[0217]此時，雖然流向簇射頭緩沖室232內(nèi)的清潔氣體不具有大到足以阻塞貫通孔234a的剝離物，但其在對處理空間201內(nèi)的清潔處理中有可能被污染。但是，在簇射頭緩沖室232內(nèi)，由于在氣體引導件235的內(nèi)側部分和共用氣體供給管242的內(nèi)側形成有基于非活性氣體的氣幕，因此，即使被污染的清潔氣體流向簇射頭緩沖室232內(nèi)，該清潔氣體也不會附著在氣體引導件235的下表面(分散板234 Φ相對面)、共用氣體供給管242上。
[0218](本實施方式的效果)
[0219]根據(jù)本實施方式，除了上述第一實施方式中取得的一個或多個效果之外，還取得了以下所示的效果。
[0220](e)根據(jù)本實施方式，對于清潔工序(S112)中的氣體排氣系統(tǒng)而言，在第一清潔工序(S304)中，使第一氣體排氣系統(tǒng)中的第一閥237為關閉狀態(tài)，使第二氣體排氣系統(tǒng)中的第二閥223為打開狀態(tài)，另一方面，在第二清潔工序(S306)中，使第一氣體排氣系統(tǒng)中的第一閥237及第二氣體排氣系統(tǒng)中的第二閥223分別為打開狀態(tài)。因此，第二清潔工序(S306)時，通過第一氣體排氣系統(tǒng)形成的氣流與第二氣體排氣系統(tǒng)形成的氣流的流導差，可以分別可靠地形成:主要通過第二氣體排氣系統(tǒng)排出的清潔氣體的流動、和除此之外通過第一氣體排氣系統(tǒng)排出的清潔氣體的流動。S卩，通過可靠地形成上述清潔氣體的流動，由此即使在對處理空間201內(nèi)的清潔處理中產(chǎn)生剝離物(反應副產(chǎn)物等)的情況下，也能防止發(fā)生該剝離物阻塞分散板234的貫通孔234a這一情況于未然。
[0221]<本發(fā)明的第四實施方式>
[0222]接下來，對本發(fā)明的第四實施方式進行說明。但是，此處，主要是對其與上述第一實施方式、第二實施方式或第三實施方式的區(qū)別點進行說明，省略對其他部分的說明。
[0223]圖10是表不本實施方式的清潔工序的詳細步驟的時序圖。圖11是不意性表不本實施方式的清潔工序中的清潔氣體的流動的說明圖。
[0224](清潔工序:S112)
[0225]本實施方式的清潔工序(S112)中，在完成氣氛置換工序(S302)后，將第二實施方式中說明過的第一清潔工序(S304)和第三實施方式中說明過的第二清潔工序(S306)組合進行。即，在第一清潔工序(S304)中，使第二氣體排氣系統(tǒng)中的第二閥223為打開狀態(tài)，并且使第一氣體排氣系統(tǒng)中的第一閥237也為打開狀態(tài)。此外，在第二清潔工序(S306)中，使第一氣體排氣系統(tǒng)中的第一閥237為打開狀態(tài)，并且使第二氣體排氣系統(tǒng)中的第二閥223也為打開狀態(tài)。
[0226](本實施方式的效果)
[0227]根據(jù)本實施方式，除了上述第一實施方式、第二實施方式或第三實施方式中取得的一個或多個效果之外，還取得了以下所示的效果。
[0228](f)根據(jù)本實施方式，通過利用第一氣體排氣系統(tǒng)形成的氣流和第二氣體排氣系統(tǒng)形成的氣流之間的流導差，從而在第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)中的任意工序中，均能夠防止發(fā)生清潔處理中產(chǎn)生的剝離物(反應副產(chǎn)物等)阻塞分散板234的貫通孔234a這一情況于未然。
[0229]<本發(fā)明的第五實施方式>
[0230]接下來，對本發(fā)明的第五實施方式進行說明。但是，此處，主要是對其與上述各實施方式之間的區(qū)別點進行說明，省略對其他部分的說明。
[0231]圖12是表示本實施方式的清潔工序的詳細步驟的時序圖。
[0232](清潔工序:S112)
