個(gè)以上的情況下也同樣。
[0197]更具體來(lái)說(shuō)，如圖18的(A)、圖18的(B)、圖18的(C)所示，在兩個(gè)靶41在與搬送方向正交的方向、也就是半徑方向上排列的情況下，兩個(gè)靶41的電力變化的時(shí)點(diǎn)相同。但是，使對(duì)遠(yuǎn)離軸的靶41施加的電力升高。
[0198]而且，如圖19的(A)、圖19的(B)、圖19的(C)所示，在兩個(gè)靶41在與搬送方向傾斜地交叉的方向上排列的情況下，使對(duì)更先接近工件W的靶41施加的電力變化的時(shí)點(diǎn)更早。而且，使對(duì)遠(yuǎn)離軸的靶41施加的電力升高。
[0199]而且，如圖20的(A)、圖20的(B)、圖20的(C)所示，在兩個(gè)靶41在與搬送方向相同的方向或搬送方向的切線方向上排列的情況下，使對(duì)更先接近工件W的靶41施加的電力變化的時(shí)點(diǎn)更早。但是，因?yàn)閮蓚€(gè)靶41相對(duì)于軸的距離大致相同，所以施加的電力設(shè)為同等。
[0200](2)成膜裝置也可以具有檢測(cè)距離的傳感器，且電源控制部91連接于傳感器，根據(jù)由傳感器檢測(cè)出的從傳感器到工件W的表面的距離，使第一電源部5施加的電力變化。
[0201]例如，將對(duì)到檢測(cè)對(duì)象的距離進(jìn)行檢測(cè)的傳感器連接于控制裝置9。該傳感器配置在能夠檢測(cè)從傳感器到工件W的表面的距離的位置。例如，作為傳感器，可使用激光傳感器(laser sensor)。而且，例如，可將傳感器設(shè)置在濺射源4之間的真空室21的頂板等。所謂“從傳感器”是指“從指定的基準(zhǔn)位置”，根據(jù)傳感器的距離的運(yùn)算方法而不同。例如，能夠?qū)鞲衅飨卤砻嬖O(shè)為指定的基準(zhǔn)位置，但并不限定于此。
[0202]圖21的(A)、圖21的⑶、圖21的(C)、圖22的(A)、圖22的⑶、圖22的(C)表示利用傳感器K進(jìn)行的到工件W表面的距離的測(cè)量。圖21的(A)、圖21的(B)、圖22的(A)、圖22的⑶是表示測(cè)量工件W的緣部的狀態(tài)的透視側(cè)視圖，圖21的(C)、圖22的(C)是表示測(cè)量中央部的狀態(tài)的透視側(cè)視圖。基板的旋轉(zhuǎn)角與電力的圖表(graph)的關(guān)系與圖5的(A)、圖5的(B)、圖5的(C)、圖6相同。圖21的(A)、圖21的(B)、圖21的(C)是將工件W配置成凹狀的例子，所以到緣部的距離變短，到中央部的距離變長(zhǎng)。圖22的(A)、圖22的(B)、圖22的(C)是將工件W配置成凸?fàn)畹睦樱缘骄壊康木嚯x長(zhǎng)，到中央部的距離短。也就是說(shuō)，也可以將傳感器K設(shè)置在對(duì)到工件W表面的距離成為最大的部位、與到工件W表面的距離成為最小的部位進(jìn)行檢測(cè)的位置。
[0203]因?yàn)閭鞲衅鱇與靶41的高低差固定，所以傳感器K與工件W的距離和靶41與工件W的距離成比例。因此，根據(jù)利用傳感器K所得的距離的檢測(cè)值改變電力，由此可獲得與所述實(shí)施方式相同的作用效果。在圖21的(A)、圖21的⑶、圖21的(C)、圖22的(A)、圖22的(B)、圖22的(C)中，例示改變電力的形態(tài)。工件W與傳感器K的距離越短，則電力越小，距離越長(zhǎng)，則電力越大，但對(duì)照工件W的曲面，電力的上升與下降成為平緩的曲線(curve)。
[0204]在該實(shí)施方式中，基于距離的實(shí)際測(cè)量值改變電力，所以能夠進(jìn)行更準(zhǔn)確地反映工件W的形狀的精密的膜厚控制。進(jìn)而，在將所搬入的工件W全部保持在保持部33的狀態(tài)下，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)31旋轉(zhuǎn)一圈并利用傳感器K檢測(cè)距離。而且，例如，控制裝置9的設(shè)定部93設(shè)定與距離成比例的電力的變化形態(tài)并存儲(chǔ)在存儲(chǔ)部92中。如果電源控制部91按照該變化形態(tài)控制第一電源部5，那么可節(jié)省操作員的工夫，且能夠?qū)嵤┳罴训碾娏Φ淖兓螒B(tài)的成膜。
