背景技術(shù)：

本公開(kāi)一般涉及具有增強(qiáng)溫度能力的環(huán)境阻擋涂層和粘結(jié)涂層的高溫制品。更具體而言，本公開(kāi)涉及具有環(huán)境阻擋涂層和粘結(jié)涂層的高溫陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料制品及其形成方法，所述環(huán)境阻擋涂層和粘結(jié)涂層構(gòu)造以形成和/或包括無(wú)定形的和失透抵抗的熱生長(zhǎng)氧化物區(qū)域。

高溫材料，例如陶瓷、合金和金屬間化物，提供了在經(jīng)設(shè)計(jì)在例如燃?xì)鉁u輪發(fā)動(dòng)機(jī)、熱交換器和內(nèi)燃機(jī)的這些應(yīng)用中的高溫工作的結(jié)構(gòu)中使用的有吸引力的性質(zhì)。然而，這些應(yīng)用的環(huán)境特征通常包括反應(yīng)物類(lèi)，例如水蒸氣，其在高溫下可能造成材料結(jié)構(gòu)的顯著劣化。例如，水蒸氣已經(jīng)表明在含硅材料中造成顯著的表面衰退和質(zhì)量損失。水蒸氣與結(jié)構(gòu)材料在高溫下反應(yīng)以形成揮發(fā)性含硅物類(lèi)，通常造成不可接受的高衰退速率。

將環(huán)境阻擋涂層（ebc）施加到含硅材料和其它容易被反應(yīng)物類(lèi)，例如高溫水蒸氣侵蝕的材料上；ebc通過(guò)防止環(huán)境與含硅基材的表面之間的接觸來(lái)提供保護(hù)。施加到含硅基材上的ebc例如被設(shè)計(jì)成在高溫含水蒸氣環(huán)境中相對(duì)化學(xué)穩(wěn)定。如美國(guó)專(zhuān)利no.6,410,148中所述的一個(gè)例示性常規(guī)ebc體系包括施加到含硅基材上的硅或二氧化硅粘結(jié)層（還在文中稱(chēng)為粘結(jié)涂層）；沉積在粘結(jié)層例如硅粘結(jié)層上的包含富鋁紅柱石或富鋁紅柱石-堿土鋁硅酸鹽混合物的中間層；和沉積在中間層上的包含堿土鋁硅酸鹽的頂層。在另一實(shí)例，美國(guó)專(zhuān)利no.6,296,941中，頂層是硅酸釔層而非鋁硅酸鹽。

上述涂層體系可以在苛刻環(huán)境中為制品提供合適的熱和環(huán)境保護(hù)，但還有機(jī)會(huì)改進(jìn)涂層性能。

因此，在本領(lǐng)域中需要具有改進(jìn)溫度能力的制品的ebc體系，及相關(guān)制品和方法。類(lèi)似地，需要包括增強(qiáng)溫度能力的具有環(huán)境阻擋涂層和粘結(jié)涂層的陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料制品，和用于制備它們的相關(guān)方法。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

一方面，本公開(kāi)提供一種制品，其包括包含含硅材料的基材、布置在所述基材上的環(huán)境阻擋涂層(ebc)和布置在所述基材和所述ebc之間的粘結(jié)涂層，所述粘結(jié)涂層包含硅。所述制品還包含布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物的硼源。

在一些實(shí)施方案中，所述氧化物包含至少約0.5重量%硼。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物包含不超過(guò)約10重量%硼。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物為基本上無(wú)定形的和基本上失透抵抗的。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物布置在所述粘結(jié)涂層和所述ebc之間。在一些實(shí)施方案中，所述粘結(jié)涂層包含硼源。在一些實(shí)施方案中，所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。在一些實(shí)施方案中，所述硼源包含硅固溶體中的元素硼。在一些實(shí)施方案中，所述硼源包含含硼化合物。在一些實(shí)施方案中，所述ebc包括鄰近所述粘結(jié)涂層的多孔層。

