述導(dǎo)熱體包括第一結(jié)構(gòu)部分，所述第一結(jié)構(gòu)部分包括多個(gè)相互平行且間隔設(shè)置的導(dǎo)熱片，且多個(gè)所述導(dǎo)熱片圍繞一預(yù)定空間均勻分布，所述預(yù)定空間形成為所述第一容納空間。
[0013]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述導(dǎo)熱體還包括第二結(jié)構(gòu)部分，形成為內(nèi)部中空的筒狀結(jié)構(gòu)，每一所述導(dǎo)熱片連接設(shè)置在所述第二結(jié)構(gòu)部分的內(nèi)壁上。
[0014]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述蒸發(fā)源裝置還包括用于對(duì)加熱中或加熱后所述蒸發(fā)容器冷卻的冷卻結(jié)構(gòu)，所述冷卻結(jié)構(gòu)與所述熱源結(jié)構(gòu)相組合構(gòu)成一組合結(jié)構(gòu)。
[0015]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述冷卻結(jié)構(gòu)包括基體及設(shè)置在所述基體中的多條相互連通、用于通入冷卻介質(zhì)的第一循環(huán)通道，其中所述基體與所述熱源結(jié)構(gòu)接觸連接，且圍繞所述熱源結(jié)構(gòu)設(shè)置。
[0016]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述冷卻結(jié)構(gòu)包括設(shè)置在所述導(dǎo)熱體中的多條相互連通、用于通入冷卻介質(zhì)的第二循環(huán)通道。
[0017]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述蒸發(fā)源裝置還包括保溫層，與所述組合結(jié)構(gòu)接觸連接，且在所述組合結(jié)構(gòu)的外圍設(shè)置。
[0018]優(yōu)選地，上述所述的蒸發(fā)源裝置，其中，所述保溫層包括環(huán)繞所述組合結(jié)構(gòu)設(shè)置的第一保溫層以及位于所述第一保溫層的底面的第二保溫層，其中所述第二保溫層與所述第一保溫層組合圍設(shè)成具有一開口的第二容納空間，所述組合結(jié)構(gòu)設(shè)置在所述第二容納空間中。
[0019]本發(fā)明還提供一種蒸鍍?cè)O(shè)備，包括如上任一項(xiàng)所述的蒸發(fā)源裝置。
[0020]本發(fā)明具體實(shí)施例上述技術(shù)方案中的至少一個(gè)具有以下有益效果:
[0021]通過(guò)在加熱源與蒸發(fā)容器之間設(shè)置導(dǎo)熱體，利用導(dǎo)熱體將加熱源的熱量傳導(dǎo)至蒸發(fā)容器上，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)蒸發(fā)容器的均勻加熱。
【附圖說(shuō)明】
[0022]圖1表示現(xiàn)有技術(shù)一種蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0023]圖2表示現(xiàn)有技術(shù)另一種蒸發(fā)源結(jié)構(gòu)的示意圖；
[0024]圖3表示本發(fā)明第一實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0025]圖4表示本發(fā)明第二實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0026]圖5表示本發(fā)明第三實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0027]圖6表示本發(fā)明第四實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。
【具體實(shí)施方式】
