本發(fā)明涉及太陽能電池用多晶硅鑄錠裝料領(lǐng)域，特別是一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法。

背景技術(shù)：

多晶硅，是單質(zhì)硅的一種形態(tài)。熔融的單質(zhì)硅在過冷條件下凝固時，硅原子以金剛石晶格形態(tài)排列成許多晶核，如這些晶核長成晶面取向不同的晶粒，則這些晶粒結(jié)合起來，就結(jié)晶成多晶硅。利用價值：從目前國際太陽電池的發(fā)展過程可以看出其發(fā)展趨勢為單晶硅、多晶硅、帶狀硅、薄膜材料（包括微晶硅基薄膜、化合物基薄膜及染料薄膜）。

在生產(chǎn)多晶硅時，需進(jìn)行鑄錠，大多數(shù)設(shè)備多是采用G6設(shè)備進(jìn)行裝料，原先的裝料方法裝料量少且不合理，對裝料誤差的要求較高，容易出現(xiàn)漏硅的現(xiàn)象。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

針對上述問題，本發(fā)明公開了一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法。

為解決以上技術(shù)問題，本發(fā)明提供的技術(shù)方案是:

一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其特征在于，包括以下步驟：

1、墊底：于鑄錠坩堝底部平鋪一層籽晶；

2、護(hù)底：于籽晶上，平鋪一層尾部回收料，所述尾部回收料為，其數(shù)量為36片，呈6*6縱橫排布；

3、護(hù)底填充：尾部回收料的周邊與鑄錠坩堝之間留有間隙，于間隙內(nèi)撒上碎多晶，并使碎多晶的上端面與尾部回收料的上端面水平；

4、第一層裝料：所述第一層裝料包括以下4個步驟：（1）沿鑄錠坩堝內(nèi)壁擺放第一層護(hù)邊邊皮，所述第一層護(hù)邊邊皮緊貼鑄錠坩堝內(nèi)壁，擺放完成的第一層護(hù)邊邊皮呈長方形排布；（2）擺放晶磚和第一層晶棒，所述晶磚的數(shù)量為4個，分別擺放于第一層護(hù)邊邊皮所呈的長方形的4個角處，所述第一層晶棒擺放于第一層護(hù)邊邊皮所呈的長方形的內(nèi)部；（3）將還原多晶塊料擺放于第一層晶棒上方，并將第一層還原多晶籽料填充與第一層護(hù)邊邊皮、晶磚和第一層晶棒之間的間隙內(nèi)，所述第一層還原多晶籽料按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第一層晶棒高度；

5、第二層裝料：（1）沿鑄錠坩堝內(nèi)壁擺放第二層護(hù)邊邊皮，所述第二層護(hù)邊邊皮緊貼鑄錠坩堝內(nèi)壁，位于第一層護(hù)邊邊皮上方，擺放完成的第二層護(hù)邊邊皮呈長方形排布；（2）將第二層晶棒擺放于還原多晶塊料上方；（3）將第二層還原多晶籽料填充于第一層護(hù)邊邊皮、第二層護(hù)邊邊皮、還原多晶塊料和第二層晶棒之間的間隙內(nèi)，所述第二層還原多晶籽料按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第二層晶棒高度，在其上撒上母合金，母合金的重量為300g；

6、上層料填充：第二層裝料完成后，在第二層裝料上繼續(xù)填充第三層還原多晶籽料，并按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第二層護(hù)邊邊皮高度；

7、壘墻邊皮設(shè)置和頂料填充：上層料填充完成后，將壘墻邊皮插在上層料上，壘墻邊皮呈長方形排布，其外壁與鑄錠坩堝之間留有間隙，并通過碎多晶填充，填充位置與鑄錠坩堝的上端面的間距為3cm，壘墻邊皮所呈的長方形內(nèi)部通過第四層還原多晶籽料，按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到壘墻邊皮高度，此時鑄錠坩堝填料完成。

上述的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述第二層護(hù)邊邊皮的厚度小于第一層護(hù)邊邊皮的厚度。

