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      氧化物半導(dǎo)體膜及其制造方法_5

      文檔序號(hào):9568255閱讀:來源:國(guó)知局
      7設(shè)置在電極796上。
      [0215] 像這樣,可以提供高顯示質(zhì)量的顯示裝置。
      [0216] 〈存儲(chǔ)器1> 下面,參照?qǐng)D22A和22B說明包括上述晶體管的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的存儲(chǔ)單元的電路結(jié) 構(gòu)及其工作。
      [0217] 注意,半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置包括存儲(chǔ)單元,有時(shí)還包括配置于與設(shè)置有存儲(chǔ)單元的襯 底不同的襯底上的驅(qū)動(dòng)電路和電源電路等。
      [0218] 圖22A是示出存儲(chǔ)單元500的例子的電路圖。
      [0219] 圖22A所示的存儲(chǔ)單元500包括晶體管511、晶體管512、晶體管513以及電容器 514。雖然圖22A中未示出,但是實(shí)際上多個(gè)存儲(chǔ)單元500設(shè)置為矩陣狀。
      [0220] 晶體管511的柵極與寫入字線WWL連接。晶體管511的源極和漏極中的一個(gè)與位 線BL連接。晶體管511的源極和漏極中的另一個(gè)與浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN連接。
      [0221] 晶體管512的柵極與浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN連接。晶體管512的源極和漏極中的一個(gè)與晶 體管513的源極和漏極中的一個(gè)連接。晶體管512的源極和漏極中的另一個(gè)與電源線SL 連接。
      [0222] 晶體管513的柵極與讀出字線RWL連接。晶體管513的源極和漏極中的另一個(gè)與 位線BL連接。
      [0223] 電容器514的一個(gè)電極與浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN連接。電容器514的另一個(gè)電極被供應(yīng)固 定電位。
      [0224] 字信號(hào)供應(yīng)給寫入字線WWL。
      [0225] 字信號(hào)是使晶體管511成為導(dǎo)通狀態(tài)以將位線BL的電壓供應(yīng)給浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的信 號(hào)。
      [0226] 注意,"對(duì)存儲(chǔ)單元寫入數(shù)據(jù)"是指控制供應(yīng)給寫入字線WWL的字信號(hào),以便浮動(dòng)節(jié) 點(diǎn)FN的電位成為對(duì)應(yīng)于位線BL的電壓的電位。此外,"從存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)"是指控制供 應(yīng)給讀出字線RWL的讀出信號(hào),以便位線BL的電壓成為對(duì)應(yīng)于浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位的電壓。
      [0227] 多值數(shù)據(jù)供應(yīng)給位線BL。此外,用來讀出數(shù)據(jù)的放電電壓Vdlseh"ge供應(yīng)給位線BL。
      [0228] 多值數(shù)據(jù)是k位(k-bit) (k是2或更大的整數(shù))的數(shù)據(jù)。具體而言,2位的數(shù)據(jù)是 四值數(shù)據(jù),即,具有四個(gè)階段的電壓中的任一個(gè)的信號(hào)。
      [0229] 放電電壓VdlsAal^是對(duì)位線BL供應(yīng)而讀出數(shù)據(jù)的電壓。在供應(yīng)放電電壓V dl%hal^ 之后,位線BL成為電浮動(dòng)狀態(tài)。放電電壓Vdlseh"ge是對(duì)位線BL供應(yīng)而使位線BL初始化的 電壓。
      [0230] 讀出信號(hào)供應(yīng)給讀出字線RWL。