在一些實(shí)施方案中，所述ebc包括氣密層。在一些這樣的實(shí)施方案中，所述ebc包含硼源。在一些實(shí)施方案中，所述硼源的至少一部分插入在所述粘結(jié)涂層的至少一部分和所述ebc的至少一部分之間。在一些這樣的實(shí)施方案中，所述硼源的至少另一部分布置在所述基材、所述ebc、所述粘結(jié)涂層或包括前述任一種的組合內(nèi)。在一些實(shí)施方案中，所述制品還包括布置在所述ebc和所述粘結(jié)涂層之間的氧化物層、包含硅和至少約0.1重量%硼的氧化物層。在一些實(shí)施方案中，所述基材的含硅材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)。

另一方面，本公開(kāi)提供一種制品，其包括包含含硅材料的基材、布置在所述基材上的環(huán)境阻擋涂層(ebc)、布置在所述基材和所述ebc之間的包含硅的粘結(jié)涂層和鄰近所述粘結(jié)涂層的包含硅和至少0.1%硼的氧化物。

在一些實(shí)施方案中，所述氧化物還包含至少0.5重量%硼。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物為基本上無(wú)定形的和失透抵抗的。在一些實(shí)施方案中，所述制品還包含布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供硼到所述氧化物的硼源。在一些這樣的實(shí)施方案中，所述粘結(jié)涂層包含硼源。在一些其他這樣的實(shí)施方案中，所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。

另一方面，本公開(kāi)提供產(chǎn)生部件的方法。所述方法包括在含硅基材上布置包含硅的粘結(jié)涂層，和在粘結(jié)涂層上布置環(huán)境阻擋涂層(ebc)。所述方法還包括提供布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物的硼源。

在一些實(shí)施方案中，所述方法還包括在氧化環(huán)境中加熱所述粘結(jié)涂層以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物包含至少約0.5重量%硼。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物包含不超過(guò)約10重量%硼。在一些實(shí)施方案中，所述氧化物為基本上無(wú)定形的和失透抵抗的。在一些實(shí)施方案中，所述粘結(jié)涂層包含硼源。在一些實(shí)施方案中，所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。

在一些實(shí)施方案中，所述基材的含硅材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)。在一些實(shí)施方案中，所述硼源在氧化物形成期間形成氣態(tài)副產(chǎn)物，且在所述粘結(jié)涂層上形成ebc包括鄰近所述粘結(jié)涂層形成多孔層，允許氣態(tài)副產(chǎn)物通過(guò)多孔層行進(jìn)。

在一些實(shí)施方案中，在所述粘結(jié)涂層上形成ebc包括形成氣密層，避免含硼氣態(tài)副產(chǎn)物在其形成期間從所述氧化物遷移開(kāi)。

在一些實(shí)施方案中，提供所述硼源包括在插入在所述粘結(jié)涂層的至少一部分和所述ebc的至少一部分之間的中間層內(nèi)提供所述硼源的至少一部分。在一些這樣的實(shí)施方案中，所述方法還包括在所述基材、所述ebc和所述粘結(jié)涂層中的至少一個(gè)內(nèi)提供所述硼源的至少一部分。

結(jié)合附圖從本公開(kāi)的以下各種方面的詳述，本公開(kāi)的這些和其他方面、特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。

本發(fā)明還涉及以下方面：

1.一種制品(10)，其包括：

包含含硅材料的基材(12)；

布置在所述基材(12)上的環(huán)境阻擋涂層(ebc)(16)；

布置在所述基材(12)和所述ebc(16)之間的粘結(jié)涂層(14)，所述粘結(jié)涂層(14)包含硅；和

布置以在將粘結(jié)涂層(14)暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物(18)的硼源(20)。

2.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述氧化物(18)包含至少約0.5重量%硼。

3.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述氧化物(18)包含不超過(guò)約10重量%硼。

4.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述氧化物(18)為基本上無(wú)定形的和基本上失透抵抗的。

5.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述氧化物(18)布置在所述粘結(jié)涂層(14)和所述ebc(16)之間。

6.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述粘結(jié)涂層(14)包含硼源(20)。

7.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述基材(12)、所述ebc(16)或這兩者包含硼源(20)。

