国产精品1024永久观看,大尺度欧美暖暖视频在线观看,亚洲宅男精品一区在线观看,欧美日韩一区二区三区视频,2021中文字幕在线观看

  • <option id="fbvk0"></option>
    1. <rt id="fbvk0"><tr id="fbvk0"></tr></rt>
      <center id="fbvk0"><optgroup id="fbvk0"></optgroup></center>
      <center id="fbvk0"></center>

      <li id="fbvk0"><abbr id="fbvk0"><dl id="fbvk0"></dl></abbr></li>

      角度調(diào)整裝置的制造方法

      文檔序號:8558038閱讀:436來源:國知局
      角度調(diào)整裝置的制造方法
      【技術(shù)領(lǐng)域】
      [0001]本實用新型涉及半導(dǎo)體工藝設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域,特別是涉及一種角度調(diào)整裝置。
      【背景技術(shù)】
      [0002]由于高密度等離子體(HDP,High Density Plasma)平均自由程較一般的等離子體輔助化學(xué)氣相沉積(PECVD)長,沉積時氣壓非常低,達(dá)到了毫托級別,并且其離化率是通常PECVD的100倍,約為0.1?10%,高密度等離子體沉積工藝在0.25微米以下半導(dǎo)體工藝中已普遍使用。高密度等離子體沉積的原理為:通過施加強電場,電解工藝氣體,解離出的離子在晶圓表面重新結(jié)合累積,最終形成所需的薄膜。然而在高密度等離子體沉積的過程中,解離出的離子在晶圓表面形成薄膜的同時也會在反應(yīng)腔室(Dome)內(nèi)部的表面逐漸累積成一層沉積膜,為了保證在沉積過程中晶圓片內(nèi)和面內(nèi)薄膜性能的均一性,在反應(yīng)腔室內(nèi)部的表面累積的沉積膜達(dá)到一定厚度時,就需要對所述反應(yīng)腔室進(jìn)行刻蝕清洗,目前清洗的方法主要為利用HF電離NF3,解離出來的電漿轟擊反應(yīng)腔室內(nèi)部,將所累積的沉積膜打掉,以達(dá)到清洗的效果。
      [0003]然而,無論是在高密度等離子體沉積工藝過程還是清洗過程,對所使用的氣體在反應(yīng)腔室內(nèi)的分布均勻度都有較高的要求,只有氣體分布均勻,所解離出來的離子的密度才會比較均勻,在高密度等離子體沉積工藝中生產(chǎn)出的薄膜均勻性才會更好,或在清洗的過程中清洗的效果才能達(dá)到最佳。這就對氣體噴嘴(inject1n)的噴射方向提出了較高的要求,在高密度等離子體沉積工藝中,只有所有工藝噴嘴都對準(zhǔn)一個地方,才能形成均勻的氣體分布,進(jìn)而達(dá)到均勻的離子密度,晶圓上生長的薄膜的均勻性才能最好;同樣道理,在清洗過程中,只有所有清洗噴嘴(inject1n)都對準(zhǔn)一個地方,才能形成均與的氣體分布,進(jìn)而達(dá)到均勻的離子密度,清洗的效果才能達(dá)到最佳。
      [0004]如圖1所示,在現(xiàn)有的高密度等離子體沉積設(shè)備的腔體10中,共有8個第一噴嘴12 (即工藝噴嘴)在反應(yīng)腔室內(nèi)沿周向均勻分布,共有2個第二噴嘴13 (即清洗噴嘴)在反應(yīng)腔室內(nèi)沿周向均勻分布,即相對分布。如圖2所示,在高密度等離子體沉積工藝過程中,所有的所述第一噴嘴12均與靜電卡盤11的徑向方向(即水平方向)成固定的夾角,譬如夾角45°,這樣才能保證所有的8個所述第一噴嘴12的中心線相較于所述靜電卡盤11的軸向中心線上的同一點,使得所述第一噴嘴12噴射出來的氣體才能均勻地分布在所述反應(yīng)腔室內(nèi),才能使得晶圓上形成的薄膜的均勻性最好。同樣的道理,在清洗過程中,所有的所述第二噴嘴13同樣均與所述靜電卡盤11的徑向方向成固定的夾角,譬如夾角為60°,這樣才能保證所有的2個所述第二噴嘴13的中心線相較于所述靜電卡盤11的軸向中心線上的同一點,使得所述第二噴嘴13噴射出來的氣體才能均勻地分布在所述反應(yīng)腔室內(nèi),才能使得清洗的效果達(dá)到最好。