技術特征：

1.一種氧化鎵襯底，單晶表面的線狀凹坑的密度的平均值為1000個/cm²以下。

2.根據權利要求1所述的氧化鎵襯底，所述單晶中的有效載流子濃度在1×10¹⁷[/cm³]～1×10²⁰[/cm³]的范圍內。

3.根據權利要求1所述的氧化鎵襯底，所述單晶中的有效載流子濃度在2.05×10¹⁷[/cm³]～2.23×10¹⁹[/cm³]的范圍內。