8.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述硼源(20)包含硅固溶體中的元素硼。

9.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述硼源(20)包括含硼化合物。

10.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述ebc(16)包括至少一個(gè)鄰近所述粘結(jié)涂層(14)的多孔層(14)和氣密層(540)。

11.第10項(xiàng)的制品(10)，其中所述ebc(16)包含硼源(20)。

12.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述硼源(20)的至少一部分插入在所述粘結(jié)涂層(14)的至少一部分和所述ebc(16)的至少一部分之間。

13.第12項(xiàng)的制品(10)，其中所述硼源(20)的至少另一部分布置在所述基材(12)、所述ebc(16)、所述粘結(jié)涂層(14)或包括前述任一種的組合內(nèi)。

14.第1項(xiàng)的制品(10)，其還包括布置在所述ebc(16)和所述粘結(jié)涂層(14)之間的氧化物(18)層，其中所述氧化物(18)層包含硅和至少約0.1重量%硼。

15.第1項(xiàng)的制品(10)，其中所述基材(12)的含硅材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)。

16.一種制品，其包括：

包含含硅材料的基材；

布置在所述基材上的環(huán)境阻擋涂層(ebc)；

布置在所述基材和所述ebc之間的粘結(jié)涂層，所述粘結(jié)涂層包含硅；和

布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物的硼源。

17.第16項(xiàng)的制品，其中所述氧化物包含至少約0.5重量%硼。

18.第16項(xiàng)的制品，其中所述氧化物包含不超過(guò)約10重量%硼。

19.第16項(xiàng)的制品，其中所述氧化物為基本上無(wú)定形的和基本上失透抵抗的。

20.第16項(xiàng)的制品，其中所述氧化物布置在所述粘結(jié)涂層和所述ebc之間。

21.第16項(xiàng)的制品，其中所述粘結(jié)涂層包含硼源。

22.第16項(xiàng)的制品，其中所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。

23.第16項(xiàng)的制品，其中所述硼源包含硅固溶體中的元素硼。

24.第16項(xiàng)的制品，其中所述硼源包括含硼化合物。

25.第16項(xiàng)的制品，其中所述ebc包括鄰近所述粘結(jié)涂層的多孔層。

26.第16項(xiàng)的制品，其中所述ebc包括氣密層。

27.第26項(xiàng)的制品，其中所述ebc包含硼源。

28.第16項(xiàng)的制品，其中所述硼源的至少一部分插入在所述粘結(jié)涂層的至少一部分和所述ebc的至少一部分之間。

29.第28項(xiàng)的制品，其中所述硼源的至少另一部分布置在所述基材、所述ebc、所述粘結(jié)涂層或包括前述任一種的組合內(nèi)。

30.第16項(xiàng)的制品，其還包括布置在所述ebc和所述粘結(jié)涂層之間的氧化物層，其中所述氧化物層包含硅和至少約0.1重量%硼。

31.第16項(xiàng)的制品，其中所述基材的含硅材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)。

32.一種制品，其包括：

包含含硅材料的基材；

布置在所述基材上的環(huán)境阻擋涂層(ebc)；

布置在所述基材和所述ebc之間的粘結(jié)涂層，所述粘結(jié)涂層包含硅；和

鄰近所述粘結(jié)涂層的包含硅和至少0.1%硼的氧化物。

33.第32項(xiàng)的制品，其中所述氧化物還包含至少0.5重量%硼。

34.第32項(xiàng)的制品，其中所述氧化物為基本上無(wú)定形的和失透抵抗的。

35.第32項(xiàng)的制品，其還包含布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供硼到氧化物的硼源。

36.第35項(xiàng)的制品，其中所述粘結(jié)涂層包含硼源。

37.第35項(xiàng)的制品，其中所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。

38.產(chǎn)生部件的方法，所述方法包括：

在含硅基材上布置包含硅的粘結(jié)涂層；

在粘結(jié)涂層上布置環(huán)境阻擋涂層(ebc)；和

提供布置以在將粘結(jié)涂層暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物的硼源。

39.第38項(xiàng)的方法，其中所述方法還包括在氧化環(huán)境中加熱所述粘結(jié)涂層以形成包含硅和至少0.1重量%硼的氧化物。

40.第38項(xiàng)的方法，其中所述氧化物包含至少約0.5重量%硼。

41.第38項(xiàng)的方法，其中所述氧化物包含不超過(guò)約10重量%硼。

42.第38項(xiàng)的方法，其中所述氧化物為基本上無(wú)定形的和失透抵抗的。

43.第38項(xiàng)的方法，其中所述粘結(jié)涂層包含硼源。

44.第38項(xiàng)的方法，其中所述基材、所述ebc或這兩者包含硼源。

45.第38項(xiàng)的方法，其中所述基材的含硅材料為陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)。

