的和尚未開發(fā)的物理組件和結(jié)構(gòu)實(shí)施參照?qǐng)D6所描述的功能組件。
[0039]顯示部分612通常運(yùn)行以為用戶提供用戶接口，并且在幾個(gè)實(shí)施中，通過觸摸屏顯示器實(shí)現(xiàn)顯示。通常，非易失性存儲(chǔ)器620是非暫時(shí)性存儲(chǔ)器，其用于存儲(chǔ)(例如，永久存儲(chǔ))數(shù)據(jù)和處理器可執(zhí)行代碼(包括與實(shí)現(xiàn)本發(fā)明描述的方法相關(guān)聯(lián)的可執(zhí)行代碼)。例如在某些實(shí)施方案中，非易失性存儲(chǔ)器620包括bootloader代碼、操作系統(tǒng)代碼、文件系統(tǒng)代碼、以及非暫時(shí)性的處理器可執(zhí)行代碼，以便于執(zhí)行參照本這里進(jìn)一步描述的圖7所描述的方法。
[0040]在許多實(shí)施中，非易失性存儲(chǔ)器620由閃存存儲(chǔ)器(例如，NAND或0NENAND存儲(chǔ)器)實(shí)現(xiàn)，但可以預(yù)期也可以使用其他存儲(chǔ)器類型。雖然可以執(zhí)行來自非易失性存儲(chǔ)器620的代碼，通常將非易失性存儲(chǔ)器620中的可執(zhí)行代碼加載入RAM 624中，并通過處理部626中的N個(gè)處理組件中的一個(gè)或多個(gè)執(zhí)行。
[0041 ]與RAM 624相連的N個(gè)處理組件通常運(yùn)行以執(zhí)行存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器620中的指令，以實(shí)現(xiàn)靶材的平衡消耗。例如，用于完成參照?qǐng)D1-4和6所描述的方法的非暫時(shí)性處理器可執(zhí)行指令，可以一直存儲(chǔ)在非易失性存儲(chǔ)器620中并通過與RAM 624相連的N個(gè)處理組件執(zhí)行。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將認(rèn)識(shí)到，處理部626可以包括視頻處理器、數(shù)字信號(hào)處理器(DSP)、圖形處理單元(GPU)，以及其他處理組件。
[0042]輸入組件運(yùn)行以接收表示第一靶材和第二靶材的消耗的信號(hào)，其可以包括在雙磁控管系統(tǒng)中每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量。輸入組件也可接收表示供給磁控管452、454的電流的信號(hào)(例如，來自電流傳感器107)。輸出部件可以運(yùn)行以提供如上所述的信號(hào)460a、460b、460c、460d、504、506。
[0043]所描繪的收發(fā)器組件628包括N個(gè)收發(fā)器鏈，其可以被用于經(jīng)由無線網(wǎng)絡(luò)與外部裝置通信。N個(gè)收發(fā)器鏈中的每一個(gè)可以表示與特定的通信方案相關(guān)聯(lián)的收發(fā)器。
[0044]現(xiàn)在參照?qǐng)D7，描述了根據(jù)一個(gè)實(shí)施方案的方法700。該方法700包括702布置至少兩個(gè)磁控管，以形成至少一個(gè)雙磁控管對(duì)，704粘貼靶材到所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)，706濺射靶材到襯底上，和708通過平衡施加到所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)的功率和電壓來平衡靶材的消耗?？梢允褂帽景l(fā)明參照?qǐng)D1-6所描述的實(shí)施方案實(shí)現(xiàn)方法700。提供所公開的實(shí)施方案的先前描述以使所屬領(lǐng)域的任何技術(shù)人員能夠獲得或使用本發(fā)明。這些實(shí)施方案的各種變形對(duì)本領(lǐng)域技術(shù)人員而言將是顯而易見的，并且這里限定的一般原理可應(yīng)用于其他實(shí)施方案而不脫離本發(fā)明的精神或范圍。因此，本發(fā)明不意在限制于本發(fā)明所顯示的實(shí)施方案，而是符合與本發(fā)明公開的原理和新穎特征一致的最寬范圍。
【主權(quán)項(xiàng)】
1.濺射系統(tǒng)，其包括: 至少一個(gè)包括第一磁控管和第二磁控管的雙磁控管對(duì)，配置所述雙磁控管對(duì)中的每個(gè)磁控管以支持靶材； 包括與多個(gè)開關(guān)組件和多個(gè)電壓傳感器連接的直流電源的雙磁控管濺射(DMS)組件，配置所述DMS組件以獨(dú)立地控制對(duì)每個(gè)磁控管施加功率，并提供每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量；以及 一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器，其配置為使用由所述DMS組件提供的測(cè)量控制每個(gè)磁控管的電壓；其中配置所述DMS組件和所述一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器以響應(yīng)每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量，通過控制施加到每個(gè)磁控管的功率和電壓，平衡靶材的消耗。2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的系統(tǒng)，其中所述一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器包括一個(gè)或多個(gè): 氣體流量控制構(gòu)件，以控制一個(gè)磁控管相對(duì)于另一個(gè)磁控管的反應(yīng)性氣體的流量;和 旋轉(zhuǎn)組件，以控制每個(gè)磁控管的轉(zhuǎn)速。3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其包括: 至少一個(gè)固定襯底。