變膜厚，對膜厚均勻性起到改善作用。
【附圖說明】
[0030]為了能更進(jìn)一步了解本發(fā)明的特征以及技術(shù)內(nèi)容，請參閱以下有關(guān)本發(fā)明的詳細(xì)說明與附圖，然而附圖僅提供參考與說明用，并非用來對本發(fā)明加以限制。
[0031]附圖中，
[0032]圖1為現(xiàn)有的一種化學(xué)氣相沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0033]圖2為本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；
[0034]圖3為本發(fā)明的化學(xué)氣相沉積裝置中上、下極板的間距調(diào)整后的效果示意圖?！揪唧w實(shí)施方式】
[0035]為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明所采取的技術(shù)手段及其效果，以下結(jié)合本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例及其附圖進(jìn)行詳細(xì)描述。
[0036]請參閱圖2，本發(fā)明提供一種化學(xué)氣相沉積裝置，包括相對設(shè)置的上極板10與下極板20、設(shè)于所述下極板20上方的沉積基板30、設(shè)于所述下極板20下方的基座40、以及設(shè)于所述基座40下方的支撐件50;
[0037]其中，所述基座40包括用于支撐所述下極板20的第一支撐板41、以及固定連接于所述第一支撐板41中央下方的支撐塊42;所述支撐件50包括用于支撐所述基座40的第二支撐板51、以及固定連接于所述第二支撐板51中央下方的支撐柱52;
[0038]具體的，所述第二支撐板51與第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30之間通過數(shù)個(gè)螺紋柱60以及分別套設(shè)于數(shù)個(gè)螺紋柱60上且位于所述沉積基板30上方的數(shù)個(gè)螺帽70相連接；
[0039]具體的，所述數(shù)個(gè)螺紋柱60的底部分別與第二支撐板51固定連接，所述第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30中分別設(shè)有數(shù)個(gè)第一、第二、第三通孔43、23、33，所述數(shù)個(gè)螺紋柱60穿過所述第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，數(shù)個(gè)螺帽70從所述沉積基板30的上方套設(shè)于數(shù)個(gè)螺紋柱60上，并且與螺紋柱60之間實(shí)現(xiàn)螺紋連接，從而通過調(diào)節(jié)數(shù)個(gè)螺帽70的高度即可實(shí)現(xiàn)所述下極板20的不同位置及不同角度的傾斜，使得上、下極板10、20之間的間距可調(diào)，對膜厚均勻性起到改善作用。
[0040]如圖2所示，在本發(fā)明提供的實(shí)施例中，所述支撐件50與基座40、下極板20、及沉積基板30之間通過兩個(gè)螺紋柱60及兩個(gè)螺帽70相連接，且所述兩個(gè)螺紋柱60分別位于所述下極板20的左右兩側(cè)。
[0041 ]在化學(xué)氣相沉積過程中，當(dāng)下極板20左側(cè)成膜的厚度要大于右側(cè)成膜的厚度時(shí)，可以將下極板20左側(cè)的螺帽70向上擰，將下極板20右側(cè)的螺帽70向下擰，從而使得下極板20的左側(cè)向上傾斜，右側(cè)向下傾斜，實(shí)現(xiàn)如圖3所示的效果，此時(shí)，左側(cè)的上、下極板10、20的間距(spacing)變小，右側(cè)的上、下極板10、20的間距(spac ing)變大，從而降低左側(cè)的成膜速率及厚度，提高右側(cè)的成膜速率及厚度，進(jìn)而提高下極板20上成膜的均勻性。
[0042]反之，當(dāng)下極板20右側(cè)成膜的厚度要大于左側(cè)成膜的厚度時(shí)，可以將下極板20右側(cè)的螺帽70向上擰，將下極板20左側(cè)的螺帽70向下擰，從而使得下極板20的右側(cè)向上傾斜，左側(cè)向下傾斜，此時(shí)，右側(cè)的上、下極板10、20的間距(spac ing)變小，左側(cè)的上、下極板10、20的間距(spacing)變大，從而降低右側(cè)的成膜速率及厚度，提高左側(cè)的成膜速率及厚度，進(jìn)而提高下極板20上成膜的均勻性。
[0043]同理，當(dāng)螺紋柱60分布于下極板20的前后位置時(shí)，可以通過調(diào)整下極板20在前后方向的傾斜角度，從而調(diào)整下極板20前后方向的成膜均勻性。具體的，所述螺紋柱60還可以均勻性分布于下極板20的其它位置，通過調(diào)整不同位置的螺帽70的高度來調(diào)整下極板20上成膜的均勻性。
[0044]具體的，所述上、下極板10、20為兩塊上下平行的電極，其中，所述上極板10與射頻電源11相連，所述下極板20接地。
[0045]具體的，所述沉積基板30為反應(yīng)氣體沉積成膜的襯底基板，優(yōu)選的，所述沉積基板30為玻璃基板。
[0046]具體的，所述第一支撐板41與第二支撐板51可以為圓形、三角形或其它形狀的基板。
[0047]具體的，所述基座40通過傳動(dòng)裝置連接到步進(jìn)馬達(dá)，以步進(jìn)方式升降下極板20。
