程中，真空處理室Ia的壓力（全壓）保持為大致固定。真空室1的 底部連接有與真空排氣裝置P連通的排氣管8,該真空排氣裝置P由渦輪分子栗或旋轉(zhuǎn)栗等 構(gòu)成。上述濺射裝置SM具有圖中雖然未示出但是是公知的控制裝置，該控制裝置具有微電 腦或音序器等，通過控制裝置統(tǒng)一管理電源E的運(yùn)行、質(zhì)量流量控制器71的運(yùn)行和真空排 氣裝置P的運(yùn)行等。下面對以氧化鎂靶為絕緣體靶2,使用安裝有該靶2的濺射裝置SM在 基板W表面上形成氧化鎂膜的成膜方法進(jìn)行說明。
[0023] 首先，將基板W配置在真空室1內(nèi)的臺架6上，真空室1內(nèi)組裝有靶2,之后啟動(dòng)真 空排氣裝置P將真空處理室Ia內(nèi)抽真空到規(guī)定的真空度（例如1X10 5Pa)。當(dāng)真空處理室 Ia內(nèi)達(dá)到規(guī)定的壓力后，控制質(zhì)量流量控制器71以規(guī)定流量導(dǎo)入氬氣（此時(shí)，真空處理室 Ia的壓力在0. 01~30Pa的范圍內(nèi)）。與之配合由濺射電源E向靶2施加帶負(fù)電位的交流 電，在真空室1內(nèi)形成等離子體。以此濺射靶材21的濺射面2a，使飛散了的濺射粒子附著 并沉積在基板W的表面上形成氧化鎂膜。
[0024] 此處，根據(jù)本實(shí)施方式，以相同材料的靶材21和支撐件22構(gòu)成靶2,距離支撐件 22的延伸部22a以規(guī)定間隔配置屏蔽件5,支撐件22的厚度T 2、T3大于等于靶材21的板厚 度!\，因此如上述以往的例子那樣靶的外周部厚度減小不同，當(dāng)向絕緣體靶2施加交流電對 濺射面2a進(jìn)行濺射時(shí)，支撐件22的阻抗大于等于靶材21的阻抗。由此，可防止在靶2和 屏蔽件5之間發(fā)生放電，即可防止等離子體繞到靶2的側(cè)面，可防止靶以外的部件被濺射。
[0025] 以上對本發(fā)明的實(shí)施方式進(jìn)行了說明，但本發(fā)明并不受上述限定。在上述實(shí)施方 式中，靶材21和支撐件22是一體成型的，但也可將兩部件分別形成并連接，這種情況下可 提高靶2的加工性。進(jìn)而，如圖3(a)所示，靶材21和支撐件22也可用不同材料形成。在 這種情況下，如果支撐件22采用介電常數(shù)低于靶材21的材料（例如石英或玻璃環(huán)氧樹脂 等）制成的話，則形成的支撐件22的厚度T 2、T3也可以比靶材21的板厚度T ，可進(jìn)一步 提高加工性。而且，由于支撐件22不會被濺射，所以也不會造成污染。再有，支撐件的形狀 并無特別限定，如圖3 (b)所示，支撐件23的延伸部23a以外的部分即與靶材21相連的部 分也可形成圓錐狀。另外，雖然是以氧化鎂為例對靶材21的材質(zhì)進(jìn)行說明，但并不僅限于 此，可根據(jù)所要形成的薄膜適當(dāng)選擇氧化鋁等其他絕緣體。
[0026] 接著，為檢驗(yàn)上述效果，使用上述濺射裝置SM進(jìn)行了接下來的實(shí)驗(yàn)。在本實(shí)驗(yàn)中， 使用Φ 300_的Si基板作為基板W，在將基板W配置在安裝了氧化鎂靶2的真空室1內(nèi)的 臺架6上后，通過濺射法在基板W表面形成了氧化鎂膜。這種情況的條件如下。即設(shè)置靶材 21的板厚度!\為3mm，支撐件22的厚度T 2為4mm，厚度T 3為4mm，氬氣的流量為2〇SCCm (此 時(shí)的真空處理室Ia內(nèi)的壓力是大約0· 4Pa)，施加給靶2的電力為13. 56MHz、0. 5kW。測量 了這樣成膜后的粒子數(shù)的結(jié)果在表1中的"本發(fā)明"項(xiàng)下示出。由此，尺寸在〇. 09 μ m以下 的粒子數(shù)穩(wěn)定在10個(gè)以下，由此，可防止靶2和屏蔽件5之間發(fā)生放電，可知靶以外的部件 沒有被濺射。