      [0231] 讀出信號(hào)是對(duì)晶體管513的柵極供應(yīng)而選擇性地從存儲(chǔ)單元讀出數(shù)據(jù)的信號(hào)。
      [0232] 浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN相當(dāng)于將電容器514的一個(gè)電極、晶體管511的源極和漏極中的另一 個(gè)電極以及晶體管512的柵極連接的布線上的任一個(gè)節(jié)點(diǎn)。
      [0233] 浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位基于對(duì)位線BL供應(yīng)的多值數(shù)據(jù)。當(dāng)晶體管511處于非導(dǎo)通狀 態(tài)時(shí),浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN處于電浮動(dòng)狀態(tài)。
      [0234] 電源線SL被供應(yīng)比供應(yīng)給位線BL的放電電壓Vdlseh"ge高的預(yù)充電電壓V praeh"ge。
      [0235] 另外,至少在從存儲(chǔ)單元500讀出數(shù)據(jù)的期間中,電源線SL的電壓需為預(yù)充電電 壓Vp_ha_。因此,在數(shù)據(jù)寫入存儲(chǔ)單元500的期間及/或不進(jìn)行數(shù)據(jù)讀出或?qū)懭氲钠陂g中, 電源線SL可以被供應(yīng)放電電壓Vdl%hal^,以便位線BL與電源線SL具有相同電位。通過該 結(jié)構(gòu),可以降低在位線BL與電源線SL之間流動(dòng)的微小的貫通電流。
      [0236] 作為其他結(jié)構(gòu),電源線SL也可以被供應(yīng)與預(yù)充電電壓Vpi^ha_相同的恒電壓。通 過該結(jié)構(gòu),就不需要將電源線SL的電壓在預(yù)充電電壓Vp_hal^與放電電壓V dischargeI ^ 換,因此,可以降低電源線SL的充電及放電時(shí)消費(fèi)的功耗。
      [0237] 預(yù)充電電壓Vp_ha_供應(yīng)給電源線SL,以便通過由晶體管512及晶體管513的充 電改變供應(yīng)給位線BL的放電電壓VdlsAa_。
      [0238] 晶體管511用作通過切換其導(dǎo)通狀態(tài)和非導(dǎo)通狀態(tài)來控制數(shù)據(jù)的寫入的開關(guān)。晶 體管511還具有通過保持非導(dǎo)通狀態(tài)來保持根據(jù)寫入數(shù)據(jù)的電位的功能。注意,在本說明 中晶體管511為η溝道型晶體管。
      [0239] 作為晶體管511,優(yōu)選使用在非導(dǎo)通狀態(tài)下流動(dòng)在源極與漏極之間的電流?。P(guān) 態(tài)電流?。┑木w管。
      [0240] 在圖22Α所示的存儲(chǔ)單元500的結(jié)構(gòu)中,通過保持非導(dǎo)通狀態(tài)來保持根據(jù)寫入數(shù) 據(jù)的電位。因此,尤其優(yōu)選使用關(guān)態(tài)電流低的晶體管作為用來抑制與電荷移動(dòng)同時(shí)引起的 浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN中的電位變動(dòng)的開關(guān)。另外,在后面說明關(guān)態(tài)電流低的晶體管的關(guān)態(tài)電流的評(píng) 價(jià)方法。
      [0241] 當(dāng)關(guān)態(tài)電流低的晶體管用作晶體管511,并存儲(chǔ)單元500保持非導(dǎo)通狀態(tài)時(shí),該存 儲(chǔ)單元500可以為非易失性存儲(chǔ)器。因此,數(shù)據(jù)一旦寫入存儲(chǔ)單元500,該數(shù)據(jù)則直到晶體 管511再次處于導(dǎo)通狀態(tài)為止可以被保持在浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN中。
      [0242] 在晶體管512中,漏電流Id根據(jù)浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位在源極與漏極之間流動(dòng)。注 意,在圖22A所示的存儲(chǔ)單元500中,在晶體管512的源極與漏極之間流動(dòng)的漏電流Id是 在位線BL與電源線SL之間流動(dòng)的電流。此外,晶體管512也稱為第二晶體管。在本說明 中,晶體管512為η溝道型晶體管。
