1.一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于該制作方法按以下步驟進行：
一、采用體積比HCl：HNO3＝1:(3～3.5)的混酸對GaSe晶錠表面刻蝕1～2分鐘，然后用超純水清洗、烘干；
二、將GaSe晶錠放入石英小舟或氮化硼小舟中，再把小舟放于石英管中部；在小舟兩端放置GaSe多晶粉末，晶錠與多晶粉末的質(zhì)量比為10:(1～2)；或在小舟的一端放GaSe多晶粉末，另一端放單質(zhì)Se，晶錠與多晶粉末的質(zhì)量比為10:(0.5～1)，晶錠與Se的質(zhì)量比為10:(0.05～0.1)；然后對石英管抽真空至10-4～10-6Pa，用氫氧火焰熔封石英管，放入單溫區(qū)電阻爐中；
三、電阻爐升溫至450℃～500℃，保溫100h～150h，然后以20℃～25℃/h降溫速率降溫至室溫，得到退火晶錠；
四、將退火晶錠沿垂直于c軸方向解離成自然光滑平面，并將此自然光滑平面固定在切割機支架面板上，然后切割成正方形塊，最后再沿垂直于c軸方向修整成晶體塊；
五、準備好底座(7)、上蓋(6)、聚四氟乙烯外套(8)和固定螺母(9)，其中底座(7)和上蓋(6)的材料為金屬，在底座(7)與上蓋(6)中間設置孔洞，將GaSe晶體塊用膠固定在底座的孔洞的位置，套上聚四氟乙烯外套(8)，加上上蓋(6)，再用固定螺母(9)將底座(7)與上蓋(6)連接起來，得到非線性晶體GaSe元器件。
2.根據(jù)權利要求1所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟一中的烘干溫度為50℃～60℃。
3.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟一中的石英管抽真空至10-4～10-6Pa。
4.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟三中電阻爐的升溫速率為40～60℃/h。
5.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟三中退火溫度為470℃～480℃。
6.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟三中電阻爐的降溫速率為20℃～25℃/h。
7.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟四中GaSe晶體塊的厚度為10mm～15mm。
8.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟五中，固定用的膠為熱熔膠或UV膠。
9.根據(jù)權利要求1或2所述的一種非線性晶體GaSe元器件的制作方法，其特征在于步驟五中，底座(7)和上蓋(6)的材料為鋁或銅。