4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其包括: 至少一個(gè)輔助氣體歧管;和 至少一個(gè)氣體流量控制器;其中 配置所述至少一個(gè)輔助氣體歧管和所述至少一個(gè)氣體流量控制器以改變一個(gè)磁控管的反應(yīng)性氣體流量相對(duì)于另一個(gè)磁控管的反應(yīng)性氣體流量。5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其中: 配置所述DMS組件以將所述第一磁控管的第一燃燒電壓與所述第二磁控管的第二燃燒電壓匹配。6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射系統(tǒng)，其中: 配置所述DMS組件以基于第一結(jié)束升壓時(shí)段和第一關(guān)斷時(shí)段之間測(cè)量的第一磁控管的平均電壓計(jì)算所述第一燃燒電壓;且 配置所述DMS組件以基于第二結(jié)束升壓時(shí)段和第二關(guān)斷時(shí)段之間測(cè)量的第二磁控管的平均電壓計(jì)算所述第二燃燒電壓。7.根據(jù)權(quán)利要求5所述的濺射系統(tǒng)，其中: 配置所述DMS組件以計(jì)算工藝電壓。8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其中: 配置所述DMS組件以改變相對(duì)于第一磁控管的第二磁控管的反應(yīng)性氣體的流量。9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其中: 配置所述DMS組件以調(diào)節(jié)所述第一磁控管和所述第二磁控管中至少一個(gè)的轉(zhuǎn)速。10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的濺射系統(tǒng)，其包括: 開關(guān)組件，其配置為接收直流功率并對(duì)所述第一磁控管和所述第二磁控管中的每一個(gè)施加脈沖直流功率； 電壓測(cè)量組件，其提供每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量，以使所述致動(dòng)器能夠控制對(duì)所述磁控管的電壓的施加;并且其中 配置所述DMS組件以控制所述開關(guān)組件，以平衡對(duì)所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)的功率的施加。11.濺射方法，其包括: 布置至少兩個(gè)磁控管以形成至少一個(gè)雙磁控管對(duì)； 粘貼靶材到所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)； 濺射靶材到襯底上;和 通過平衡施加到所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)的功率和電壓以平衡靶材的消耗。12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其中平衡施加到每個(gè)磁控管的電壓包括以下一個(gè)或多個(gè)步驟: 改變一個(gè)磁控管相對(duì)于另一個(gè)磁控管的反應(yīng)性氣體的流量;和 調(diào)節(jié)每個(gè)磁控管的轉(zhuǎn)速。13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的方法，其包括: 預(yù)測(cè)靶消耗中的失配。14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的方法;其中:預(yù)測(cè)失配包括計(jì)算所述第一磁控管和所述第二磁控管中的每一個(gè)的準(zhǔn)直流燃燒電壓。15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的方法，其包括: 計(jì)算第一靶的靶表面的濺射率;并 計(jì)算第二靶的靶表面的濺射率。16.非臨時(shí)性的、有形的處理器可讀存儲(chǔ)介質(zhì)，其用處理器可讀指令進(jìn)行編碼，以執(zhí)行濺射方法，所述方法包括: 使雙磁控管濺射系統(tǒng)將來自第一磁控管的第一靶材濺射到襯底上，并且將來自第二磁控管的第二靶材濺射到所述襯底上;并且 通過平衡施加到所述至少兩個(gè)磁控管中的每一個(gè)的功率和電壓來平衡所述第一靶材的消耗與所述第二靶材的消耗。
【專利摘要】本發(fā)明公開了一種濺射系統(tǒng)和方法。所述系統(tǒng)具有至少一個(gè)具有第一磁控管和第二磁控管的雙磁控管對(duì)，配置每個(gè)磁控管以支持靶材。所述系統(tǒng)還具有DMS組件，該DMS組件具有與開關(guān)組件和電壓傳感器連接的直流電源。配置所述DMS組件以獨(dú)立地控制對(duì)每個(gè)磁控管的功率的施加，以及提供每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量。所述系統(tǒng)還具有一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器，配置所述致動(dòng)器以使用由所述DMS組件提供的測(cè)量控制每個(gè)磁控管的電壓。配置所述DMS組件和所述一個(gè)或多個(gè)致動(dòng)器以響應(yīng)每個(gè)磁控管的電壓的測(cè)量，通過控制施加到每個(gè)磁控管的功率和電壓，平衡靶材的消耗。
【IPC分類】H01J37/34, C23C14/54, C23C14/00, C23C14/34
【公開號(hào)】CN105555990
【申請(qǐng)?zhí)枴緾N201480040877
【發(fā)明人】D·克里斯蒂
【申請(qǐng)人】先進(jìn)能源工業(yè)公司
【公開日】2016年5月4日
【申請(qǐng)日】2014年7月16日
【公告號(hào)】EP3022328A1, US20150021167, WO2015009864A1