      [0243] 在晶體管513中,漏電流Id根據(jù)讀出字線RWL的電位在源極與漏極之間流動(dòng)。注 意,在圖22A所示的存儲(chǔ)單元500中,在晶體管513的源極與漏極之間流動(dòng)的漏電流Id是 在位線BL與電源線SL之間流動(dòng)的電流。此外,晶體管513也稱為第三晶體管。在本說明 中,晶體管513為η溝道型晶體管。
      [0244] 晶體管512及晶體管513優(yōu)選具有偏差小的閾值電壓。在此,閾值電壓的偏差小 的晶體管是指在同一過程中制造且所允許的閾值電壓的差異為20mV或更小的晶體管;該 晶體管的具體例子是在溝道中使用單晶硅而形成的晶體管。當(dāng)然,閾值電壓的偏差越小越 好;但是,上述包括單晶硅的晶體管也有可能有20mV左右的閾值電壓的差。
      [0245] 接著,說明圖22A所示的存儲(chǔ)單元500的工作。
      [0246] 圖22B是示出供應(yīng)給圖22A所示的寫入字線WWL、讀出字線RWL、浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN、位線 BL以及電源線SL的信號(hào)的變化的時(shí)序圖。
      [0247] 在圖22B的時(shí)序圖中示出如下期間:初始狀態(tài)的期間T1 ;以及將位線BL充電而進(jìn) 行數(shù)據(jù)讀出的期間T2。
      [0248] 在圖22B的期間T1中,位線BL的電荷被放電。此時(shí),寫入字線WWL被供應(yīng)L電 平(low-level,低電平)的電位。讀出字線RWL被供應(yīng)L電平的電位。浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN保持 對(duì)應(yīng)于多值數(shù)據(jù)的電位。位線BL被供應(yīng)放電電壓Vdls^_。電源線SL被供應(yīng)預(yù)充電電壓 Vprecharge 0
      [0249] 另外,作為多值數(shù)據(jù)的例子,2位數(shù)據(jù)、即四值數(shù)據(jù)顯示在圖22B中。具體而言,四 值數(shù)據(jù)顯示在圖22B中,該數(shù)據(jù)能夠以四個(gè)階段的電位來表示。
      [0250] 在被供應(yīng)放電電壓Vdlsge之后,位線BL成為電浮動(dòng)狀態(tài)。也就是說,位線BL成 為由電荷的充電或放電電位變動(dòng)的狀態(tài)。該浮動(dòng)狀態(tài)可以通過將對(duì)位線BL供應(yīng)電位的開 關(guān)關(guān)閉來實(shí)現(xiàn)。
      [0251] 接著,在圖22B的期間T2中,位線BL的電荷被充電而讀出數(shù)據(jù)。此時(shí),與之前的 期間同樣,寫入字線WWL被供應(yīng)L電平的電位。讀出字線RWL被供應(yīng)Η電平(high-level, 高電平)的電位。與之前的期間同樣,在浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN中,保持對(duì)應(yīng)于多值數(shù)據(jù)的電位。在 位線BL中,放電電壓Vd_h_根據(jù)浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位而上升。與之前的期間同樣,電源線 SL被供應(yīng)預(yù)充電電壓 Vprecharge 0
      [0252] 晶體管513根據(jù)讀出字線RWL的電位的變化成為導(dǎo)通狀態(tài)。因此,晶體管512的 源極和漏極中的一個(gè)的電位降低而成為放電電壓VdlsAa_。
      [0253] 晶體管512是η溝道型晶體管,當(dāng)晶體管512的源極和漏極中的一個(gè)的電位降低 而成為放電電壓Vd_h_時(shí),柵極與源極之間的電壓(柵極電壓)的絕對(duì)值增大。隨著該柵 極電壓的增大,漏電流Id在晶體管512及513的源極與漏極之間流動(dòng)。
      [0254] 當(dāng)漏電流Id在晶體管512及晶體管513中流動(dòng)時(shí),電源線SL的電荷被蓄積于位 線BL。晶體管512的源極的電位及位線BL的電位由該蓄積而上升。晶體管512的源極的 電位的上升導(dǎo)致晶體管512的柵極電壓的逐漸降低。