[0205](3)搬送部3所具有的搬送單元并不限定于旋轉(zhuǎn)臺(tái)31。搬送部3也可以包括具有保持部的旋轉(zhuǎn)筒。例如，如圖23所示，可由角柱形狀的旋轉(zhuǎn)筒34構(gòu)成搬送部3。該旋轉(zhuǎn)筒34是在側(cè)面設(shè)置保持工件W的保持部35，且利用驅(qū)動(dòng)源以軸為中心旋轉(zhuǎn)。在收容旋轉(zhuǎn)筒34的腔室26內(nèi)，在與工件W的搬送路徑對(duì)向的位置設(shè)置著與上文所述相同的濺射源4、逆濺射源6等。
[0206]在該實(shí)施方式中，可將通過(guò)旋轉(zhuǎn)筒34的旋轉(zhuǎn)來(lái)搬送工件W的搬送方向與工件W的配置方向設(shè)為平行。例如，在與所述實(shí)施方式同樣地設(shè)為長(zhǎng)方形狀的工件W的情況下，工件W的長(zhǎng)邊與搬送方向平行。因此，與旋轉(zhuǎn)臺(tái)31相比，可減少與搬送方向正交的方向上的膜厚的不均。此外，旋轉(zhuǎn)筒34并不限定于角形筒狀，也可以為圓形筒狀。
[0207](4)由搬送部3同時(shí)搬送的工件W的數(shù)量、保持部33、保持部35的數(shù)量只要至少為一個(gè)即可，并不限定于所述實(shí)施方式中所例示的數(shù)量。也就是說(shuō)，既可以為一個(gè)工件W循環(huán)而重復(fù)成膜的實(shí)施方式，也可以為兩個(gè)以上的工件W循環(huán)而重復(fù)成膜的實(shí)施方式。因此，例如，也可以為如下實(shí)施方式:搬送部3具有一個(gè)將工件W相對(duì)于搬送路徑P的搬送方向的角度保持為固定的保持部33、保持部35。濺射源4、逆濺射源6的數(shù)量既可以為單數(shù)，也可以為多個(gè)，并不限定于所述實(shí)施方式中所例示的數(shù)量。而且，一個(gè)濺射源4所具備的靶41的個(gè)數(shù)也是既可以為單數(shù)，也可以為多個(gè)。而且，也可以為如下構(gòu)成:使多個(gè)靶41的材料不同，在成膜對(duì)象物形成復(fù)合膜、或者不同材料的多層膜。
[0208](5)成為成膜對(duì)象的工件W的形狀也并不限定于所述實(shí)施方式中所示的形狀。也可以成為成膜對(duì)象的面形成為凹狀或凸?fàn)?，而保持在保持?3、保持部35 —側(cè)的面為平坦面。例如，也適合制造成為成膜對(duì)象的面呈研缽狀或盤狀凹陷的凹面鏡。而且，也可以為成為成膜對(duì)象的面重復(fù)凹凸的工件W。在該情況下，如果可知因凹凸所引起的與靶41的距離的變化形態(tài)，那么只要對(duì)照該變化形態(tài)使施加電力變化即可。而且，如上所述，如果利用傳感器K測(cè)定距離，那么可準(zhǔn)確地施加對(duì)照凹凸的電力。
[0209]也能夠利用與搬送路徑P對(duì)應(yīng)地具有多個(gè)靶41的情況，針對(duì)每個(gè)成膜區(qū)域F改變靶41與工件W的位置關(guān)系，從而提高寬度方向的膜厚分布。例如，考慮改變各靶41的高度、角度等位置，或改變被各保持部33、保持部35保持的工件W的高度、角度等位置等。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.一種成膜裝置，使濺射氣體等離子體化，且使成膜材料堆積在工件上，其特征在于包括: 腔室，被導(dǎo)入濺射氣體； 搬送部，設(shè)置在所述腔室內(nèi)，循環(huán)搬送工件； 濺射源，由堆積在所述工件而成為膜的所述成膜材料形成，且具有靶，所述靶設(shè)置在與利用所述搬送部使所述工件移動(dòng)的路徑對(duì)向的位置； 電源部，對(duì)所述靶施加電力；以及 電源控制部，在所述工件通過(guò)作為供所述成膜材料堆積的區(qū)域的成膜區(qū)域期間，根據(jù)所述工件相對(duì)于所述靶的間隔、方向或從平面方向觀察到的重疊面積的變化，使所述電源部對(duì)所述靶施加的電力變化。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于: 所述電源控制部根據(jù)所述工件中的成為成膜對(duì)象的面與所述靶的垂直方向的距離，使所述電源部對(duì)所述靶施加的電力變化。3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的成膜裝置，其特征在于: 所述電源控制部是所述距離越短則使施加的電力越小，所述距離越長(zhǎng)則使施加的電力越大。4.根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的成膜裝置，其特征在于: 所述電源控制部使所述電源部施加的電力以指定的振幅及周期變化。