基板載具的制作方法
【技術(shù)領(lǐng)域】
[0001]本實(shí)用新型是關(guān)于一種基板載具，尤其指一種可進(jìn)行由下往上鍍膜工藝的基板載具。
【背景技術(shù)】
[0002]請(qǐng)參考圖1與圖2。圖1繪示了公知基板載具的俯視圖，圖2繪示了圖1的基板載具沿剖線A-A’的剖視圖。如圖1與圖2所示，公知基板載具10具有一承載面10A、一定位部10B、一下表面1D以及一開口 1C貫穿基板載具10。承載面1A用以承接一基板1，以進(jìn)行由下往上鍍膜工藝。開口 1C的尺寸小于基板I的尺寸，且開口 1C具有一側(cè)壁1E垂直于承載面10A。
[0003]當(dāng)進(jìn)行鍍膜工藝時(shí)，基板I置放于基板載具10的承載面1A上并利用定位部1B定位并對(duì)應(yīng)于開口 10C，此時(shí)開口 1C會(huì)部分暴露出基板I的加工面。然而，在公知基板載具10承載基板I時(shí)，由于定位部1B具有尖銳直角的結(jié)構(gòu)，因此容易造成基板I在取放過(guò)程中因碰撞而破裂。再者，公知基板載具10的開口 1C的側(cè)壁1E具有一定寬度而會(huì)產(chǎn)生陰影效應(yīng)，因此會(huì)有鍍膜厚度不均勻情形發(fā)生，特別是在基板I的邊緣區(qū)域的膜層的厚度會(huì)明顯小于基板I的中央?yún)^(qū)域的膜層的厚度。鑒于上述因素，利用公知基板載具10進(jìn)行由下往上鍍膜工藝所形成的膜層的良率不佳，因此亟需一種基板載具以解決上述問(wèn)題。
【實(shí)用新型內(nèi)容】
[0004]本實(shí)用新型的目的在于提供一種基板載具，以解決基板鍍膜不均、鍍膜面積狹小與基板易破裂的問(wèn)題。
[0005]為實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供的基板載具，用以在一鍍膜工藝中承載至少一基板，基板載具包括一主框架(main frame)、一圖案化屏蔽層(patterned mask layer)和復(fù)數(shù)個(gè)擋塊(blocker)。主框架具有一上表面與一下表面，且主框架具有至少一第一開口貫穿主框架，圖案化屏蔽層設(shè)置于主框架的上表面，其中圖案化屏蔽層具有至少一第二開口對(duì)應(yīng)至少一第一開口，第二開口的尺寸小于第一開口的尺寸，圖案化屏蔽層具有一承載面，且第二開口的尺寸小于基板的尺寸。復(fù)數(shù)個(gè)擋塊設(shè)置于圖案化屏蔽層的承載面，其中各擋塊分別沿著第二開口的邊緣設(shè)置，用以將基板定位以對(duì)應(yīng)于第二開口。當(dāng)基板載具承載基板時(shí)，基板對(duì)應(yīng)第二開口而放置于圖案化屏蔽層的承載面，且第二開口與第一開口部分暴露出基板。
[0006]本實(shí)用新型的效果在于，基板載具包括主框架、圖案化屏蔽層和擋塊三個(gè)部分，如此一來(lái)，進(jìn)行鍍膜工藝時(shí)，可通過(guò)改變圖案化屏蔽層的大小來(lái)提升鍍膜面積。此外，擋塊可有效避免不預(yù)期破裂的發(fā)生，而由圖案化屏蔽層作為附加電路板搭配主框架的設(shè)計(jì)更可有效減少陰影效應(yīng)的影響，進(jìn)而改善公知技術(shù)所面臨的問(wèn)題。
【附圖說(shuō)明】
[0007]圖1繪示了公知基板載具的俯視圖。
[0008]圖2繪示了圖1的基板載具沿剖線A-A’的剖視圖。
[0009]圖3繪示了本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例的基板載具的俯視圖。
[0010]圖4繪示了圖3的基板載具沿剖線B-B’的剖視圖。
