一種薄型陶瓷蓋體的制備方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明屬于陶瓷加工領(lǐng)域，尤其涉及一種薄型陶瓷蓋體的制備方法。
【背景技術(shù)】
[0002]隨著生活中各種產(chǎn)品的微型化的發(fā)展，市場(chǎng)上對(duì)薄型產(chǎn)品的需求日益增加，如卡類(lèi)、片狀等超薄型產(chǎn)品。作為這些超薄型產(chǎn)品的保護(hù)零件和易損零件的陶瓷蓋體，同樣需要滿足超薄型的要求。因此，獲得一種薄型陶瓷蓋體的制備方法已成為市場(chǎng)發(fā)展的一種需要。
[0003]干粉壓制是常用的陶瓷蓋體加工方法，該方法的成型過(guò)程主要是將干粉填充入模腔內(nèi)加壓成型。具體生產(chǎn)過(guò)程中在陶瓷蓋體成型時(shí)，粉料受到擠壓發(fā)生移動(dòng)并互相靠攏、收縮，當(dāng)達(dá)到平衡時(shí)形成壓實(shí)狀態(tài)，再進(jìn)行排膠、鍛燒生成殼體。但是，在陶瓷蓋體成型時(shí)粉料容易因團(tuán)聚導(dǎo)致內(nèi)部密度不均，進(jìn)而導(dǎo)致蓋體的形狀的可控能力變差。因此，干粉壓制的成型過(guò)程亦限制了其壁的厚度，厚度過(guò)薄限制了粉料的移動(dòng)導(dǎo)致密度差異大，嚴(yán)重時(shí)會(huì)使生產(chǎn)的陶瓷蓋體無(wú)法成形。因此，使用傳統(tǒng)方法很難生產(chǎn)薄型陶瓷蓋體。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0004]本發(fā)明所要解決的技術(shù)問(wèn)題在于提供一種薄型陶瓷蓋體的制備方法的技術(shù)方案，旨在滿足市場(chǎng)對(duì)超薄型陶瓷蓋體的需求。
[0005]本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的，一種薄型陶瓷蓋體的制備方法，包括以下步驟:
[0006](I)覆膜:將燒結(jié)好的陶瓷基板上的保護(hù)區(qū)域覆上保護(hù)材料；
[0007](2)成型:對(duì)覆膜后的陶瓷基板的外露部分進(jìn)行磨削加工，形成蓋體；
[0008](3)脫膜:去除覆膜材料。
[0009]進(jìn)一步地，所述保護(hù)區(qū)域?yàn)橐话鄠€(gè)蓋體單體的矩陣，在所述脫膜步驟之后，所述步驟還包括:(4)切割:用激光對(duì)矩陣進(jìn)行切割，獲得陶瓷蓋體單體。
[0010]進(jìn)一步地，所述覆膜方式包括絲印、光刻或直接粘貼預(yù)先成形的保護(hù)膜。
[0011]進(jìn)一步地，所述保護(hù)材料包括聚氨酯類(lèi)、乙烯酸脂類(lèi)、丙烯酸脂類(lèi)、聚對(duì)苯二甲酸類(lèi)、橡膠類(lèi)、環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)中的至少一種。
[0012]進(jìn)一步地，所述成型過(guò)程包括采用機(jī)械方式切削、離子束切削或化學(xué)方式切削。
[0013]進(jìn)一步地，所述脫膜方式包括熱移除、化學(xué)脫膜劑去除或者用刮刀機(jī)械去除。
[0014]進(jìn)一步地，所述陶瓷基板的材質(zhì)包括96氧化鋁或氧化鋯。
[0015]進(jìn)一步地，所述絲印過(guò)程為:先按照上蓋設(shè)計(jì)要求加工與所述陶瓷基本的保護(hù)區(qū)域相適配的網(wǎng)板;將網(wǎng)板置于陶瓷基板上方，將保護(hù)材料注入網(wǎng)板內(nèi)；用刮刀將保護(hù)材料印制在陶瓷基板上;取下烘干制成覆膜。
[0016]進(jìn)一步地，所述光刻過(guò)程為:先將感旋旋光性保護(hù)材料覆涂于陶瓷基板所有部分上，使用曝光或顯影技術(shù)照射陶瓷基板上的非保護(hù)部分，去除非保護(hù)部分上的保護(hù)材料。
[0017]進(jìn)一步地，所述化學(xué)脫膜劑包括醇類(lèi)、酮類(lèi)或有機(jī)酸類(lèi)清洗劑中的至少一種。
