的泡沫。 然后浸入氧化劑溶液中12分鐘，該氧化劑溶液包含濃度50g/LW及抑為12的高儘酸鐘。 溶液溫度是80°C。在將板從氧化劑溶液中移出后，用水清洗4分鐘。在中和步驟后，然后， 板十字分段W暴露多個(gè)通孔壁表面。用SEM檢查通孔壁的樹脂污跡。SEM結(jié)果示出，與僅僅 用氧化劑溶液處理的第二板的壁相比，從壁表面移除的樹脂污跡的數(shù)量增加了。進(jìn)一步，壁 表面微粗糖化。 陽(yáng)078] 第四板浸入溶劑溶脹水溶液中，該溶劑溶脹水溶液包含濃度150g/L乙二醇苯基 酸、88g/L的烷基二苯酸雙橫酸鹽和132g/L的n-烷基氨基丙酸鹽。板在80°C浸入溶液中8 分鐘溶液。在板從溶劑溶脹中移出后，用水清洗4分鐘，其中為了更好地循環(huán)，提供空氣震 蕩。清洗過(guò)程中產(chǎn)生的泡沫是可忽略的并且顯著少于用于處理第=板的溶劑溶脹。然后浸 入氧化劑溶液中12分鐘，該氧化劑溶液包含濃度50g/LW及pH為12的高儘酸鐘。溶液溫 度是80°C。在將板從氧化劑溶液中移出后，用水清洗4分鐘。在中和步驟后，然后，板十字 分段W暴露多個(gè)通孔壁表面。用SEM檢查通孔壁的樹脂污跡。SEM結(jié)果示出，與第二板的壁 相比，從壁表面移除的樹脂污跡的數(shù)量增加了。進(jìn)一步，壁表面微粗糖化。
[0079] n-烷基氨基丙酸鹽的加入沒(méi)有損害溶劑溶脹的溶脹性能，其反過(guò)來(lái)，仍舊使得氧 化劑從通孔壁移除污跡W及為金屬化的微粗糖化成行。另外，n-烷基氨基丙酸鹽相對(duì)于不 包含丙酸鹽的溶劑溶脹顯著降低了發(fā)泡。進(jìn)一步，具有丙酸鹽的溶劑溶脹表現(xiàn)出穩(wěn)定和均 O
[0080] 實(shí)施例4 (比較例）
[0081] 在實(shí)施例3中表述的程序重復(fù)，除了是提供自化engYi的四個(gè)低Tg(14(rC)環(huán)氧 板。一個(gè)板在鉆了多個(gè)通孔后十字分段，并且用SEM檢查通孔壁污跡。檢查的所有壁示出 了顯著樹脂污跡。
[0082] 然后，剩下=個(gè)板的每個(gè)，用實(shí)施例3中表述的=種溶液中的一個(gè)處理，并且在相 同的處理?xiàng)l件下。僅僅用高儘酸鐘水溶液處理的板示出通孔壁無(wú)可觀察的污跡移除或者微 粗糖化。壁表面的表現(xiàn)實(shí)質(zhì)上與未處理板一樣。
[0083] 在氧化劑處理后，用包含乙二醇苯基酸和烷基二苯酸雙橫酸鹽的溶劑溶脹處理的 板，示出了與第二板相比增加了的污跡移除和通孔壁的蜂狀織構(gòu)化。然而，溶劑溶脹泡沫實(shí) 質(zhì)上與實(shí)施例3同。
[0084] 在高儘酸鐘氧化劑處理后，用包含乙二醇苯基酸、烷基二苯酸雙橫酸鹽和n-烷基 氨基丙酸鹽的溶劑溶脹處理的第四板，也示出了與僅僅用氧化劑處理的板相比增加了的污 跡移除。另外，第四板的SEM分析示出了與第=板相同的蜂狀微粗糖化。進(jìn)一步，在溶劑溶 脹工藝中幾乎沒(méi)有觀察到泡沫。
[00財(cái) n-烷基氨基丙酸鹽的加入沒(méi)有損害其性能，其反過(guò)來(lái)，仍舊使得氧化劑從通孔壁 移除污跡W及為金屬化的微粗糖化成行。另外，n-烷基氨基丙酸鹽相對(duì)于不包含丙酸鹽的 溶劑溶脹顯著降低了發(fā)泡。進(jìn)一步，具有丙酸鹽的溶劑溶脹表現(xiàn)出穩(wěn)定和均一。
[0086] 實(shí)施例5