[0028]為使本發(fā)明的實(shí)施例要解決的技術(shù)問(wèn)題、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合附圖及具體實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0029]本發(fā)明實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置，包括:
[0030]熱源結(jié)構(gòu)，包括加熱源和導(dǎo)熱體，其中所述導(dǎo)熱體與放置蒸發(fā)材料的蒸發(fā)容器接觸連接，所述加熱源圍繞所述蒸發(fā)容器設(shè)置，且通過(guò)所述導(dǎo)熱體的熱傳導(dǎo)，所述加熱源的熱量傳導(dǎo)至所述蒸發(fā)容器上，為所述蒸發(fā)容器加熱。
[0031]上述結(jié)構(gòu)的蒸發(fā)源裝置，通過(guò)在加熱源與蒸發(fā)容器之間設(shè)置導(dǎo)熱體，利用導(dǎo)熱體將加熱源的熱量傳導(dǎo)至蒸發(fā)容器上，能夠?qū)崿F(xiàn)對(duì)蒸發(fā)容器的均勻加熱。
[0032]具體地，所述蒸發(fā)源裝置可以應(yīng)用于蒸發(fā)鍍膜工藝的蒸鍍?cè)O(shè)備中，所述蒸發(fā)容器為坩禍。
[0033]較佳地，導(dǎo)熱體圍繞蒸發(fā)容器的外表面設(shè)置，且與蒸發(fā)容器外表面相接觸的接觸點(diǎn)在蒸發(fā)容器的外表面上均勻分布，或者更佳地，蒸發(fā)容器的外表面的每一位置點(diǎn)均與導(dǎo)熱體接觸連接。
[0034]另一方面，較佳地，本發(fā)明實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置還包括用于對(duì)加熱中或加熱后所述蒸發(fā)容器冷卻的冷卻結(jié)構(gòu)，所述冷卻結(jié)構(gòu)與所述熱源結(jié)構(gòu)相組合構(gòu)成一組合結(jié)構(gòu)。利用冷卻結(jié)構(gòu)的設(shè)置，能夠使處在加熱過(guò)程中的蒸發(fā)容器的加熱溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，或者達(dá)到控制加熱后坩禍的冷卻速率的效果。較佳地，為達(dá)到最佳的冷卻效果，冷卻結(jié)構(gòu)與加熱源直接接觸連接，以便于控制冷卻速率。
[0035]另一方面，較佳地，本發(fā)明實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置還包括保溫層，與冷卻結(jié)構(gòu)與熱源結(jié)構(gòu)相組合構(gòu)成的組合結(jié)構(gòu)接觸連接，且圍繞該組合結(jié)構(gòu)設(shè)置，用于實(shí)現(xiàn)加熱源對(duì)蒸發(fā)容器加熱過(guò)程中的保溫，有效防止熱量的耗散以及防止熱能出現(xiàn)不必要的損失。
[0036]以下以蒸發(fā)源裝置應(yīng)用于蒸發(fā)鍍膜工藝的蒸鍍?cè)O(shè)備中，所述蒸發(fā)容器為坩禍為例，結(jié)合圖3至圖6對(duì)本發(fā)明所述蒸發(fā)源裝置的具體實(shí)施結(jié)構(gòu)進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0037]實(shí)施例一
[0038]圖3為本發(fā)明第一實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖3，第一實(shí)施例中，所述蒸發(fā)源裝置包括導(dǎo)熱體10和加熱源20。
[0039]其中，導(dǎo)熱體10包括用于放置坩禍(蒸發(fā)容器)100的第一容納空間，加熱源20在第一容納空間的外圍圍繞坩禍100設(shè)置。
[0040]本發(fā)明第一實(shí)施例中，加熱源20與導(dǎo)熱體10的外表面直接接觸連接，且在坩禍100的整個(gè)外圍空間圍繞坩禍100設(shè)置。