[0048]具體的，所述化學(xué)氣相沉積裝置還包括腔室本體90，所述上極板10、下極板20、沉積基板30、基座40均位于所述腔室本體90內(nèi)部，所述支撐件50的第二支撐板51位于所述腔室本體90內(nèi)部，所述支撐件50的支撐柱52的上部位于所述腔室本體90內(nèi)部，下部從所述腔室本體90穿出，位于所述腔室本體90外部。
[0049]具體的，所述腔室本體90上設(shè)有用來向腔室本體90內(nèi)部通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣孔91ο
[0050]具體的，所述支撐柱52外設(shè)有水平方向限位套80，所述水平方向限位套80位于所述腔室本體90的外部，且通過連接機(jī)構(gòu)固定于墻壁或其它物體上，當(dāng)所述基座40在步進(jìn)馬達(dá)的帶動(dòng)下上下運(yùn)動(dòng)時(shí)，由于基座40與支撐件50通過螺紋柱60與螺帽70連接，從而支撐件50也會(huì)隨基座40上下運(yùn)動(dòng)，此時(shí)，所述水平方向限位套80對所述支撐柱52起到水平方向限位的作用。
[0051]請參閱圖2-3，本發(fā)明還提供一種化學(xué)氣相沉積裝置的使用方法，包括如下步驟:
[0052]步驟1、如圖2所示，提供一化學(xué)氣相沉積裝置，其包括相對設(shè)置的上極板10與下極板20、設(shè)于所述下極板20上方的沉積基板30、設(shè)于所述下極板20下方的基座40、以及設(shè)于所述基座40下方的支撐件50;
[0053]其中，所述基座40包括用于支撐所述下極板20的第一支撐板41、以及固定連接于所述第一支撐板41中央下方的支撐塊42;所述支撐件50包括用于支撐所述基座40的第二支撐板51、以及固定連接于所述第二支撐板51中央下方的支撐柱52;
[0054]所述第二支撐板51與第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30之間通過數(shù)個(gè)螺紋柱60以及分別套設(shè)于數(shù)個(gè)螺紋柱60上且位于所述沉積基板30上方的數(shù)個(gè)螺帽70相連接；
[0055]所述數(shù)個(gè)螺紋柱60的底部分別與第二支撐板51固定連接，所述第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30中分別設(shè)有數(shù)個(gè)第一、第二、第三通孔43、23、33，所述數(shù)個(gè)螺紋柱60穿過所述第一支撐板41、下極板20、及沉積基板30中的第一、第二、第三通孔43、23、33并延伸出去，數(shù)個(gè)螺帽70從所述沉積基板30的上方套設(shè)于數(shù)個(gè)螺紋柱60上，并且與螺紋柱60之間實(shí)現(xiàn)螺紋連接；
[0056]所述化學(xué)氣相沉積裝置還包括腔室本體90，所述上極板10、下極板20、沉積基板30、基座40均位于所述腔室本體90內(nèi)部，所述支撐件50的第二支撐板51位于所述腔室本體90內(nèi)部，所述支撐件50的支撐柱52的上部位于所述腔室本體90內(nèi)部，下部從所述腔室本體90穿出，位于所述腔室本體90外部;所述腔室本體90上設(shè)有用來向腔室本體90內(nèi)部通入反應(yīng)氣體的進(jìn)氣孔91;
[0057]步驟2、通過進(jìn)氣孔91向腔室本體90內(nèi)部通入反應(yīng)氣體，射頻電源11通過上極板10向腔室本體90內(nèi)部提供能量，下極板20作為下電極直接接地，從而在上極板10和下極板20之間產(chǎn)生射頻電場，將反應(yīng)氣體激發(fā)成等離子體，進(jìn)而對放置于下極板20上的沉積基板30進(jìn)行鍍膜；
[0058]步驟3、如圖3所示，當(dāng)所述步驟2中出現(xiàn)下極板20上不同位置的成膜厚度不一的情況時(shí)，停止沉積制程，打開腔室本體90，通過調(diào)節(jié)不同位置的螺紋柱60上的螺帽70的高度，調(diào)節(jié)不同位置的上、下極板10、20之間的間距，將膜厚比較大的地方間距調(diào)小，將膜厚比較小的地方間距調(diào)大，從而改變膜厚，起到改善膜厚均勻性的作用。
[0059]優(yōu)選的，所述化學(xué)氣相沉積裝置中，所述支撐件50與基座40、下極板20、及沉積基板30之間通過兩個(gè)螺紋柱60及兩個(gè)螺帽70相連接，且所述兩個(gè)螺紋柱60分別位于所述下極板20的左右兩側(cè)。
[0060]在步驟2中，當(dāng)下極板20左側(cè)成膜的厚度要大于右側(cè)成膜的厚度時(shí)，所述步驟3中，通過將下極板20左側(cè)的螺帽70向上擰，將下極板20右側(cè)的螺帽70向下擰，從而使得下極板20的左側(cè)向上傾斜，右側(cè)向下傾斜，實(shí)現(xiàn)如圖3所示的效果，此時(shí)，左側(cè)的上、下極板10、20的間距(spacing)變小，右側(cè)的上、下極板10、20的間距(spac ing)變大，從而降低左側(cè)的成膜速率及厚度，提高右側(cè)的成膜速率及厚度，進(jìn)而提高下極板20上成膜的均勻性。
[0061]在步驟2中，當(dāng)下極板20右側(cè)成膜的厚度要大于左側(cè)成膜的厚度時(shí)，所述步驟3中，通過將下極板20右側(cè)的螺帽70向上擰，將下極板20左側(cè)的螺帽70向下擰，從而使得下極板20的右側(cè)向上傾斜，左側(cè)向下傾斜，此時(shí)，右側(cè)的上、下極板10、20的間距(spac ing)變小，左側(cè)的上、下極板10、20的間距(spacing)變大，從而降低右側(cè)的成膜速率及厚度，提高左側(cè)的成膜速率及厚度，進(jìn)而提高下極板20上成膜的均勻