46.第38項(xiàng)的方法，其中所述硼源在氧化物形成期間形成氣態(tài)副產(chǎn)物，且其中在所述粘結(jié)涂層上形成ebc包括鄰近所述粘結(jié)涂層形成多孔層，允許氣態(tài)副產(chǎn)物通過(guò)多孔層行進(jìn)。

47.第38項(xiàng)的方法，其中在所述粘結(jié)涂層上形成ebc包括形成氣密層，其避免含硼氣態(tài)副產(chǎn)物在其形成期間從所述氧化物遷移開(kāi)。

48.第38項(xiàng)的方法，其中提供所述硼源包括在插入在所述粘結(jié)涂層的至少一部分和所述ebc的至少一部分之間的中間層內(nèi)提供所述硼源的至少一部分。

49.第48項(xiàng)的方法，其還包括在所述基材、所述ebc和所述粘結(jié)涂層中的至少一個(gè)內(nèi)提供所述硼源的至少一部分。

附圖說(shuō)明

在說(shuō)明書(shū)的結(jié)尾的權(quán)利要求中具體指出且明確要求保護(hù)認(rèn)為是本公開(kāi)的主題。結(jié)合附圖從以下詳述來(lái)看，本公開(kāi)的上述和其他特點(diǎn)、方面和優(yōu)點(diǎn)將容易理解，其中：

圖1為結(jié)晶熔融二氧化硅樣品的一部分的圖；

圖2為具有約1%硼的硼硅酸鹽玻璃的一部分的圖；

圖3描述根據(jù)本公開(kāi)的制品的一部分的橫截面；

圖4描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面；

圖5描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面；

圖6描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面；

圖7描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面；

圖8描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面；和

圖9描述根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品的一部分的橫截面。

具體實(shí)施方式

在下文詳細(xì)提及本公開(kāi)的例示性實(shí)施方案，其實(shí)施例在附圖中說(shuō)明。有可能的話(huà)，在所有附圖中使用的相同附圖標(biāo)記是指相同或類(lèi)似部件。

具有基材例如包含硅的陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)基材的一些制品可以包括環(huán)境阻擋涂層(ebc)，例如包含氧化物的ebc，以提供熱阻擋保護(hù)以及避免基材經(jīng)由揮發(fā)或腐蝕的衰退。如上討論，粘結(jié)涂層可以在基材和ebc之間用于增強(qiáng)ebc對(duì)基材的粘合力，且潛在地充當(dāng)犧牲氧化層。

本發(fā)明人認(rèn)識(shí)到當(dāng)在含硅基材(例如陶瓷基材)和ebc之間利用包含硅的粘結(jié)涂層時(shí)，粘結(jié)涂層可以在熱暴露期間氧化以形成氧化物鱗，還稱(chēng)為二氧化硅的熱生長(zhǎng)氧化物(tgo)層。本發(fā)明人還確定當(dāng)純二氧化硅氧化物可以起初為無(wú)定形時(shí)，二氧化硅具有脫透的強(qiáng)趨勢(shì)，例如在高溫條件期間。例如，圖1顯示在約1482℃下暴露到空氣約99小時(shí)熔融二氧化硅樣品的圖。如圖1中所示，二氧化硅樣品貫穿其厚度結(jié)晶。