      [0255] 當(dāng)晶體管512的柵極電壓到達(dá)閾值電壓時(shí),在期間T2中流動(dòng)的漏電流Id停止流 動(dòng)。因此,位線BL的電位的上升進(jìn)展,當(dāng)晶體管512的柵極電壓到達(dá)閾值電壓時(shí),充電結(jié)束, 位線BL的電位具有恒電位。此時(shí)的位線BL的電位大致對(duì)應(yīng)于浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位與閾值 電壓之差。
      [0256] 也就是說,浮動(dòng)節(jié)點(diǎn)FN的電位可以反映由上述充電而變化的位線BL的電位。該 電位的不同用來判斷多值數(shù)據(jù)。通過該方式,可以讀出寫入存儲(chǔ)單元500的多值數(shù)據(jù)。
      [0257] 由此,能夠從存儲(chǔ)單元讀出多值數(shù)據(jù),而無需根據(jù)多值數(shù)據(jù)的個(gè)數(shù)切換用來讀出 數(shù)據(jù)的信號(hào)。
      [0258] 〈存儲(chǔ)器2> 參照?qǐng)D23A和23B說明與存儲(chǔ)器1不同的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置的電路結(jié)構(gòu)及其工作。
      [0259] 作為本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置,存儲(chǔ)裝置600顯示在圖23A中。圖23A 所示的存儲(chǔ)裝置600包括存儲(chǔ)元件部602、第一驅(qū)動(dòng)電路604以及第二驅(qū)動(dòng)電路606。
      [0260] 在存儲(chǔ)元件部602中多個(gè)存儲(chǔ)元件608被配置為矩陣狀。在圖23A所示的例子中, 在存儲(chǔ)元件部602中存儲(chǔ)元件608被配置為5行6列。
      [0261] 第一驅(qū)動(dòng)電路604及第二驅(qū)動(dòng)電路606控制對(duì)存儲(chǔ)元件608的信號(hào)供應(yīng),在讀出 時(shí)取得來自存儲(chǔ)元件608的信號(hào)。例如,第一驅(qū)動(dòng)電路604用作字線驅(qū)動(dòng)電路,第二驅(qū)動(dòng)電 路606用作位線驅(qū)動(dòng)電路。注意,本發(fā)明的一個(gè)方式不局限于此,第一驅(qū)動(dòng)電路604及第二 驅(qū)動(dòng)電路606也可以分別用作位線驅(qū)動(dòng)電路及字線驅(qū)動(dòng)電路。
      [0262] 第一驅(qū)動(dòng)電路604及第二驅(qū)動(dòng)電路606通過布線與存儲(chǔ)元件608電連接。
      [0263] 存儲(chǔ)元件608各包括易失性存儲(chǔ)器及非易失性存儲(chǔ)器。圖23B示出存儲(chǔ)元件608 的具體電路結(jié)構(gòu)的具體例子。圖23B所示的存儲(chǔ)元件608包括第一存儲(chǔ)電路610及第二存 儲(chǔ)電路612。
      [0264] 第一存儲(chǔ)電路610包括第一晶體管614、第二晶體管616、第三晶體管618、第四晶 體管620、第五晶體管622以及第六晶體管624。
      [0265] 首先,說明第一存儲(chǔ)電路610的結(jié)構(gòu)。第一晶體管614的源極和漏極中的一個(gè)電 連接于第一端子630,第一晶體管614的柵極電連接于第二端子632。第二晶體管616的源 極和漏極中的一個(gè)電連接于高電位電源線Vdd。第二晶體管616的源極和漏極中的另一個(gè) 電連接于第一晶體管614的源極和漏極中的另一個(gè)、第三晶體管618的源極和漏極中的一 個(gè)及第一數(shù)據(jù)保持部640。第三晶體管618的源極和漏極中的另一個(gè)電連接于低電位電源 線Vss。第二晶體管616的柵極和第三晶體管618的柵極電連接于第二數(shù)據(jù)保持部642。