[0233]本實施方式的清潔工序(S112)中，在完成氣氛置換工序(S302)后，將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)交替地重復進行。即，分別將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)分成多次，使第一清潔工序和第二清潔工序的組合交替地進行。
[0234]此時，可以考慮將第一清潔工序(S304)的每次處理時間設為例如用重復循環(huán)次數(shù)將第一清潔工序(S304)的總處理時間(規(guī)定時間)均等分割后的時間。即，若將第一清潔工序(S304)的總處理時間(規(guī)定時間)設為“T”，則每次處理時間為“T/重復循環(huán)次數(shù)”。將第二清潔工序(S306)也進行同樣設定。此外，對于第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)的關系而言，可以考慮將各自的每次處理時間設定為相同。
[0235]第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)各自中的清潔氣體的流動可以為上述第一實施方式至第四實施方式中的任一種。
[0236]如上所述，在第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)中，將各工序分成多次并交替地重復進行，由此，如果縮短每次處理時間，則與上述各實施方式相比，每一次中的剝離物(反應副產(chǎn)物等)的量變少。如果剝離物的量變少，則能夠降低分散板234的貫通孔234a中的阻塞的可能性。
[0237]需要說明的是，在本實施方式中，與上述各實施方式同樣地，僅在第二清潔工序(S306)中利用非活性氣體的供給進行向氣體引導件235內(nèi)側部分的氣幕形成，而在第一清潔工序(S304)中停止非活性氣體的供給，但未必限定于此，還可以在第一清潔工序(S304)中也進行非活性氣體的供給。這種情況下，由于非活性氣體持續(xù)流向簇射頭緩沖室232內(nèi)，因此，即使對于如本實施方式這樣的清潔氣體的高速供給轉換而言，也能可靠地保護氣體引導件235的下表面不被過度蝕刻和/或污染。還能可靠地防止剝離物向共用氣體供給管242的侵入。
[0238]此外，在如本實施方式那樣地將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)交替地重復進行的情況下，將氣體引導件235的前端與分散板234之間的距離靠近配置是理想的。如果氣體引導件235的前端與分散板234之間的距離近，則與該距離遠的情形相比，形成下述結構:在氣體引導件235的前端近旁滯留的氣體的量(分量)較少，能夠迅速地進行氣體排氣。因此，即使在將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)交替地進行重復的情況下，也能夠不費時間地進行各工序的轉換，結果是能夠有效率地進行整個清潔工序(S112)。
[0239](本實施方式的效果)
[0240]根據(jù)本實施方式，除了上述第一實施方式、第二實施方式、第三實施方式或第四實施方式中取得的一個或多個效果之外，還取得了以下所示的效果。
[0241](g)根據(jù)本實施方式，在清潔工序(S112)中，通過將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)分成多次并交替地重復進行，從而能夠縮短每次處理時間。因此，在第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)的各工序中，能夠減少每一次中的剝離物(反應副產(chǎn)物等)的量，由此，能夠進一步降低分散板234的貫通孔234a中的阻塞的可能性。
[0242]<本發(fā)明的第六實施方式>
[0243]接下來，對本發(fā)明的第六實施方式進行說明。但是，此處，主要是對其與上述第五實施方式之間的區(qū)別點進行說明，省略對其他部分的說明。
[0244](清潔工序:S112)