[0027] 【表1】
[0029]與之相對，除了按上述以往的例子那樣使用靶外周部厚度減小的靶這一點(diǎn)外，其 他條件均與上述相同進(jìn)行濺射成膜。這種情況下測量的粒子數(shù)的結(jié)果也一并示出在表1的 "以往例子"項(xiàng)下。由此，確認(rèn)了粒子數(shù)多達(dá)100個(gè)以上（200個(gè)~600個(gè)），靶和屏蔽件之 間發(fā)生放電。
[0030] 另外，基板W的尺寸并不僅限為Φ300ι?πι，例如可使用Φ150ι?πι~300mm的基板。 再有，靶的半徑也沒有特殊限定，可考慮成膜特性和生產(chǎn)效率來適當(dāng)設(shè)定，例如可設(shè)定在 Φ 120~400mm的范圍內(nèi)。
[0031] 附圖標(biāo)記說明
[0032] SM.濺射裝置，2.絕緣體靶，2a.濺射面，21.靶材，22.支撐件，22a.延伸部，5.屏 蔽件，T1.靶材的厚度，T2、T3.支撐件的厚度。
【主權(quán)項(xiàng)】
1. 一種絕緣體材質(zhì)濺射靶，是在濺射裝置中使用的絕緣體靶，其特征在于： 在將該絕緣體靶組裝到濺射裝置上時(shí)，其周圍配置有屏蔽件； 所述絕緣體靶具有：板狀的靶材，其被屏蔽件環(huán)繞；以及環(huán)狀的支撐件，以靶材的一面 為進(jìn)行濺射的濺射面，該支撐件具有與靶材的另一面的外周邊部相連接、從靶材的周面向 外伸出并距離屏蔽件規(guī)定間隔的延伸部； 在向絕緣體靶施加交流電對濺射面進(jìn)行濺射時(shí)，該支撐件的阻抗大于等于靶材的阻 抗。2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體材質(zhì)濺射靶，其特征在于：靶材和支撐件用相同材料 制成，支撐件的板厚度大于等于靶材的厚度。3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的絕緣體材質(zhì)濺射靶，其特征在于：靶材和支撐件用不同材料 形成。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種絕緣體靶，在組裝到濺射裝置上并向其施加交流電時(shí)其可防止在屏蔽件和靶之間的間隙處發(fā)生放電。本發(fā)明的在濺射裝置中使用的絕緣體靶(2)在組裝到濺射裝置SM上時(shí)，在絕緣體靶(2)周圍配置有屏蔽件(5)，絕緣體靶(2)具有板狀的靶材(21)，其被屏蔽件環(huán)繞；以及環(huán)狀的支撐件(22)，以靶材的一面為進(jìn)行濺射的濺射面(2a)，該支撐件(22)具有與靶材的另一面的外周邊部相連接，從靶材的周面向外伸出并距離屏蔽件規(guī)定間隔的延伸部(22a)，在向絕緣體靶施加交流電對濺射面進(jìn)行濺射時(shí)，該支撐件的阻抗大于等于靶材的阻抗。
【IPC分類】C23C14/34
【公開號】CN105408515
【申請?zhí)枴緾N201580001472
【發(fā)明人】小梁慎二, 山本弘輝, 田口洋治, 難波隆宏
【申請人】株式會社愛發(fā)科
【公開日】2016年3月16日
【申請日】2015年6月2日
【公告號】WO2016006155A1