本發(fā)明人還認(rèn)識(shí)到結(jié)晶二氧化硅氧化物層(例如，tgo層)在冷卻之后會(huì)由于有害的應(yīng)力產(chǎn)生相變開(kāi)裂。例如，具有基材、包含硅的粘結(jié)涂層、基本上結(jié)晶二氧化硅tgo層和ebc的制品從相對(duì)高溫冷卻可以導(dǎo)致結(jié)晶二氧化硅tgo層經(jīng)受有害的應(yīng)力產(chǎn)生相變，而在二氧化硅tgo層中產(chǎn)生多個(gè)裂紋。在這種二氧化硅tgo層中的裂紋損害ebc的機(jī)械完整性，且會(huì)促進(jìn)在熱循環(huán)環(huán)境中操作之后ebc的分層和最后剝落。本發(fā)明人由此確定基本上結(jié)晶二氧化硅tgo層會(huì)導(dǎo)致一些ebc分層和剝落，這降低這種涂覆制品的高溫能力。

為了避免或抑制二氧化硅tgo層的失透(即，結(jié)晶)，且由此降低對(duì)應(yīng)ebc的分層和剝落的可能性，本公開(kāi)部分涉及在制品中提供足夠量的硼，使得氧化物層供應(yīng)有足夠硼以使無(wú)定形結(jié)構(gòu)基本上穩(wěn)定化。當(dāng)暴露到高溫的氧化氣氛時(shí)，相對(duì)于不包含硼的類(lèi)似氧化物，加入硼的含二氧化硅的氧化物組合物對(duì)結(jié)晶更具抵抗力；因此包含足夠量的硼以使無(wú)定形結(jié)構(gòu)至少部分穩(wěn)定化的含二氧化硅的氧化物在文中稱(chēng)為“基本上失透抵抗的”。本發(fā)明人確定硼摻雜氧化物層具有對(duì)失透的強(qiáng)抵抗力。例如，圖2說(shuō)明經(jīng)受與上述和圖1所示的熔融二氧化硅樣品相同的條件的具有約1重量%硼的硼硅酸鹽玻璃的樣品的圖。如圖2中所示，與圖1的熔融二氧化硅樣品的整個(gè)體積的基本上完全失透相反，硼硅酸鹽玻璃樣品的暴露導(dǎo)致僅相對(duì)較少表面失透。

因此，本公開(kāi)利用硼以形成與結(jié)晶氧化物相反的失透抵抗的氧化物(例如，tgo)。例如，如圖3中所說(shuō)明，本公開(kāi)提供制品10，例如渦輪部件，其包括基材12(例如，含硅陶瓷材料)、布置在基材12上的ebc16和布置在所述基材12和所述ebc16之間的包含硅的粘結(jié)涂層14。制品10還可以包括鄰近所述粘結(jié)涂層14的包含至少0.1重量%硼的氧化物18。

粘結(jié)涂層14可以通過(guò)與氧化劑反應(yīng)氧化以形成氧化物18。在一些這樣的實(shí)施方案中，制品10可以任選包含布置在制品10內(nèi)的硼源20以提供有效量的硼到氧化物18，使其在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間包含至少0.1重量%硼。由粘結(jié)涂層14至少部分形成的氧化物18可以在制品10的工作期間形成為常規(guī)tgo和/或例如通過(guò)制品10的熱處理預(yù)先形成。硼源20的硼可以在固溶體中提供或作為第二相提供。這種硼摻雜tgo氧化物18可以形成為連續(xù)或不連續(xù)層。在一些其他實(shí)施方案中，而不是(或除了)包含在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間摻雜tgo氧化物18的硼源20，制品10可以包含鄰近所述粘結(jié)涂層14的預(yù)先沉積的氧化物或預(yù)先沉積的硼摻雜氧化物18。在這種方式中，例如，硼摻雜氧化物18可以或可以不為至少部分熱生長(zhǎng)氧化物，且可以或可以不包含硼源20。