[0087] 提供屯個(gè)層壓銅包覆板。S個(gè)環(huán)氧分層的第一組具有17(TC的Tg值（型號(hào)：分別 是化Iy370皿，從IsolaLaminateSystemsCo巧.LaCrossWisconsin獲得，S1000-2 和TUC-752 從ShengYiTaiwanUnionTechnologyCorp.ChupeiCityHsinchu Hsien,I'aiwan獲得）。一個(gè)環(huán)氧分層（型號(hào)：IT-180 從；[TEQco;rp.Ping-QiengIndustrial Zone,Taoyuan,Taiwan獲得）具有180°C的Tg。立個(gè)環(huán)氧分層具有150°C的Tg值（型號(hào)： NPG,從NanYaPlasticsCo巧.Siu-LinVilla,!"aipeiCountry,!"Siwan獲得，S-1000 和 S-1141從化engYi獲得）。每個(gè)板使用為了運(yùn)樣的目的用在工業(yè)中的常規(guī)鉆藝鉆多個(gè)通 孔。每個(gè)板的通孔有500至1000,并且，每個(gè)孔有接近Imm的直徑。
[0088] 形成兩種原料的水溶劑溶脹溶液。第一溶劑溶脹包括150g/L的乙二醇苯基酸、 220g/L的烷基二苯酸雙橫酸鹽。第二溶劑溶脹包括150g/L丙二醇苯基酸、88g/L的烷基二 苯酸雙橫酸鹽和132g/L的n-烷基氨基丙酸鹽。
[0089] 每種板的一個(gè)浸入第一溶劑溶脹，并且每種板的一個(gè)浸入第二溶劑溶脹。每個(gè)板 留在其各自的溶液中8分鐘。溶液溫度是80°C。溶劑溶脹溶液溶脹和軟化板的聚合物組 分。每個(gè)板從溶劑溶脹中移出，并且用水清洗3分鐘，其中為了更好地循環(huán)，提供空氣震蕩。 在第一溶劑溶脹浸泡工藝過(guò)程中產(chǎn)生明顯泡沫，同時(shí)，在包含n-烷基氨基丙酸鹽的第二溶 劑溶脹中觀察到極小泡沫。第二溶劑溶脹中不需要加入替換成分W維持由于發(fā)泡過(guò)程中損 耗的發(fā)泡性能。溶劑溶脹混合物整個(gè)工藝過(guò)程中表現(xiàn)穩(wěn)定、均一。
[0090] 然后，每個(gè)板浸入包含50g/LW及pH為12的高儘酸鐘的堿氧化劑水溶液中，W除 污并且微粗糖化通孔壁。氧化劑溶液的溫度是80°C。在板浸入過(guò)程中，溶液持續(xù)混合。板 保持在溶液中12分鐘。然后，移出板并用水清洗4分鐘。
[0091] 然后，在40°C將中和劑施加到每個(gè)板。板保留在中和劑中5分鐘然后移出，并用水 清洗4分鐘。
[0092] 隨著中和后，每個(gè)板用CIRCUPOSU?調(diào)節(jié)劑3320溶液處理。在60°C調(diào)節(jié)5分鐘。 然后，用水清洗板4分鐘。
[0093] 在調(diào)節(jié)通孔后，他們進(jìn)行微刻蝕。刻蝕板浸入包含lOOg/L過(guò)硫酸鋼和2%硫酸的 水溶液中。在微刻蝕過(guò)程中，溶液混合，并且微刻蝕浴的溫度是30°C。微刻蝕進(jìn)行1分鐘。 每個(gè)板從微刻蝕移出并用水清洗2分鐘。
[0094] 然后，室溫每個(gè)板浸入CATAP0SU?404Predip溶液中1分鐘。板移出，并且然后浸 入CATAP0SU?44鈕和錫催化劑中。板在40°C保持在催化劑中5分鐘。然后，移出他們并 用水清洗2分鐘。
[0095] 然后用化學(xué)鍛銅金屬化每個(gè)板的通孔壁。通過(guò)30°C將每個(gè)板浸入化學(xué)鍛銅浴 CIRCUP0SIT?880ElectrolessCopper鍛覆溶液15分鐘進(jìn)行金屬化。板從銅溶液中移出并 用水浸泡3分鐘。