然而,現(xiàn)有的設(shè)備中,所述第一噴嘴12和所述第二噴嘴13均通過四根螺絲固定在所述反應(yīng)腔室11的內(nèi)壁上,所述第一噴嘴12和所述第二噴嘴13的噴射方向具有很大的自由度,每次更換噴嘴或?qū)娮旆较蜻M(jìn)行校準(zhǔn)時,只能憑借操作人員的經(jīng)驗和個人感覺,通過手動掰動噴嘴到以為合適的位置然后進(jìn)行鎖緊的方式進(jìn)行校準(zhǔn),這樣的校準(zhǔn)方法精準(zhǔn)度較低,無法保證每個所述第一噴嘴12或所述第二噴嘴13均對準(zhǔn)同一個地方,有很大的主觀誤差。然而,對于所述第一噴嘴12而言,如果不能確保每根所述第一噴嘴12的噴射方向均一致,在沉積工藝過程中,會引起沉積的薄膜厚度不均勻;對于所述第二噴嘴13而言,如果不能確保每根所述第二噴嘴13的噴射方向均一致,在清洗的過程中,會引起清洗的效果比較差;以上兩種情況都會在晶圓上產(chǎn)生缺陷,進(jìn)而影響產(chǎn)品的品質(zhì)和良率。
      [0005]因此,提供一種改進(jìn)型的角度調(diào)整裝置非常必要。
      【實用新型內(nèi)容】
      [0006]鑒于以上所述現(xiàn)有技術(shù)的缺點,本實用新型的目的在于提供一種角度調(diào)整裝置,用于解決現(xiàn)有技術(shù)中由于高密度等離子體沉積設(shè)備進(jìn)行更換噴嘴或?qū)娮旆较蜻M(jìn)行校準(zhǔn)時,不能精確校準(zhǔn)噴嘴的噴射方向,使得沉積的薄膜厚度不均勻或清洗過程中清洗效果差,進(jìn)而在晶圓上廣生缺陷,影響廣品的品質(zhì)和良率的冋題。
      [0007]為實現(xiàn)上述目的及其他相關(guān)目的,本實用新型提供一種角度調(diào)整裝置,所述角度調(diào)整裝置適用于高密度等離子體沉積設(shè)備,所述高密度等離子體沉積設(shè)備包括靜電卡盤、第一噴嘴和第二噴嘴,所述角度調(diào)整裝置包括:定位底盤、角度儀和校準(zhǔn)桿;其中,所述定位底盤置于所述靜電卡盤上,包括本體和支柱;所述支柱位于所述本體上表面的中心,且所述支柱的軸向中心線、所述本體的軸向中心線與所述靜電卡盤的軸向中心線三者相重合;所述角度儀的形狀為碗形,所述角度儀的底部設(shè)有插入孔,所述角度儀通過所述插入孔套置于所述支柱上;所述角度儀的側(cè)壁上設(shè)有若干個第一校準(zhǔn)孔和若干個第二校準(zhǔn)孔,且各個所述第一校準(zhǔn)孔的中心線及各個所述第二校準(zhǔn)孔的中心線均分別相交于所述支柱軸向中心線上的同一點;所述校準(zhǔn)桿包括第一校準(zhǔn)桿和第二校準(zhǔn)桿;所述第一校準(zhǔn)桿適于插入所述第一校準(zhǔn)孔,所述第二校準(zhǔn)桿適于插入所述第二校準(zhǔn)孔。
      [0008]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述本體的底部設(shè)有與所述靜電卡盤外形相匹配的凹槽,適于將所述定位底盤套置于所述靜電卡盤上。
      [0009]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述凹槽底部還設(shè)有一橡膠層O
      [0010]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述角度調(diào)整裝置還包括若干個定位針,且所述本體上設(shè)有與所述定位針數(shù)量相同的定位孔,所述定位針通過所述定位孔將所述定位底盤固定在所述靜電卡盤上。
      [0011]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一噴嘴的固定點位于與其相對應(yīng)的所述第一校準(zhǔn)孔的中心線上,所述第二噴嘴的固定點位于與其相對應(yīng)的所述第二校準(zhǔn)孔的中心線上。
      [0012]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一校準(zhǔn)孔與所述第二校準(zhǔn)孔均在所述角度儀的側(cè)壁上沿周向均勻分布。
      [0013]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一校準(zhǔn)孔為45°校準(zhǔn)孔,所述第二校準(zhǔn)孔為60°校準(zhǔn)孔。
