一種殺菌防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本發(fā)明涉及一種殺菌防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法。
【背景技術(shù)】
[0002]現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板在使用過程中很容易被刮花或蹭花，影響美觀，更嚴(yán)重的是，手機(jī)屏幕蓋板的表面刮花或蹭花后，內(nèi)層暴露在空氣中，容易受腐蝕，影響使用壽命。另外，現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板較少有殺菌功能，人們?cè)谑褂眠^程中容易從手機(jī)蓋板上感染細(xì)菌。且由于現(xiàn)有的手機(jī)屏幕蓋板不具有防強(qiáng)光的功能，因此手機(jī)在在使用過程中，手機(jī)屏幕發(fā)出的強(qiáng)光也會(huì)給人體造成傷害。

【發(fā)明內(nèi)容】

[0003]本發(fā)明的目的在于提供一種殺菌防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板及其制造方法，該方法制造出來的手機(jī)蓋板具有防止細(xì)菌和強(qiáng)光對(duì)人體的傷害，而且具有高耐磨性。
[0004]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:
一種殺菌防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板，包括基板，所述基板的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層、第二膜層和第三膜層，所述第一膜層為納米銀層，第一膜層的厚度為5_20nm;所述第二膜層為高反射物質(zhì)層，第二膜層的厚度為10-50nm;所述第三膜層為高硬度層，第三膜層的厚度為10_50nmo
[0005]所述納米銀層的膜材為銀的氧化物，并由電子槍蒸鍍成型。
[0006]所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag203。
[0007]所述高反射物質(zhì)層的膜材為鉻或銀，并由電子槍蒸鍍成型。
[0008]所述高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0009]所述基板為樹脂或玻璃成型。
[0010]所述手機(jī)蓋板的基板為樹脂成型時(shí)，所述手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，其中第一膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下，銀的氧化物分解后以納米銀的形式附著于基板的表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層最終形成厚度為5-20nm的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag2〇、AgO或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第二膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層的膜材為鉻或銀，形成高反射物質(zhì)層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為7A/S，第三膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第三膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0011]所述步驟I)中，對(duì)基板外表面清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面3分鐘。
[0012]所述手機(jī)蓋板的基板為玻璃成型時(shí)，所述手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，其中第一膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下，銀的氧化物分解后以納米銀的形式附著于基板的表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層最終形成厚度為5-20nm的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第二膜層的膜材，第二膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層的表面，同時(shí)控制第二膜層蒸鍍的速率為1.5A/S，第二膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層的膜材為鉻或銀，形成高反射物質(zhì)層；
C、鍍第三膜層:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為200-300°C，采用電子槍轟擊第三膜層的膜材，第三膜層的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層的表面，同時(shí)控制第三膜層蒸鍍的速率為7A/S，第三膜層最終形成后的厚度為10-50nm，其中第三膜層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0013]所述步驟I)中，對(duì)基板外表面清洗的具體方法如下:將基板放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板的外表面5-10分鐘。
[0014]本發(fā)明采用電子束真空蒸鍍的原理，利用帶電荷的粒子在電場(chǎng)中加速后具有一定動(dòng)能的特點(diǎn)，將離子引向欲被鍍膜的基板制成的電極，并通過電子槍高溫轟擊單質(zhì)存在的高純度金屬、金屬合金或其它氧化物，蒸發(fā)出來的納米分子使其沿著一定的方向運(yùn)動(dòng)到基板并最終在基板上沉積成膜的方法。本項(xiàng)發(fā)明技術(shù)結(jié)合利用磁場(chǎng)的特殊分布控制電場(chǎng)中的電子運(yùn)動(dòng)軌跡，以此改進(jìn)鍍膜的工藝，使得鍍膜厚度及均勻性可控，且制備的膜層致密性好、粘結(jié)力強(qiáng)及純凈度高。
[0015]本發(fā)明在手機(jī)蓋板的基板上鍍有的納米銀層對(duì)大腸桿菌、淋球菌、沙眼衣原體等數(shù)十種致病微生物都有強(qiáng)烈的抑制和殺滅作用，而且不會(huì)產(chǎn)生耐藥性，保證了手機(jī)蓋板具有足夠的殺菌能力，高反射物質(zhì)層能夠有效過濾強(qiáng)光，防止強(qiáng)光進(jìn)入人體的眼睛，從而起到了防強(qiáng)光的效果，此外設(shè)置高硬度層能夠顯著提高手機(jī)蓋板的耐磨性。
【附圖說明】
[0016]以下結(jié)合附圖和【具體實(shí)施方式】對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明:
圖1為本發(fā)明殺菌防強(qiáng)光的耐磨手機(jī)蓋板的分解圖。
【具體實(shí)施方式】
[0017]如圖1所示，本發(fā)明的手機(jī)蓋板包括基板I，基板I的外表面從里到外依序設(shè)有第一膜層2、第二膜層3和第三膜層4，第一膜層2為納米銀層，第一膜層2的厚度為5-20nm;第二膜層3為高反射物質(zhì)層，第二膜層3的厚度為10-50nm;第三膜層4為高硬度層，第三膜層4的厚度為 10_50nm。
[0018]納米銀層的膜材為銀的氧化物，并由電子槍蒸鍍成型。
[0019]銀的氧化物為Ag20、Ag0或Ag203。
[0020]高反射物質(zhì)層的膜材為鉻或銀，并由電子槍蒸鍍成型。
[0021 ]高硬度層的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，并由電子槍蒸鍍成型。
[0022]基板I為樹脂或玻璃成型。
[0023]實(shí)施例1，手機(jī)蓋板的基板I為樹脂成型時(shí)，手機(jī)蓋板的制造方法具體包括以下步驟:
1)對(duì)基板I的外表面進(jìn)行清洗；
2)對(duì)基板I的外表面進(jìn)行鍍膜；
A、鍍第一膜層2:
將真空鍍膜艙內(nèi)的真空度調(diào)整至大于或等于5.0 X 10—3帕，并控制真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第一膜層的膜材，其中第一膜層的膜材為銀的氧化物，在電子槍蒸鍍的作用下，銀的氧化物分解后以納米銀的形式附著于基板的表面，同時(shí)控制第一膜層蒸鍍的速率為1A/S，第一膜層最終形成厚度為5-20nm的納米銀層;其中所述銀的氧化物為Ag2〇、AgO或Ag2〇3 ；
B、鍍第二膜層3:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第二膜層3的膜材，第二膜層3的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟A中第一膜層2的表面，同時(shí)控制第二膜層3蒸鍍的速率為1.5A/S，第二膜層3最終形成后的厚度為10-50nm，其中第二膜層3的膜材為具有高反射性能的鉻或銀，形成高反射物質(zhì)層；
C、鍍第三膜層4:
保持真空鍍膜艙內(nèi)的真空度大于或等于5.0 X 10—3帕，同時(shí)保持真空鍍膜艙內(nèi)的溫度為50-70°C，采用電子槍轟擊第三膜層4的膜材，第三膜層4的膜材蒸發(fā)后以納米級(jí)分子形式沉積于上述步驟B中第二膜層3的表面，同時(shí)控制第三膜層4蒸鍍的速率為7A/S，第三膜層4最終形成后的厚度為10-50nm，其中第三膜層4的膜材為三氧化二鋁、氧化鋯、二氧化硅晶體或一氧化硅晶體，形成高硬度層。
[0024]步驟I)中，對(duì)基板I外表面清洗的具體方法如下:將基板I放在真空腔內(nèi)，用離子槍轟擊基板I的外表面3分鐘。