上述的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述第一層還原多晶籽料、第二層還原多晶籽料、第三層還原多晶籽料和第四層還原多晶籽料以直徑大小進(jìn)行大-中-小區(qū)分，大還原多晶籽料的直徑區(qū)間為7~10CM，中還原多晶籽料的直徑區(qū)間為5~7CM，小還原多晶籽料的直徑區(qū)間為3~5CM。

上述的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述壘墻邊皮凸出于鑄錠坩堝上端面，突出高度為5~7CM。

上述的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述母合金為硅硼母合金。

本發(fā)明的有益效果為：

本發(fā)明公開的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，包括墊底、護(hù)底、護(hù)底填充、第一層裝料、第二層裝料、上層料填充、壘墻邊皮設(shè)置和頂料填充等多個步驟，合理分布了晶磚和晶棒，優(yōu)化了邊皮設(shè)置，不僅有效提高了6%-8%的裝料量，同時漏硅率的大大降低。

附圖說明

圖1鑄錠坩堝中部縱截面剖視圖。

圖2第一層裝料時，鑄錠坩堝角落俯視圖。

具體實施方式

一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其特征在于，包括以下步驟：

1、墊底：于鑄錠坩堝1底部平鋪一層籽晶2；

2、護(hù)底：于籽晶2上，平鋪一層尾部回收料3，其數(shù)量為36片，呈6*6縱橫排布；

3、護(hù)底填充：尾部回收料3的周邊與鑄錠坩堝1之間留有間隙，于間隙內(nèi)撒上碎多晶4，并使碎多晶4的上端面與尾部回收料3的上端面水平；

4、第一層裝料：所述第一層裝料包括以下4個步驟：（1）沿鑄錠坩堝1內(nèi)壁擺放第一層護(hù)邊邊皮5，所述第一層護(hù)邊邊皮5緊貼鑄錠坩堝1內(nèi)壁，擺放完成的第一層護(hù)邊邊皮5呈長方形排布；（2）擺放晶磚6和第一層晶棒7，所述晶磚6的數(shù)量為4個，分別擺放于第一層護(hù)邊邊皮5所呈的長方形的4個角處，所述第一層晶棒7擺放于第一層護(hù)邊邊皮5所呈的長方形的內(nèi)部；（3）將還原多晶塊料8擺放于第一層晶棒7上方，并將第一層還原多晶籽料9填充與第一層護(hù)邊邊皮5、晶磚6和第一層晶棒7之間的間隙內(nèi)，所述第一層還原多晶籽料9按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第一層晶棒7高度；

5、第二層裝料：（1）沿鑄錠坩堝1內(nèi)壁擺放第二層護(hù)邊邊皮10，所述第二層護(hù)邊邊皮10緊貼鑄錠坩堝1內(nèi)壁，位于第一層護(hù)邊邊皮5上方，擺放完成的第二層護(hù)邊邊皮10呈長方形排布；（2）將第二層晶棒11擺放于還原多晶塊料8上方；（3）將第二層還原多晶籽料12填充于第一層護(hù)邊邊皮5、第二層護(hù)邊邊皮10、還原多晶塊料8和第二層晶棒11之間的間隙內(nèi)，所述第二層還原多晶籽料12按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第二層晶棒11高度，在其上撒上母合金，母合金的重量為300g；

6、上層料填充：第二層裝料完成后，在第二層裝料上繼續(xù)填充第三層還原多晶籽料13，并按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到第二層護(hù)邊邊皮10高度；

7、壘墻邊皮設(shè)置和頂料填充：上層料填充完成后，將壘墻邊皮14插在上層料上，壘墻邊皮14呈長方形排布，其外壁與鑄錠坩堝1之間留有間隙，并通過碎多晶4填充，填充位置與鑄錠坩堝1的上端面的間距為3cm，壘墻邊皮14所呈的長方形內(nèi)部通過第四層還原多晶籽料15，按大-中-小的順序自下而上填充，直至達(dá)到壘墻邊皮14高度，此時鑄錠坩堝1填料完成。

上述的一種用于棒狀料裝填的新型裝料方法，其中，所述母合金為硅硼母合金。

以上所述，僅為本發(fā)明較佳的具體實施方式，但本發(fā)明的保護(hù)范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到的變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)該以權(quán)利要求書的保護(hù)范圍為準(zhǔn)。