[0096] 然后，每個(gè)板十字分段W暴露通孔壁的銅鍛。使用沈M觀察所有的壁，顯示出具有 均勻銅沉積并且銅對(duì)壁的粘附體現(xiàn)了高完整性，即，無(wú)銅沉積剝離。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種方法，所述方法包括： a) 提供包括一個(gè)或多個(gè)聚合物和多個(gè)通路孔的襯底； b) 施加溶劑溶脹組合物至該包括一個(gè)或多個(gè)聚合物和多個(gè)通路孔的襯底上以溶脹該 一個(gè)或多個(gè)聚合物，該組合物包括n-烷基氨基丙酸鹽和n-烷基氨基雙丙酸鹽中的一個(gè)或 多個(gè)、一個(gè)或多個(gè)選自二醇苯基醚或二醇醚的有機(jī)溶劑和一個(gè)或多個(gè)陰離子分散劑；以及 c) 施加氧化劑至該溶脹的一個(gè)或多個(gè)聚合物以改變多個(gè)通路孔中的一個(gè)或多個(gè)聚合 物的表面形態(tài)或者除污。2. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，進(jìn)一步包括對(duì)多個(gè)通路孔的壁進(jìn)行金屬化的步驟。3. 根據(jù)權(quán)利要求1的方法，其中襯底是印刷電路板。4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)或多個(gè)陰離子分散劑是烷基聯(lián)苯氧化物、N-烷 基磺基琥珀酸四鈉、有機(jī)磷酸酯或聚醚硫酸酯。5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)或多個(gè)有機(jī)溶劑的用量為120-200g/L。6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)或多個(gè)n-烷基氨基丙酸鹽和n-烷基氨基雙丙 酸鹽的用量為50-500g/L。7. 如權(quán)利要求1所述的方法，其中一個(gè)或多個(gè)陰離子分散劑的用量為50-150g/L。
【專利摘要】制備用于金屬化的含聚合物襯底。提供了一種方法，所述方法包括：a)提供包括一個(gè)或多個(gè)聚合物和多個(gè)通路孔的襯底；b)施加溶劑溶脹組合物至該包括一個(gè)或多個(gè)聚合物和多個(gè)通路孔的襯底上以溶脹該一個(gè)或多個(gè)聚合物，該組合物包括n-烷基氨基丙酸鹽和n-烷基氨基雙丙酸鹽中的一個(gè)或多個(gè)、一個(gè)或多個(gè)選自二醇苯基醚或二醇醚的有機(jī)溶劑和一個(gè)或多個(gè)陰離子分散劑；以及c)施加氧化劑至該溶脹的一個(gè)或多個(gè)聚合物以改變多個(gè)通路孔中的一個(gè)或多個(gè)聚合物的表面形態(tài)或者除污。
【IPC分類】C23C18/28, C23C18/16, C23C18/24, C08J7/02, C23C18/20, C23C18/40, C23C18/30, C23C18/04
【公開號(hào)】CN105220132
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510546854
【發(fā)明人】C·P·L·李, D·K·W·葉, M·Cy·唐
【申請(qǐng)人】羅門哈斯電子材料有限公司
【公開日】2016年1月6日
【申請(qǐng)日】2010年8月18日
【公告號(hào)】CN101994105A, EP2287357A2, EP2287357A3, EP2287357B1, US20110064870