技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本文的實施方式大致涉及半導(dǎo)體基板的熱處理的基座。在一個實施方式中，基座包括第一緣、耦接至第一緣并被第一緣環(huán)繞的內(nèi)部區(qū)域、及一個或多個形成在內(nèi)部區(qū)域上的環(huán)狀突出。所述一個或多個環(huán)狀突出可被形成在內(nèi)部區(qū)域上的與被形成在基板上的谷的位置對應(yīng)的位置處，并且所述一個或多個環(huán)狀突出有助于減少或消除谷的形成。

技術(shù)研發(fā)人員：卡廷克·拉馬斯瓦米;卡爾蒂克·薩哈;尼歐·O·謬;舒伯特·S·楚;杰弗里·托賓;埃羅爾·安東尼奧·C·桑切斯;帕拉姆拉里·賈金德拉
受保護的技術(shù)使用者：應(yīng)用材料公司
技術(shù)研發(fā)日：2015.12.22
技術(shù)公布日：2017.08.29