      [0266] 第四晶體管620的源極和漏極中的一個(gè)電連接于第三端子634。第四晶體管620 的柵極電連接于第四端子636。第五晶體管622的源極和漏極中的一個(gè)電連接于高電位電 源線Vdd。第五晶體管622的源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第四晶體管620的源極和漏 極中的另一個(gè)、第六晶體管624的源極和漏極中的一個(gè)及第二數(shù)據(jù)保持部642。第六晶體管 624的源極和漏極中的另一個(gè)電連接于低電位電源線Vss。第五晶體管622的柵極和第六 晶體管624的柵極電連接于第一數(shù)據(jù)保持部640。
      [0267] 第一晶體管614、第三晶體管618、第四晶體管620及第六晶體管624是η溝道型 晶體管。
      [0268] 第二晶體管616及第五晶體管622是ρ溝道型晶體管。
      [0269] 第一端子630電連接于位線。第二端子632電連接于第一字線。第三端子634電 連接于反轉(zhuǎn)位線。第四端子636電連接于第一字線。
      [0270] 具有如上所說明的結(jié)構(gòu)的第一存儲(chǔ)電路610是SRAM。就是說,第一存儲(chǔ)電路610 是易失性存儲(chǔ)器。在本發(fā)明的一個(gè)方式的存儲(chǔ)裝置600中,設(shè)置在第一存儲(chǔ)電路610中的 第一數(shù)據(jù)保持部640及第二數(shù)據(jù)保持部642電連接于第二存儲(chǔ)電路612。
      [0271] 第二存儲(chǔ)電路612包括第七晶體管626以及第八晶體管628。
      [0272] 接著,說明第二存儲(chǔ)電路612的結(jié)構(gòu)。第七晶體管626的源極和漏極中的一個(gè)電 連接于第二數(shù)據(jù)保持部642。第七晶體管626的源極和漏極中的另一個(gè)電連接于第一電容 器648的一個(gè)電極。第一電容器648的另一個(gè)電極電連接于低電位電源線Vss。第八晶體 管628的源極和漏極中的一個(gè)電連接于第一數(shù)據(jù)保持部640。第八晶體管628的源極和漏 極中的另一個(gè)電連接于第二電容器650中的一個(gè)電極。第二電容器650的另一個(gè)電極電連 接于低電位電源線Vss。第七晶體管626的柵極及第八晶體管628的柵極電連接于第五端 子 638。
      [0273] 第五端子638電連接于第二字線。注意,第一字線和第二字線中的一個(gè)的信號(hào)也 可以被另一個(gè)的工作控制,他們也可以彼此獨(dú)立地被控制。
      [0274] 第七晶體管626及第八晶體管628都是關(guān)態(tài)電流低的晶體管。在圖23B所示的結(jié) 構(gòu)中,第七晶體管626及第八晶體管628是η溝道型晶體管;但是,本發(fā)明的一個(gè)方式不局 限于此。
      [0275] 第三數(shù)據(jù)保持部644形成在第七晶體管626與第一電容器648的一個(gè)電極之間。 第四數(shù)據(jù)保持部646形成在第八晶體管628與第二電容器650的一個(gè)電極之間。由于第七 晶體管626及第八晶體管628的關(guān)態(tài)電流小,所以可以長(zhǎng)時(shí)間保持第三數(shù)據(jù)保持部644及 第四數(shù)據(jù)保持部646中的電荷。就是說,第二存儲(chǔ)電路612是非易失性存儲(chǔ)器。
      [0276] 如上所述,第一存儲(chǔ)電路610是易失性存儲(chǔ)器,第二存儲(chǔ)電路612是非易失性存儲(chǔ) 器。第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù)保持部的第一數(shù)據(jù)保持部640及第二數(shù)據(jù)保持部642通過關(guān) 態(tài)電流低的晶體管電連接于第二存儲(chǔ)電路612的數(shù)據(jù)保持部的第三數(shù)據(jù)保持部644及第四 數(shù)據(jù)保持部646。因此,通過控制關(guān)態(tài)電流低的晶體管的柵極電位,第一存儲(chǔ)電路610的數(shù) 據(jù)還可保存在第二存儲(chǔ)電路612的數(shù)據(jù)保持部中。另外,通過使用關(guān)態(tài)電流的晶體管,即使 對(duì)存儲(chǔ)元件608沒有供應(yīng)電力,也可以在第三數(shù)據(jù)保持部644及第四數(shù)據(jù)保持部646中長(zhǎng) 期間保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
