本發(fā)明專利屬于光通信設(shè)備加工領(lǐng)域，尤其涉及一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜。
背景技術(shù)：
硅片制成的芯片是有名的“神算子”，有著驚人的運(yùn)算能力。無論多么復(fù)雜的數(shù)學(xué)問題、物理問題和工程問題，也無論計(jì)算的工作量有多大，工作人員只要通過計(jì)算機(jī)鍵盤把問題告訴它，并下達(dá)解題的思路和指令，計(jì)算機(jī)就能在極短的時(shí)間內(nèi)把答案告訴你。這樣，那些人工計(jì)算需要花費(fèi)數(shù)年、數(shù)十年時(shí)間的問題，計(jì)算機(jī)可能只需要幾分鐘就可以解決。甚至有些人力無法計(jì)算出結(jié)果的問題，計(jì)算機(jī)也能很快告訴你答案。
而在光通信設(shè)備的制造中，常常需要以硅為基底，在其上氧化出一層二氧化硅隔離層，但現(xiàn)有設(shè)備的控制精度較差。
發(fā)明專利內(nèi)容
針對(duì)以上現(xiàn)有存在的問題，本發(fā)明專利提供一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，結(jié)構(gòu)簡單，常用在光通信設(shè)備的制造中，能夠快速高效地在硅片上氧化出一層二氧化硅隔離層，且其控制精度較好。
本發(fā)明專利的技術(shù)方案在于：
本發(fā)明專利提供一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，包括導(dǎo)氣直管、隔熱蓋、內(nèi)罐、支撐罐、均熱罐和加熱圈，所述均熱罐和所述加熱圈安裝在所述支撐罐內(nèi)且三者的豎直中心線在同一直線上，所述加熱圈處于所述均熱罐和所述支撐罐之間，所述內(nèi)罐插入到所述均熱罐內(nèi)且其上端通過其上擋圈安裝在所述支撐罐外，所述隔熱蓋安裝在所述支撐罐上且其中心線與所述內(nèi)罐的中心線處于同一豎直直線上，所述導(dǎo)氣直管穿過所述隔熱蓋并固定安裝在所述內(nèi)罐上端。
進(jìn)一步地，所述導(dǎo)氣直管下端距離所述內(nèi)罐底部的距離是硅片上所需二氧化硅層厚度的2倍到3倍。
進(jìn)一步地，所述加熱圈采用高阻值電阻繞制而成。
本發(fā)明專利由于采用了上述技術(shù)，使之與現(xiàn)有技術(shù)相比具體的積極有益效果為：
1、本發(fā)明專利常用在光通信設(shè)備的制造中，能夠快速高效地在硅片上氧化出一層二氧化硅隔離層。
2、本發(fā)明專利控制精度較好，能夠產(chǎn)生較為理想的二氧化硅厚度。
3、本發(fā)明專利加熱性能好，便于使用。
4、本發(fā)明專利結(jié)構(gòu)簡單，安全可靠，具有良好的市場前景。
5、本發(fā)明專利產(chǎn)品性能好，使用壽命長。
附圖說明
圖1是本發(fā)明專利結(jié)構(gòu)的整體結(jié)構(gòu)立體圖。
圖中：1-導(dǎo)氣直管，2-隔熱蓋，3-內(nèi)罐，4-支撐罐，5-均熱罐，6-加熱圈。
具體實(shí)施方式
下面結(jié)合附圖和實(shí)施例對(duì)本發(fā)明專利作進(jìn)一步說明，本發(fā)明專利的實(shí)施方式包括但不限于下列實(shí)施例。
實(shí)施例：為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明專利采用的技術(shù)方案如下：
如圖1所示，本發(fā)明專利提供一種快速熱氧化方法制備的相變二氧化釩薄膜，包括導(dǎo)氣直管1、隔熱蓋2、內(nèi)罐3、支撐罐4、均熱罐5和加熱圈6，均熱罐5和加熱圈6安裝在支撐罐4內(nèi)且三者的豎直中心線在同一直線上，加熱圈6處于均熱罐5和支撐罐4之間，內(nèi)罐3插入到均熱罐5內(nèi)且其上端通過其上擋圈安裝在支撐罐4外，隔熱蓋2安裝在支撐罐4上且其中心線與內(nèi)罐3的中心線處于同一豎直直線上，導(dǎo)氣直管1穿過隔熱蓋2并固定安裝在內(nèi)罐3上端。
本發(fā)明專利進(jìn)一步設(shè)置為：導(dǎo)氣直管1下端距離內(nèi)罐3底部的距離是硅片上所需二氧化硅層厚度的2倍到3倍，能夠利用導(dǎo)氣直管1下端距離內(nèi)罐3底部的距離變化確定一定量的高壓氧氣散逸到內(nèi)罐3底部的硅片上。
本發(fā)明專利進(jìn)一步設(shè)置為：加熱圈6采用高阻值電阻繞制而成。
以上對(duì)本發(fā)明專利的一個(gè)實(shí)施例進(jìn)行了詳細(xì)說明，但所述內(nèi)容僅為本發(fā)明專利的較佳實(shí)施例，不能被認(rèn)為用于限定本發(fā)明專利的實(shí)施范圍。凡依本發(fā)明專利申請(qǐng)范圍所作的均等變化與改進(jìn)等，均應(yīng)仍歸屬于本發(fā)明專利的專利涵蓋范圍之內(nèi)。