[0011]圖5繪示了本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例的一變化實(shí)施例的基板載具的示意圖。
[0012]圖6繪示了本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例的另一變化實(shí)施例的基板載具的俯視圖。
[0013]圖7繪示了圖6的基板載具沿剖線C-C’的剖視圖。
[0014]圖8繪示了本實(shí)用新型的第二較佳實(shí)施例的基板載具的俯視圖。
[0015]圖9繪示了圖8的基板載具沿剖線D-D’的剖視圖。
[0016]附圖中符號(hào)說(shuō)明
[0017]1，2基板;10，20，30，40，50基板載具;1A承載面;1B定位部;1C開口 ; 1D下表面；10E側(cè)壁；22主框架；24圖案化屏蔽層；26擋塊；28固定組件；2B下表面；22A上表面；22B下表面；222第一開口；222A側(cè)壁；224鏤空開孔；Θ i，Θ 2，Θ 3夾角；24A承載面；242第二開口 ；26A頂表面；26B底表面；262條狀結(jié)構(gòu)；264圓弧結(jié)構(gòu)；266側(cè)壁；2661第一側(cè)壁；2662第二側(cè)壁。
【具體實(shí)施方式】
[0018]為能更進(jìn)一步了解本實(shí)用新型，以下特列舉本實(shí)用新型的較佳實(shí)施例，并配合附圖，詳細(xì)說(shuō)明本實(shí)用新型的構(gòu)成內(nèi)容及所欲達(dá)成的功效。
[0019]請(qǐng)參考圖3與圖4。圖3繪示了本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例的基板載具的俯視圖，圖4繪示了圖3的基板載具沿剖線B-B’的剖視圖。如圖3與圖4所示，本實(shí)用新型的第一較佳實(shí)施例的基板載具20是用以承載至少一基板2，以進(jìn)行鍍膜工藝?；遢d具20包括一主框架(main frame) 22、一圖案化屏蔽層(patterned mask layer) 24以及復(fù)數(shù)個(gè)擋塊(blocker) 26ο在本實(shí)施例中，基板2例如可以是太陽(yáng)電池基板、半導(dǎo)體基板、透明基板或其它適合的基板。此外，鍍膜工藝可以是任何由下往上鍍膜工藝，例如物理氣相沉積工藝(例如:熱蒸鍍工藝或?yàn)R鍍工藝)，或其它適合的鍍膜工藝。
[0020]主框架22具有一上表面22Α與一下表面22Β，且主框架22具有至少一第一開口222貫穿主框架22。第一開口 222具有一傾斜的側(cè)壁222Α，亦即第一開口 222的側(cè)壁222Α具有導(dǎo)斜角(chamfer)設(shè)計(jì)，且第一開口 222在下表面22B的截面積大于第一開口 222在上表面22A的截面積。舉例而言，本實(shí)施例的第一開口 222的垂直剖面形狀為一梯形，但不以此為限，亦可為任何外擴(kuò)發(fā)散的圖形，例如:扇形。另外，主框架22的第一開口 222的側(cè)壁222A與主框架22的上表面22A具有一夾角Θ ^且?jiàn)A角Θ 4交佳實(shí)質(zhì)上介于30度與80度之間，例如夾角Θ i可為30度、45度、60度、80度或其它適合的角度。此外，主框架22的邊緣可具有復(fù)數(shù)個(gè)鏤空開孔224的設(shè)計(jì)，可使得主框架22邊緣的熱能不易逸散，由此可使得位于主框架22邊緣的基板2的溫度與位于主框架22中心的基板2的溫度相同或接近，以利于后續(xù)的鍍膜工藝。