[0245]在本實施方式的清潔工序(S112)中，也與上述第五實施方式同樣地，將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)分成多次并交替地重復進行。但是，在第五實施方式中，是將各工序(S304、S306)的每次處理時間設為用重復循環(huán)次數(shù)將總處理時間(規(guī)定時間)均等地分割后的時間。與此相對，在本實施方式中，與第五實施方式不同，每次處理時間并不均等，將時間在各次中進行可變地設定。
[0246]具體而言，例如，對于第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)的各工序而言，可以考慮按照清潔初期每次的處理時間短、清潔末期每次的處理時間長的方式使各次的處理時間慢慢地變化。這樣的話，能夠在容易產(chǎn)生剝離物(反應副產(chǎn)物等)的清潔初期縮短每次處理時間，降低分散板234的貫通孔234a中的阻塞的可能性，并且能對簇射頭230內(nèi)及處理空間201內(nèi)的各個充分且良好地進行清潔處理。但是，未必限定于這樣的方案，例如，對于第一清潔工程(S304)和第二清潔工序(S306)的各工序而言，還可以按照清潔初期每次的處理時間長、清潔末期每次的處理時間短的方式使各次的處理時間慢慢變化。
[0247]需要說明的是，在本實施方式中，對于如何使各次的處理時間變化而言，只要考慮成膜處理中使用的處理條件、氣體種類等，預先適當設定即可。
[0248](本實施方式的效果)
[0249]根據(jù)本實施方式，除了上述第五實施方式中取得的一個或多個效果之外，還取得了以下所示的效果。
[0250](h)根據(jù)本實施方式，在清潔工序(S112)中，在將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)分成多次并交替地重復進行的情況下，通過將各次的處理時間進行可變地設定，從而能夠?qū)崿F(xiàn)與成膜處理中使用的處理條件、氣體種類等相適應的重復循環(huán)。即，能夠確保對成膜處理中使用的處理條件、氣體種類等的通用性，并且能對簇射頭230內(nèi)及處理空間201內(nèi)的各個充分且良好地進行清潔處理。
[0251]<本發(fā)明的其他實施方式>
[0252]以上，對本發(fā)明的各實施方式進行了具體說明，但本發(fā)明并不限定于上述的各實施方式，在不脫離其主旨的范圍內(nèi)可以進行各種變化。
[0253]例如，上述各實施方式中，將僅將第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)進行相同時間的情形列舉為例子，但本發(fā)明并不限定于此。即，還可以根據(jù)成膜處理中使用的處理條件、氣體種類等使第一清潔工序(S304)和第二清潔工序(S306)的處理時間互不相同。此外，例如，上述各實施方式中，將在進行第一清潔工序(S304)后進行第二清潔工序(S306)的情形列舉為例子，但將他們以相反的順序進行也是可以實現(xiàn)的。
[0254]此外，例如，上述各實施方式中，作為襯底處理裝置100進行的成膜處理，將下述情形列舉為例子，所述情形為:使用Si2ci6氣體作為原料氣體(第一處理氣體)，使用順3氣體作為反應氣體(第二處理氣體)，將它們進行交替地供給，由此在晶片200上形成SiN膜，但本發(fā)明并不限定于此。即，成膜處理中使用的處理氣體并不限定于Si2Cl6氣體、見13氣體等，還可以使用其他種類的氣體從而形成其他種類的薄膜。進而，即使在使用3種以上的處理氣體的情況下，只要將它們交替地供給并進行成膜處理，也能適用于本發(fā)明。
[0255]此外，例如，上述各實施方式中，作為襯底處理裝置100進行的處理將成膜處理列舉為例子，但本發(fā)明并不限定于此。即，除成膜處理之外，還可以為形成氧化膜、氮化膜的處理，形成包含金屬的膜的處理。此外，并不限定襯底處理的具體內(nèi)容，不只是成膜處理，也能優(yōu)選地適用于退火處理、氧化處理、氮化處理、擴散處理、光刻處理等其他襯底處理。進而，本發(fā)明也能優(yōu)選地適用于其他襯底處理裝置，例如退火處理裝置、氧化處理裝置、氮化處理裝置、曝光裝置、涂布裝置、干燥裝置、加熱裝置、利用了等離子體的處理裝置等其他襯底處理裝置。此外，本發(fā)明可以將這些裝置混在一起。此外，可以將某個實施方式的構成的一部分置換成其他實施方式的構成，此外，也可以在某個實施方式的構成上附加其他實施方式的構成。此外，對各實施方式的構成的一部分也可以進行其他構成的追加、削除、置換。