      [0277] 通過上述方式,在圖23B所示的存儲(chǔ)元件608中,易失性存儲(chǔ)器的數(shù)據(jù)可以保存在 非易失性存儲(chǔ)器中。
      [0278] 第一存儲(chǔ)電路610是SRAM,所以被要求高速工作。另一方面,第二存儲(chǔ)電路612在 停止電力的供應(yīng)之后被需要長(zhǎng)期間保持?jǐn)?shù)據(jù)。通過使用能夠進(jìn)行高速工作的晶體管形成第 一存儲(chǔ)電路610并且使用關(guān)態(tài)電流低的晶體管形成第二存儲(chǔ)電路612,可以滿足上述需要。 例如,第一存儲(chǔ)電路610也可以使用包括硅的晶體管形成,第二存儲(chǔ)電路612也可以使用包 括氧化物半導(dǎo)體膜的晶體管形成。
      [0279] 在本發(fā)明的一個(gè)方式的存儲(chǔ)裝置600中,當(dāng)使第一晶體管614及第四晶體管620 導(dǎo)通以便數(shù)據(jù)寫入到易失性存儲(chǔ)器的第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù)保持部時(shí),在第二存儲(chǔ)電路 612所包括的第七晶體管626及第八晶體管628處于導(dǎo)通狀態(tài)的情況下,需要在第二存儲(chǔ)電 路612所包括的第一電容器648及第二電容器650中儲(chǔ)存電荷,以便第一存儲(chǔ)電路610中 的數(shù)據(jù)保持部(第一數(shù)據(jù)保持部640及第二數(shù)據(jù)保持部642)各保持所定的電位。由此,當(dāng) 數(shù)據(jù)寫入到第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù)保持部時(shí)處于導(dǎo)通狀態(tài)的第七晶體管626和第八晶體 管628阻礙存儲(chǔ)元件608的高速工作。在第二存儲(chǔ)電路612使用包括硅的晶體管形成的情 況下,難以充分降低關(guān)態(tài)電流,不容易長(zhǎng)期間在第二存儲(chǔ)電路612中保持所存儲(chǔ)的數(shù)據(jù)。
      [0280] 于是,在本發(fā)明的一個(gè)方式的半導(dǎo)體存儲(chǔ)裝置中,當(dāng)數(shù)據(jù)寫入到第一存儲(chǔ)電路610 的數(shù)據(jù)保持部(易失性存儲(chǔ)器)時(shí),位于第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù)保持部與第二存儲(chǔ)電路 612的數(shù)據(jù)保持部之間的晶體管(即,第七晶體管626及第八晶體管628)關(guān)閉。通過上述 方式,可以實(shí)現(xiàn)存儲(chǔ)元件608的高速工作。此外,當(dāng)對(duì)/從第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù)保持部 不進(jìn)行寫入及讀出(即,第一晶體管614及第四晶體管620關(guān)閉)時(shí),位于第一存儲(chǔ)電路 610的數(shù)據(jù)保持部與第二存儲(chǔ)電路612的數(shù)據(jù)保持部之間的晶體管導(dǎo)通。
      [0281] 以下說明對(duì)存儲(chǔ)元件608的易失性存儲(chǔ)器寫入數(shù)據(jù)的具體工作。首先,使處于導(dǎo) 通狀態(tài)的第七晶體管626及第八晶體管628關(guān)閉。接著,使第一晶體管614及第四晶體管 620導(dǎo)通,來對(duì)第一存儲(chǔ)電路610中的數(shù)據(jù)保持部(第一數(shù)據(jù)保持部640及第二數(shù)據(jù)保持 部642)供應(yīng)所定的電位,然后使第一晶體管614及第四晶體管620關(guān)閉。之后,使第七晶 體管626及第八晶體管628導(dǎo)通。通過上述方式,對(duì)應(yīng)于保持在第一存儲(chǔ)電路610的數(shù)據(jù) 保持部中的數(shù)據(jù)的數(shù)據(jù)被保持在第二存儲(chǔ)電路612的數(shù)據(jù)保持部中。
      [0282] 當(dāng)
      當(dāng)前第5頁1 2 3 4 5 6 
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