本發(fā)明涉及單晶硅片制絨添加劑及應(yīng)用。

背景技術(shù)：

目前單晶硅片的常規(guī)制絨工藝一般采用氫氧化鈉或氫氧化鉀，并適當(dāng)添加無醇制絨添加劑進(jìn)行制絨。該制絨工藝比較適應(yīng)砂漿片，但隨著金剛線切割硅片的普及，上述制絨工藝已無法滿足產(chǎn)線需求。

與傳統(tǒng)砂漿片相比，金剛線切割硅片線痕重，損傷層小，反應(yīng)速度慢，如果依然使用常規(guī)制絨添加劑，會(huì)導(dǎo)致制絨時(shí)間過長，產(chǎn)能下降，并且制絨金字塔均勻性不好，不利于進(jìn)一步提高電池效率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的在于提供一種單晶硅片制絨添加劑及應(yīng)用，在單晶硅片制絨液中添加本發(fā)明的添加劑，能使制絨反應(yīng)變快，可對(duì)金剛線切割的單晶硅片進(jìn)行快速制絨，使得產(chǎn)能提高，并且可以獲得均勻、密集的絨面金字塔，降低反射率，提高電池效率。

為實(shí)現(xiàn)上述目的，本發(fā)明提供一種單晶硅片制絨添加劑，其各組分的質(zhì)量百分含量為：A組分0.1%～30%，B組分0.01%～10%，余量為水；

所述A組分選自冠醚、冠醚衍生物和冠醚的堿金屬絡(luò)合物中的一種或幾種；

所述B組分為醇醚。

優(yōu)選的，單晶硅片制絨添加劑中各組分的質(zhì)量百分含量為：A組分15%～30%，B組分5%～10%，余量為水。

優(yōu)選的，所述冠醚選自12-冠醚-4、15-冠醚-5和18-冠醚-6中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述冠醚衍生物為苯并-15-冠醚-5。

優(yōu)選的，所述冠醚的堿金屬絡(luò)合物選自12-冠醚-4的鈉離子絡(luò)合物、12-冠醚-4的鉀離子絡(luò)合物、15-冠醚-5的鈉離子絡(luò)合物、15-冠醚-5的鉀離子絡(luò)合物、18-冠醚-6的鈉離子絡(luò)合物和18-冠醚-6的鉀離子絡(luò)合物中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述醇醚選自乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚和三丙二醇甲醚中的一種或幾種。

優(yōu)選的，所述水為去離子水。

本發(fā)明還提供一種用于單晶硅片制絨的制絨液，其含有堿溶液和上述單晶硅片制絨添加劑，所述單晶硅片制絨添加劑與堿溶液的質(zhì)量比為0.2～5:100，所述堿溶液為無機(jī)堿或有機(jī)堿的水溶液。

優(yōu)選的，所述堿溶液為0.5～5wt％的氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液。

本發(fā)明還提供一種單晶硅片的制絨方法，利用上述制絨液對(duì)單晶硅片進(jìn)行表面制絨。

上述單晶硅片的制絨方法的具體步驟包括：

1）配置制絨添加劑：將質(zhì)量百分比為0.1%～30%的A組分、0.01%～10%的B組分加入到余量的水中，混合均勻配成制絨添加劑；

2）配置制絨液：將步驟1）制成的制絨添加劑加到堿溶液中，混合均勻配成制絨液；所述制絨添加劑與堿溶液的質(zhì)量比為0.2～5:100；所述堿溶液為無機(jī)堿或有機(jī)堿的水溶液；

3）將單晶硅片浸入步驟2）制得的制絨液中進(jìn)行表面制絨，制絨溫度為70～90℃，制絨時(shí)間為150～850s。

優(yōu)選的，步驟3）中的制絨時(shí)間為150～300s。

本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和有益效果在于：提供一種單晶硅片制絨添加劑及應(yīng)用，在單晶硅片制絨液中添加本發(fā)明的添加劑，能使制絨反應(yīng)變快，可對(duì)金剛線切割的單晶硅片進(jìn)行快速制絨（制絨時(shí)間可為150～300s），使得產(chǎn)能提高，并且可以獲得均勻、密集的絨面金字塔，降低反射率，提高電池效率。

制絨添加劑中的A組分（冠醚、冠醚衍生物和冠醚的堿金屬絡(luò)合物中的一種或幾種）可以起到輔助脫泡的作用，可有效改善單晶硅片和制絨液間的表面張力，從而使得硅片表面反應(yīng)所產(chǎn)生的氣泡快速脫離，進(jìn)而使制絨反應(yīng)變快。

制絨添加劑中的B組分（醇醚）可以起到輔助出絨的作用，其提供了大量的出絨核心，從而可以獲得高密度且均勻性好的絨面。

附圖說明

圖1是本發(fā)明制絨所得單晶硅片表面絨面的掃描電鏡平面圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式作進(jìn)一步描述。以下實(shí)施例僅用于更加清楚地說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而不能以此來限制本發(fā)明的保護(hù)范圍。

本發(fā)明具體實(shí)施的技術(shù)方案是：

一種單晶硅片的制絨方法，具體步驟包括：

1）配置制絨添加劑：將質(zhì)量百分比為0.1%～30%的A組分、0.01%～10%的B組分加入到余量的水中，混合均勻配成制絨添加劑；

2）配置制絨液：將步驟1）制成的制絨添加劑加到堿溶液中，混合均勻配成制絨液；所述制絨添加劑與堿溶液的質(zhì)量比為0.2～5:100；所述堿溶液為無機(jī)堿或有機(jī)堿的水溶液；

3）將單晶硅片浸入步驟2）制得的制絨液中進(jìn)行表面制絨，制絨溫度為70～90℃，制絨時(shí)間為150～850s；

其中，

步驟1）中的A組分選自冠醚、冠醚衍生物和冠醚的堿金屬絡(luò)合物中的一種或幾種；

所述冠醚選自12-冠醚-4、15-冠醚-5和18-冠醚-6中的一種或幾種；

所述冠醚衍生物為苯并-15-冠醚-5；

所述冠醚的堿金屬絡(luò)合物選自12-冠醚-4的鈉離子絡(luò)合物、12-冠醚-4的鉀離子絡(luò)合物、15-冠醚-5的鈉離子絡(luò)合物、15-冠醚-5的鉀離子絡(luò)合物、18-冠醚-6的鈉離子絡(luò)合物和18-冠醚-6的鉀離子絡(luò)合物中的一種或幾種；

步驟1）中的B組分為醇醚；

所述醇醚選自乙二醇丁醚、二乙二醇丁醚、丙二醇丙醚、丙二醇甲醚、丙二醇丁醚、二丙二醇丙醚和三丙二醇甲醚中的一種或幾種；

步驟1）中的水可選去離子水；

步驟2）中的堿溶液為0.5～5wt％的氫氧化鈉或氫氧化鉀水溶液。

優(yōu)選的，步驟1）中的制絨添加劑由15%～30%的A組分、5%～10%的B組分和余量的水混合均勻配制而成；相應(yīng)的，步驟3）中的制絨時(shí)間可為150～300s。

本發(fā)明制絨所得單晶硅片，其表面絨面的掃描電鏡平面圖如圖1所示。

以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，應(yīng)當(dāng)指出，對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員來說，在不脫離本發(fā)明技術(shù)原理的前提下，還可以做出若干改進(jìn)和潤飾，這些改進(jìn)和潤飾也應(yīng)視為本發(fā)明的保護(hù)范圍。