注意到制品10可以用于任何應(yīng)用，例如加熱粘結(jié)涂層14到大于900℃溫度的高溫應(yīng)用(例如，渦輪發(fā)動(dòng)機(jī))，或不加熱粘結(jié)涂層14到大于900℃溫度的相對(duì)低的溫度應(yīng)用。在這種方式中，在具體使用期間可以或可以不形成硼摻雜氧化物18。包含在制品10(不管其用途)內(nèi)的硼源20，如果提供的話(huà)，可以具有足夠硼以在大于900℃溫度的氧化條件下?lián)诫s氧化物18，從而形成具有至少0.1重量%硼的氧化物層18。換而言之，硼源20以這種方式布置，使得如果粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化條件(例如，在使用制品10或其他方式期間)，硼源20促進(jìn)具有至少0.1重量%硼的失透抵抗的硼摻雜氧化物18形成。硼源20可以由此避免脆弱結(jié)晶氧化物層的形成。例如，硼源20可以布置使得在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化條件期間，足夠量的硼通過(guò)固態(tài)擴(kuò)散供應(yīng)到氧化物層18以形成具有至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物18。在一些實(shí)施方案中，硼源20的硼可以由此移動(dòng)使得其能夠擴(kuò)散到氧化物18。在一些實(shí)施方案中，硼摻雜氧化物18可以包含二氧化硅和氧化硼。在一些實(shí)施方案中，硼摻雜氧化物18可以為硼硅酸鹽玻璃。

提供有效量的硼以形成硼摻雜氧化物18(例如，至少0.1重量%硼)所需要的硼源20的硼的量可以由于許多因素而不同。例如，形成硼摻雜氧化物18所需要的硼源20的硼的量可以至少部分取決于設(shè)計(jì)制品10在此操作的溫度、粘結(jié)涂層14的組成、ebc16的組成、硼源20的組成和硼源20與氧化物18的相對(duì)距離。作為另一個(gè)實(shí)施例，硼源20可以隨時(shí)間不斷增多地?fù)诫s生長(zhǎng)氧化物18(即，硼源20可以逐漸供應(yīng)硼到生長(zhǎng)氧化物18且因此隨時(shí)間耗盡)。因此，與具有不含硼的氧化物18的制品10相比或在粘結(jié)涂層14的氧化之前，具有部分摻雜的氧化物18的制品10(即，包含少于0.1重量%硼的氧化物18)將需要較少硼以摻雜氧化物18到至少0.1重量%硼。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員之一將了解，可以設(shè)計(jì)具體制品10的硼源20的位置、組成和量以在具體條件下提供有效量的硼到粘結(jié)涂層14的氧化反應(yīng)。

雖然硼源20可以布置以在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物18，形成硼摻雜氧化物18的具體時(shí)間還可以取決于許多因素而變化。例如，硼摻雜氧化物18可以在允許硼源20的足夠硼擴(kuò)散到氧化物18的暴露時(shí)間之后形成。作為另一個(gè)實(shí)施例，硼源20可以鄰近于經(jīng)受氧化反應(yīng)的粘結(jié)涂層14的部分提供，使得硼摻雜氧化物18在暴露時(shí)即刻形成。在其他實(shí)施方案中，氧化物可以在不具有硼(例如，基本上純二氧化硅氧化物層)或少于最少0.1重量%硼的情況下起始形成，且需要進(jìn)一步暴露(例如，大于900℃溫度的氧化環(huán)境)以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物18。在這種方式中，在一些實(shí)施方案中，硼源20可以在一段時(shí)間內(nèi)提供硼的供應(yīng)到氧化物18。如下文進(jìn)一步描述，在一些實(shí)施方案中，制品10可以包括插入在粘結(jié)涂層14的至少一部分和ebc16的至少一部分之間的潛在性不同的中間層。硼源20可以在中間層內(nèi)至少部分提供。在一個(gè)實(shí)施例中，硼源20的全部可以在中間層內(nèi)提供。因此，中間層可以為硼源20。在另一個(gè)實(shí)施例中，硼源20的一部分可以在中間層內(nèi)提供且一部分可以在基材12、粘結(jié)涂層14和ebc16中的至少一個(gè)內(nèi)提供。

在一些實(shí)施方案中，硼源20可以布置在制品10中以在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成具有至少0.5重量%硼的氧化物層18。在一些實(shí)施方案中，硼源20可以布置在制品10中以在將粘結(jié)涂層14暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間提供有效量的硼以形成具有10重量%或更少硼（例如約0.1重量%-約10重量%或約0.5重量%-約10重量%或約0.5重量%-約6重量%范圍內(nèi)的重量百分?jǐn)?shù)）的氧化物層18。