[0256]<本發(fā)明的優(yōu)選方案>
[0257]以下，附記本發(fā)明的優(yōu)選方案。
[0258][附記1]
[0259]根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種襯底處理裝置，其具有:
[0260]處理空間，其對襯底進行處理；
[0261]簇射頭緩沖室，其隔著設置有貫通孔的分散板而與所述處理空間相鄰；
[0262]非活性氣體供給系統(tǒng)，其向所述簇射頭緩沖室內(nèi)供給非活性氣體；
[0263]處理空間清潔氣體供給系統(tǒng)，其向所述處理空間內(nèi)供給清潔氣體；
[0264]控制部，其控制所述非活性氣體供給系統(tǒng)及所述處理空間清潔氣體供給系統(tǒng)，使得向所述處理空間供給清潔氣體和向所述簇射頭緩沖室供給非活性氣體同時進行。
[0265][附記2]
[0266]優(yōu)選地，提供一種附記1所述的襯底處理裝置，其中，
[0267]在所述簇射頭緩沖室內(nèi)具有供給清潔氣體的緩沖室清潔氣體供給系統(tǒng)，
[0268]所述控制部以進行下述工序的方式控制各氣體供給系統(tǒng)，所述工序為:
[0269]第一清潔工序，其利用所述緩沖室清潔氣體供給系統(tǒng)向所述簇射頭緩沖室內(nèi)供給清潔氣體，和
[0270]第二清潔工序，其利用所述處理空間清潔氣體供給系統(tǒng)向所述處理空間內(nèi)供給清潔氣體、并且利用所述非活性氣體供給系統(tǒng)向所述簇射頭緩沖室內(nèi)供給非活性氣體。
[0271][附記3]
[0272]優(yōu)選地，提供一種附記2所述的襯底處理裝置，其中，
[0273]具有將所述簇射頭緩沖室內(nèi)的氣體排出的第一氣體排氣系統(tǒng)和將所述處理空間內(nèi)的氣體排出的第二氣體排氣系統(tǒng)，
[0274]所述控制部以下述方式控制各氣體供給系統(tǒng)及各氣體排氣系統(tǒng)，所述方式為:
[0275]在所述第一清潔工序中，使所述第一氣體排氣系統(tǒng)中的第一閥為關閉狀態(tài)，使所述第二氣體排氣系統(tǒng)中的第二閥為打開狀態(tài)，
[0276]在所述第二清潔工序中，使所述第一閥為打開狀態(tài)，使所述第二閥為關閉狀態(tài)。
[0277][附記4]
[0278]優(yōu)選地，提供一種附記2或3所述的襯底處理裝置，其中，
[0279]所述控制部以將所述第一清潔工序和所述第二清潔工序交替地重復進行的方式至少對所述各氣體供給系統(tǒng)進行控制。
[0280][附記5]
[0281]根據(jù)本發(fā)明的一個方案，提供一種襯底處理裝置，其具有:
[0282]處理空間，其對載置于襯底載置面的襯底進行處理；
[0283]簇射頭緩沖室，其經(jīng)由設置于分散板上的多個貫通孔而與所述處理空間連通，并內(nèi)置有氣體引導件，所述分散板位于所述襯底載置面的上方側，所述氣體引導件將從所述分散板的上方側供給的氣體朝向所述處理空間進行引導；
[0284]非活性氣體供給系統(tǒng)，其向所述簇射頭緩沖室內(nèi)供給非活性氣體；
[0285]緩沖室清潔氣體供給系統(tǒng)，其向所述簇射頭緩沖室內(nèi)供給清潔氣體；
[0286]處理空間清潔氣體供給系統(tǒng)，其向所述處理空間內(nèi)供給清潔氣體；
[0287]第一氣體排氣系統(tǒng)，其將所述簇射頭緩沖室內(nèi)的氣體排出；
[0288]第二氣體排氣系統(tǒng)，其將所述處理空間內(nèi)的氣體排出；
[0289]控制部，其控制各氣體供給系統(tǒng)及各氣體排氣系統(tǒng)的動作，使得至少在利用所述處理空間清潔氣體供給系統(tǒng)向所述處理空間內(nèi)供給清潔氣體