      [0014]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一校準(zhǔn)孔的數(shù)目與所述第一噴嘴的數(shù)目相同,所述第二校準(zhǔn)孔的數(shù)目與所述第二噴嘴的數(shù)目相同。
      [0015]作為本實用新型的角度調(diào)整裝置的一種優(yōu)選方案,所述第一校準(zhǔn)孔的數(shù)目為8個,所述第二校準(zhǔn)孔的數(shù)目為2個。
      [0016]如上所述,本實用新型的角度調(diào)整裝置,具有以下有益效果:所述角度調(diào)整裝置能夠在每次更換噴嘴或需要對噴嘴噴射方向進(jìn)行校準(zhǔn)時,提供精確的校準(zhǔn),確保噴嘴方向的一致性,提高腔體內(nèi)部氣體分布的均勻度,提升清洗效果和沉積薄膜的表面均勻度,減少缺陷的廣生,進(jìn)而提尚廣品的品質(zhì)和良率。
      【附圖說明】
      [0017]圖1顯示為現(xiàn)有技術(shù)中高密度等離子體沉積設(shè)備中腔體的俯視結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0018]圖2顯示為現(xiàn)有技術(shù)中高密度等離子體沉積設(shè)備中腔體的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0019]圖3顯示為本實用新型的角度調(diào)整裝置置于靜電卡盤上時的縱截面結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0020]圖4顯示為本實用新型的角度儀的三維結(jié)構(gòu)示意圖。
      [0021]元件標(biāo)號說明
      [0022]10 腔體
      [0023]11靜電卡盤
      [0024]12第一噴嘴
      [0025]13第二噴嘴
      [0026]20 腔體
      [0027]21靜電卡盤
      [0028]22第一噴嘴
      [0029]23第二噴嘴
      [0030]24定位底盤
      [0031]241 本體
      [0032]242 支柱
      [0033]25角度儀
      [0034]251插入孔
      [0035]252第一校準(zhǔn)孔
      [0036]253第二校準(zhǔn)孔
      [0037]26校準(zhǔn)桿
      [0038]261第一校準(zhǔn)桿
      [0039]262第二校準(zhǔn)桿
      [0040]27橡膠層
      [0041]25定位針
      【具體實施方式】
      [0042]以下由特定的具體實施例說明本實用新型的實施方式,熟悉此技術(shù)的人士可由本說明書所揭露的內(nèi)容輕易地了解本實用新型的其他優(yōu)點及功效。
      [0043]請參閱圖3至圖4。須知,本說明書所附圖示所繪示的結(jié)構(gòu)、比例、大小等,均僅用以配合說明書所揭示的內(nèi)容,以供熟悉此技術(shù)的人士了解與閱讀,并非用以限定本實用新型可實施的限定條件,故不具技術(shù)上的實質(zhì)意義,任何結(jié)構(gòu)的修飾、比例關(guān)系的改變或大小的調(diào)整,在不影響本實用新型所能產(chǎn)生的功效及所能達(dá)成的目的下,均應(yīng)仍落在本實用新型所揭示的技術(shù)內(nèi)容得能涵蓋的范圍內(nèi)。同時,本說明書中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中部”及“一”等的用語,亦僅為便于敘述的明了,而非用以限定本實用新型可實施的范圍,其相對關(guān)系的改變或調(diào)整,在無實質(zhì)變更技術(shù)內(nèi)容下,當(dāng)亦視為本實用新型可實施的范疇。
      [0044]本實用新型提供一種角度調(diào)整裝置,
      當(dāng)前第1頁1 2 
      網(wǎng)友詢問留言 已有0條留言
      • 還沒有人留言評論。精彩留言會獲得點贊!
      1