[0018]本發(fā)明與現(xiàn)有技術(shù)相比，有益效果在于:采用已燒結(jié)好的陶瓷基板為加工基材，首先是低成本、供應(yīng)量大;其次避開(kāi)了薄型材料在燒結(jié)中產(chǎn)生的變形問(wèn)題，提高了蓋體尺寸的可控能力。由于陶瓷材料的強(qiáng)度高，薄型外蓋在稍微或不增加產(chǎn)品的總體厚度下，可以制得薄型陶瓷蓋體。因此本發(fā)明所生產(chǎn)的薄型陶瓷蓋體可用作保護(hù)敏感或易損零件，以滿足卡類(lèi)、片狀等超薄型產(chǎn)品需求。
【附圖說(shuō)明】
[0019]圖1是本發(fā)明實(shí)施例1中以單體方式制備薄型陶瓷蓋體的流程圖。
[0020]圖2是本發(fā)明實(shí)施例2中以矩陣形式制備薄型陶瓷蓋體的流程圖。
【具體實(shí)施方式】
[0021]為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例僅僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
[0022]按照本發(fā)明的技術(shù)方案制備薄型陶瓷蓋體，可以分為單體方式和矩陣方式兩種。
[0023]其中，單體方式包括以下步驟:
[0024](I)覆膜:將陶瓷基板上的保護(hù)部分覆上保護(hù)材料；
[0025](2)成型:對(duì)覆膜后的陶瓷基板的外露部分進(jìn)行噴砂加工，形成蓋體；
[0026](3)脫膜:去除覆膜材料。
[0027]其中，矩陣方式包括以下步驟:
[0028](I)覆膜:將陶瓷基板上的保護(hù)部分覆上保護(hù)材料；
[0029](2)成型:對(duì)覆膜后的陶瓷基板的外露部分進(jìn)行噴砂加工，形成蓋體；
[0030](3)脫膜:去除覆膜材料；
[0031 ] (4)切割:用激光對(duì)矩陣進(jìn)行切割，獲得陶瓷蓋體單體。
[0032]絲印過(guò)程為:先按照上蓋設(shè)計(jì)要求加工網(wǎng)板;將網(wǎng)板置于陶瓷基板上方，將保護(hù)材料注入網(wǎng)板內(nèi)；用刮刀將保護(hù)材料印制在陶瓷基板上;取下烘干制成覆膜。光刻過(guò)程為:先將感旋旋光性保護(hù)材料覆涂于陶瓷基板所有部分上，使用暴光或顯影照射陶瓷基板上的非保護(hù)部分，去除非保護(hù)部分上的保護(hù)材料。
[0033]制備過(guò)程中的覆膜方式包括絲印、光刻或直接粘貼預(yù)先成形的保護(hù)膜;所用的保護(hù)材料包括聚氨酯類(lèi)、乙烯酸脂類(lèi)、丙烯酸脂類(lèi)、聚對(duì)苯二甲酸類(lèi)、橡膠類(lèi)、環(huán)氧樹(shù)脂類(lèi)中的至少一種;所用的化學(xué)脫膜劑包括醇類(lèi)、酮類(lèi)或有機(jī)酸類(lèi)清洗劑中的至少一種。
[0034]制備過(guò)程中的噴砂處理包括采用機(jī)械方式切削、離子束切削或化學(xué)方式切削；脫膜方式包括熱移除、化學(xué)脫膜劑去除或者用刮刀機(jī)械去除。
[0035]本發(fā)明選用燒結(jié)好的陶瓷基板作為原始材料，其材質(zhì)為96氧化鋁或氧化鋯等。
[0036]本發(fā)明提供的一種薄型陶瓷蓋體的制備方法，采用的陶瓷基板是通用的已燒結(jié)的流延基板，材質(zhì)是96氧化鋁或氧化鋯等，取其低成本、供應(yīng)量大優(yōu)點(diǎn)。在陶瓷基板表面上用絲印方式覆膜時(shí)，絲印的圖形按由網(wǎng)板決定，網(wǎng)板是按上蓋設(shè)計(jì)要求加工，使保護(hù)材料將上蓋邊緣進(jìn)行覆蓋，使需要移除的部分材料外露，以保護(hù)上蓋邊緣在噴砂加工時(shí)不受損傷。選用的保護(hù)材料需耐噴砂加工以免噴砂過(guò)程中脫落、損耗使受保護(hù)部分外露導(dǎo)致不良。
[0037]噴砂加工時(shí)，陶瓷基板被保護(hù)材料覆蓋的部位，由于保護(hù)材料的阻隔，基板表面的陶瓷材料，在過(guò)程中不會(huì)與磨料/砂接觸，而不會(huì)被移除。因加工過(guò)程中陶瓷基板的表面材料變化差異，原來(lái)平整的陶瓷基板加工后，因局部材料被移除而形成凹槽。而凹