1.一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，包括以下步驟：
(1)往石英基管內(nèi)通入SiCl4和O2，加熱反應(yīng)，并沉積得到SiO2外包層；
(2)外包層沉積好后，通入SiCl4、BBr3和O2，加熱進(jìn)行反應(yīng)，在外包層上沉積SiO2/B2O3應(yīng)力區(qū)層；
(3)通入刻蝕氣體，以石英基管圓心為對(duì)稱點(diǎn)，刻蝕除去應(yīng)力區(qū)層對(duì)稱兩邊的部分應(yīng)力區(qū)，使得剩余部分的應(yīng)力區(qū)層的對(duì)稱兩邊互不連接，并替換刻蝕除去的應(yīng)力區(qū)，沉積與外包層組分相同的填充層；
(4)再次通入刻蝕氣體，刻蝕除去沉積在應(yīng)力區(qū)層上的填充層；
(5)刻蝕完成后，通入SiCl4、SF6和O2，加熱反應(yīng)，沉積得到內(nèi)包層；
(6)內(nèi)包層沉積完成后，通入SiCl4、GeCl4和O2，加熱進(jìn)行反應(yīng)，沉積得到棒芯層；
(7)沉積完成后，加熱石英基管對(duì)各層進(jìn)行燒結(jié)，即收縮得到光纖預(yù)制棒。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(1)中所述的SiCl4和O2的通入量的摩爾比為(1～1.2):1，反應(yīng)溫度為1850℃，沉積得到的外包層的厚度為0.8～2mm。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(2)中所述的SiCl4、BBr3和O2的通入量的摩爾比為(82～85)：(30～36)：150，其反應(yīng)溫度為1650～1850℃，沉積得到的應(yīng)力區(qū)層的厚度為4～6mm。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(3)和步驟(4)中所述的刻蝕氣體為SF6，刻蝕溫度為1450～1850℃；
步驟(3)中刻蝕除去的應(yīng)力區(qū)占整個(gè)應(yīng)力區(qū)層的體積百分比為30～40％。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(5)中所述的SiCl4、SF6和O2的通入量的摩爾比為(30～40)：1：(80～100)，其加熱反應(yīng)溫度為1850～2050℃，沉積得到的內(nèi)包層的厚度為2.1mm。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(6)中所述的SiCl4、GeCl4和O2的通入量的摩爾比為(2～3)：1：(10～20)，其加熱反應(yīng)溫度為1850～2050℃，沉積得到的棒芯層的厚度為0.8～1.2mm。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種光纖預(yù)制棒的制備方法，其特征在于，步驟(7)中所述的燒結(jié)溫度為2250～2450℃。
8.一種如權(quán)利要求1～7任一所述的制備方法制備得到的光纖預(yù)制棒，其特征在于，該光纖預(yù)制棒的棒芯為正圓形，棒芯與其余各沉積層之間的同心度差小于0.3mm。
9.一種如權(quán)利要求8所述的光纖預(yù)制棒的用于拉制圓保偏光纖或?qū)拵Ч饫w波片。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的光纖預(yù)制棒的應(yīng)用，其特征在于，拉制得到圓保偏光纖的纖芯模場(chǎng)的圓度大于90％。