硼源20可以基本上包括元素硼、含硼化合物或其組合。在一些實(shí)施方案中，硼源20可以基本上包括硅固溶體中的元素硼或含硼化合物。例如，硼源20可以包括，而不限于，氮化硼、碳化硼、氧化硼、金屬硼化物或其組合。在一些這樣的實(shí)施方案中，硼源20可以包括過(guò)渡金屬硼化物或稀土元素的硼化物，例如硼化鉿、硼化鈦、硼化釔、硼化釓或硼化鐿。

可以選擇硼源20使其包括制品10的部件的化學(xué)和熱-機(jī)械相容性。例如，硼源20可以選擇包括高于1300℃的熔點(diǎn)，可以允許制品10用于許多典型高溫應(yīng)用(例如，作為高溫渦輪部件)。作為另一個(gè)實(shí)施例，硼源20可以選擇包括相對(duì)低的硼化學(xué)活性，如果在包含硅的粘結(jié)涂層14內(nèi)至少部分提供硼源20，這會(huì)有利的。在一些實(shí)施方案中，氧化物18可以避免或延緩氧與粘結(jié)涂層14或基材12相互作用。在這樣的實(shí)施方案中，硼源20可以選擇不過(guò)度降級(jí)氧化物18對(duì)氧擴(kuò)散的抵抗力。例如，硼源20可以選擇為金屬富集硼化物(例如，稀土硼化物)，當(dāng)結(jié)合到氧化物18中時(shí)，不有效降級(jí)氧化物18對(duì)氧擴(kuò)散的抵抗力。

硼源20可以布置在制品10中的任何地方，只要其的硼能夠擴(kuò)散到或結(jié)合到氧化物中。硼源20可以布置在基材12內(nèi)，布置在粘結(jié)涂層14內(nèi)，布置在ebc16內(nèi)，布置在制品10的另一部分內(nèi)，形成制品10中的另外的層，或其組合?？梢岳迷谥破?0內(nèi)包含硼源20的任何方法或構(gòu)造。例如，硼源20可以與制品10的一部分形成，例如與ebc16或粘結(jié)涂層14層共沉積，或作為基材12制造方法的部分來(lái)引入。作為另一個(gè)實(shí)施例，包含硼源20的制品10的部分可以在其形成之后用硼源20改性。

如上所述，硼源20可以經(jīng)一段時(shí)間從一層或部分內(nèi)到另一層或部分?jǐn)U散通過(guò)制品10，例如在熱暴露期間。因此，盡管硼源20可以起始包含在制品10的具體部分內(nèi)，在后來(lái)的時(shí)間(例如，在制品10加熱之后)，所述硼源20的至少一部分可以遷移到制品10的不同部分(和，潛在地，還沒(méi)參加摻雜氧化物18)。還如上所述，硼源20可以逐漸擴(kuò)散通過(guò)制品10以不斷增多地?fù)诫s氧化物18，且因此隨時(shí)間消耗。在一些實(shí)施方案中，在具有具體量的硼的硼摻雜氧化物18形成之后，硼源20可以消耗到一定水平使其可以不再包含有效量的硼以進(jìn)一步摻雜氧化物18。因此，雖然圖3顯示硼摻雜氧化物18包含硅和至少0.1重量%硼且包括附圖標(biāo)記20來(lái)一般指示有效硼源20的存在，硼源20可以或可以不總是存在于該實(shí)施方案中。

如上討論且如圖3中所示，硼源20可以位于制品10中的任何地方以在暴露期間形成硼摻雜氧化物18。圖4說(shuō)明包含位于制品110的粘結(jié)涂層114內(nèi)的硼源120的制品110。制品110基本上類(lèi)似于上文所述的圖3的制品10，且因此在“1”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品110。硼源120可以起初位于粘結(jié)涂層114內(nèi)，或硼源可以位于其他地方，例如在基材112內(nèi)，且隨后遷移(例如，擴(kuò)散)到粘結(jié)涂層114中。注意到并不在圖4中說(shuō)明硼摻雜氧化物，由于其還可以不在制品110中形成。例如，粘結(jié)涂層114(或制品110本身)可以在氧化環(huán)境中不充分加熱以形成硼摻雜氧化物。然而，如由圖4的制品110中的箭頭顯示，粘結(jié)涂層114中的硼源120對(duì)在將粘結(jié)涂層114暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間擴(kuò)散通過(guò)粘結(jié)涂層114到粘結(jié)涂層114的氧化反應(yīng)和提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物有效。