5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的成膜裝置，其特征在于: 所述電源控制部在所述工件的循環(huán)搬送的一圈中，按照所規(guī)定的變化模式，使所述電源部對(duì)所述靶施加的電力變化。6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于: 所述搬送部具有將所述工件相對(duì)于所述工件的搬送方向的角度保持為固定的多個(gè)保持部，且所述保持部以等間隔配設(shè)。7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的成膜裝置，其特征在于: 所述保持部將所述工件保持在通過(guò)所述成膜區(qū)域的工件通過(guò)與所述靶的距離成為最大的部位、及與所述靶的距離成為最小的部位的位置。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其特征在于: 所述搬送部具有設(shè)置著所述保持部的旋轉(zhuǎn)臺(tái)。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的成膜裝置，其特征在于: 所述搬送部具有設(shè)置著所述保持部的旋轉(zhuǎn)筒。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于: 所述濺射源具有多個(gè)所述靶， 所述電源部針對(duì)每個(gè)靶改變使施加的電力變化的時(shí)點(diǎn)。11.根據(jù)權(quán)利要求1所述的成膜裝置，其特征在于: 具有檢測(cè)距離的傳感器， 所述電源控制部連接于所述傳感器，根據(jù)由所述傳感器檢測(cè)出的到所述工件的表面的距離，使所述電源部施加的電力變化。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的成膜裝置，其特征在于: 所述傳感器設(shè)置在對(duì)到所述工件的表面的距離成為最大的部位、與到所述工件的表面的距離成為最小的部位進(jìn)行檢測(cè)的位置。13.一種成膜基板制造方法，其特征在于: 在被導(dǎo)入有濺射氣體的腔室內(nèi)，利用搬送部循環(huán)搬送基板， 電源部對(duì)與被循環(huán)搬送的所述基板的移動(dòng)路徑對(duì)向地配置的靶施加電力，由此，使腔室內(nèi)的濺射氣體等離子體化，且使成膜材料堆積在基板上， 通過(guò)所述搬送部使所述基板移動(dòng)，根據(jù)隨著所述基板的移動(dòng)而產(chǎn)生的基板與靶的位置的變化，改變所述電源部對(duì)靶施加的電力。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的成膜基板制造方法，其特征在于: 所述電源部根據(jù)所述基板中的成為成膜對(duì)象的面與所述靶的距離，使對(duì)所述濺射源施加的電力變化。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的成膜基板制造方法，其特征在于: 所述距離越短則使施加的電力越小，所述距離越長(zhǎng)則使施加的電力越大。
【專利摘要】本發(fā)明提供一種成膜裝置及成膜基板制造方法。本發(fā)明的成膜裝置包括：腔室，被導(dǎo)入濺射氣體；搬送部，設(shè)置在腔室內(nèi)，且具有循環(huán)搬送工件的搬送路徑；靶，由堆積在工件上而成為膜的成膜材料形成，且設(shè)置在與搬送路徑隔開(kāi)并對(duì)向的位置；第一電源部，通過(guò)對(duì)靶施加電力，而使濺射氣體等離子體化，且使成膜材料堆積在工件上；以及電源控制部，在工件利用搬送部而通過(guò)供成膜材料堆積的區(qū)域即成膜區(qū)域期間，根據(jù)工件相對(duì)于靶的位置的變化，使第一電源部對(duì)靶施加的電力變化。本發(fā)明具有小型且省空間的優(yōu)點(diǎn)，且無(wú)論工件的形狀如何，均能夠高速且高效率地以均勻的厚度成膜。
【IPC分類】C23C14/54, C23C14/34
【公開(kāi)號(hào)】CN105463386
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201510622724
【發(fā)明人】川又由雄
【申請(qǐng)人】芝浦機(jī)械電子裝置株式會(huì)社
【公開(kāi)日】2016年4月6日
【申請(qǐng)日】2015年9月25日