[0041]本發(fā)明第一實(shí)施例中，導(dǎo)熱體10具體包括第一結(jié)構(gòu)部分11和第二結(jié)構(gòu)部分12，其中第二結(jié)構(gòu)部分12形成為內(nèi)部中空的筒狀結(jié)構(gòu)，第一結(jié)構(gòu)部分11包括多個(gè)相互平行且間隔設(shè)置的導(dǎo)熱片111，每一導(dǎo)熱片111連接設(shè)置在第二結(jié)構(gòu)部分12的內(nèi)壁上，且與第二結(jié)構(gòu)部分12的內(nèi)壁相垂直，圍繞預(yù)定空間均勻分布，其中該預(yù)定空間即形成為用于放置坩禍100的第一容納空間。
[0042]如圖3所示，當(dāng)坩禍100設(shè)置于第一結(jié)構(gòu)部分11所組合構(gòu)成的第一容納空間內(nèi)時(shí)，第一結(jié)構(gòu)部分11的每一導(dǎo)熱片111與坩禍100相抵接，且較佳地，導(dǎo)熱片111與坩禍100相接觸的位置點(diǎn)均勻分布在坩禍100的外表面，這樣當(dāng)加熱源20圍繞第二結(jié)構(gòu)部分12的外表面設(shè)置，且與第二結(jié)構(gòu)部分12的外表面接觸連接時(shí)，利用第二結(jié)構(gòu)部分12和第一結(jié)構(gòu)部分11在坩禍100外圍均勻分布的結(jié)構(gòu)，使加熱源20的熱量能夠均勻傳導(dǎo)至坩禍100上，使得坩禍100能夠整體受熱均勻，提高坩禍的整體受熱均一性，避免出現(xiàn)現(xiàn)有技術(shù)的坩禍整體受熱不均，靠近加熱絲的坩禍部分升溫較快，遠(yuǎn)離加熱絲的坩禍部分升溫較慢，加熱工藝控制不好，易造成坩禍內(nèi)材料局部受熱過(guò)高，出現(xiàn)材料變質(zhì)或者噴發(fā)的問(wèn)題。
[0043]此外，本發(fā)明實(shí)施例中，加熱源20可以形成為加熱絲結(jié)構(gòu)，具體可以采用一條加熱絲螺旋環(huán)繞或者多條加熱絲相互平行或者兩者組合的方式圍繞第二結(jié)構(gòu)部分12的外表面設(shè)置。
[0044]進(jìn)一步，如圖3所示，本發(fā)明第一實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置還包括冷卻結(jié)構(gòu)30和設(shè)置在冷卻結(jié)構(gòu)30外圍的保溫層40。利用冷卻結(jié)構(gòu)30的設(shè)置，能夠使加熱坩禍100的加熱溫度冷卻至預(yù)設(shè)溫度，或者達(dá)到控制加熱后坩禍100的冷卻速率的效果。利用保溫層40的設(shè)置，用于實(shí)現(xiàn)加熱源20對(duì)坩禍100加熱過(guò)程中的保溫，有效防止熱量的耗散以及防止熱能出現(xiàn)不必要的損失。
[0045]冷卻結(jié)構(gòu)30可以采用冷卻介質(zhì)為氣體或液體的方式進(jìn)行，具體地，如圖3所示，冷卻結(jié)構(gòu)30包括基體31及設(shè)置在基體31中的多條相互連通、用于通入冷卻介質(zhì)的第一循環(huán)通道(圖中未顯示)。本實(shí)施例中，基體31與加熱源20接觸連接，且第一循環(huán)通道圍繞加熱源20均勻分散設(shè)置，以實(shí)現(xiàn)對(duì)整個(gè)加熱源20的均勻冷卻。
[0046]保溫層40在冷卻結(jié)構(gòu)30的基體31外圍設(shè)置，與基體31相接觸連接。具體地，保溫層40還包括環(huán)繞基體31設(shè)置的第一保溫層41，形成為中空、且上下開口的筒體結(jié)構(gòu)；以及包括位于第一保溫層41的底面的第二保溫層42，使第一保溫層41所形成筒體結(jié)構(gòu)的底面密封，第二保溫層42與第一保溫層41組合圍設(shè)成具有一開口的第二容納空間，包括上述冷卻結(jié)構(gòu)與熱源結(jié)構(gòu)的組合結(jié)構(gòu)設(shè)置于該第二容納空間內(nèi)。
[0047]實(shí)施例二
[0048]圖4為本發(fā)明第二實(shí)施例所述蒸發(fā)源裝置的結(jié)構(gòu)示意圖。參閱圖4，與第一實(shí)施例相同，蒸發(fā)源裝置包括導(dǎo)熱體10和加熱源20。
[0049]其中，導(dǎo)熱體10包括用于放置坩禍100的第一容納空間，加熱源20在第一容納空間的外圍圍繞坩禍100設(shè)置。
[0050]本發(fā)明第二實(shí)施例中，加熱源20