[0021]圖案化屏蔽層24設(shè)置于主框架22的上表面22A，且圖案化屏蔽層24具有至少一第二開口 242對(duì)應(yīng)至少一第一開口 222，其中第二開口 242的尺寸小于第一開口 222的尺寸。在本實(shí)施例中，主框架22具有復(fù)數(shù)個(gè)第一開口 222，圖案化屏蔽層24具有復(fù)數(shù)個(gè)第二開口 242分別對(duì)應(yīng)第一開口 222。圖案化屏蔽層24具有一承載面24A，用以承載基板2，且第二開口 242的尺寸小于基板2的尺寸，由此基板2置放于圖案化屏蔽層24的承載面24A上時(shí)第二開口 242可以部分暴露出基板2。在本實(shí)施例中，圖案化屏蔽層24的厚度較佳小于或等于I毫米(mm)，但不以此為限。
[0022]擋塊26設(shè)置于圖案化屏蔽層24的承載面24A，且各擋塊26可分別沿著第二開口242的邊緣設(shè)置，用以將基板2定位以對(duì)應(yīng)于第二開口 242。舉例而言，各第二開口 242的邊緣分別設(shè)置四個(gè)擋塊26以將基板2定位對(duì)應(yīng)于第二開口 242。此外，各擋塊26具有一條狀結(jié)構(gòu)262，且條狀結(jié)構(gòu)262的兩端分別具有一圓弧結(jié)構(gòu)264，亦即條狀結(jié)構(gòu)262的兩端可具有導(dǎo)圓角(Fillet)設(shè)計(jì)，但不以此為限。此外，各擋塊26具有一底表面26B與一頂表面26A，其中底表面26B與圖案化屏蔽層24的承載面24A接觸，且底表面26B的面積可大于頂表面26A的面積。舉例而言，本實(shí)施例的擋塊26可具有導(dǎo)斜角設(shè)計(jì)，其垂直剖面形狀可為例如梯形，其中各擋塊26具有至少一側(cè)壁266，側(cè)壁266與底表面26B具有一夾角Θ 2，且?jiàn)A角θ2較佳實(shí)質(zhì)上介于為30度與80度之間，例如夾角Θ 2可為30度、45度、60度、80度或其它適合的角度。
[0023]在本實(shí)施例中，主框架22、圖案化屏蔽層24與擋塊26可以是三個(gè)獨(dú)立的組件，因此當(dāng)欲更改鍍膜的面積時(shí)，僅需將圖案化屏蔽層24移除并設(shè)計(jì)和更改圖案化屏蔽層24的大小即可，而不須另外設(shè)計(jì)新的擋塊26與主框架22，因此擋塊26與主框架22可重復(fù)利用并以此減少制造成本。主框架22、圖案化屏蔽層24與擋塊26的材料較佳地可分別獨(dú)立地選自金屬或合金例如鉬、鈦、鉭、鎢或不銹鋼，但不以此為限。另外，本實(shí)施例的基板載具20可另包括復(fù)數(shù)個(gè)固定組件28，用以將擋塊26固定于圖案化屏蔽層24的承載面24Α，但不以此為限。固定組件28可以是螺絲或任何能將擋塊26固定于圖案化屏蔽層24上的組件。
[0024]于進(jìn)行鍍膜工藝時(shí)，基板2被放置至基板載具20上。精確地說(shuō)，基板2會(huì)被放置在圖案化屏蔽層24的承載面24Α上，且基板2的下表面2Β會(huì)被第一開口 222與第二開口242所暴露出。擋塊26可以發(fā)揮對(duì)位作用，使基板2的位置對(duì)應(yīng)第二開口 242與第一開口222，且擋塊26的側(cè)壁266的導(dǎo)斜角設(shè)計(jì)可以避免基板2于放置至基板載具20的過(guò)程中因?yàn)榕鲎捕a(chǎn)生破裂。此外，主框架22的導(dǎo)斜角設(shè)計(jì)可利于基板2在鍍膜的過(guò)程中不易受到陰影效應(yīng)影響而避免基板2上各位置的鍍膜厚度不均勻的情形發(fā)生。另外，由于圖案化屏蔽層24的厚度實(shí)質(zhì)上小于或等于I毫米(mm)，因此當(dāng)進(jìn)行由下往上的鍍膜工藝時(shí)，基板2不會(huì)受到基板載具20的圖案化屏蔽層2