如圖4中所示，粘結(jié)涂層114可以覆蓋基材112，且ebc116可以覆蓋粘結(jié)涂層114。包含硅的粘結(jié)涂層114可以改進(jìn)或提供抗氧化性到基材112和/或增強(qiáng)基材112和ebc116之間的結(jié)合?；?12和ebc116之間的粘結(jié)涂層114的厚度可以例如為約25-約350微米。

如上所述，在一些實(shí)施方案中，粘結(jié)涂層114包含硅(例如，例如當(dāng)基材112包含含硅材料時(shí))。例如在一些實(shí)施方案中，粘結(jié)涂層114為基本上元素硅(潛在地具有在固溶體中提供或作為其中第二相的硼源120)。在一些實(shí)施方案中，粘結(jié)涂層114可以基本上包括元素硅的一個(gè)或多個(gè)層。在其他實(shí)施方案中，粘結(jié)涂層114可以基本上包含碳化硅、氮化硅、金屬硅化物、硅合金或其混合物，取代或除了硅之外。粘結(jié)涂層114可以包括氧化物相，例如二氧化硅、稀土硅酸鹽、稀土鋁硅酸鹽和/或堿土鋁硅酸鹽(具有其間提供的硼源120)。包含硅的粘結(jié)涂層114可以通過(guò)與氧化劑反應(yīng)氧化，且在一些情況下可以形成如下進(jìn)一步解釋的氣態(tài)產(chǎn)物。

圖5說(shuō)明包含位于制品210的ebc216內(nèi)的硼源220的制品210。制品210基本上類(lèi)似于上述制品10和110，且因此在“2”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品210。硼源220可以起初位于ebc216內(nèi)，或硼源220可以位于其他地方，例如在ebc216上，且隨后遷移到ebc216中。注意到并不在圖5中說(shuō)明硼摻雜氧化物，由于其還可以不在制品210中形成。然而，如由圖5的制品210中的箭頭顯示，ebc216中的硼源220對(duì)在將粘結(jié)涂層214暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間擴(kuò)散通過(guò)ebc216以提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物有效。

如圖5中所示，所述ebc216可以布置在粘結(jié)涂層214上，使得ebc216直接或間接覆蓋和連接到粘結(jié)涂層214。制品210的ebc216可以限定制品210的外表面。因此，ebc216可以與制品210周?chē)沫h(huán)境相互作用并保護(hù)基材212和/或粘結(jié)涂層214(和任何中間層)。ebc可以表現(xiàn)許多密封、反應(yīng)阻擋、抗衰退性和/或熱阻擋功能。

ebc216可以包括陶瓷材料，例如氧化物。在一些實(shí)施方案中，ebc216可以基于硅酸鹽。在一個(gè)實(shí)施例中，ebc216可以覆蓋包含硅和/或二氧化硅的粘結(jié)層214且施加到含硅基材212。ebc216本身可以為一個(gè)或多個(gè)層。在一些實(shí)施方案中，ebc216層可以包括一個(gè)或多個(gè)稀土硅酸鹽，例如re2si2o7和/或re2sio5，其中re包括y、er、yb、sc和lu中的一個(gè)或多個(gè)。在一些實(shí)施方案中，ebc216可以包括堿土鋁硅酸鹽，例如鋁硅酸鋇或鋁硅酸鋇鍶。

圖6說(shuō)明包含位于制品310的基材312內(nèi)的硼源320的制品310。制品310基本上類(lèi)似于上述制品10、110和210，且因此在“3”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品310。硼源320可以起初位于基材312內(nèi)，或硼源320可以位于其他地方并擴(kuò)散到基材312中。注意到在圖6中并不說(shuō)明硼摻雜氧化物，由于其還可以不在制品310中形成。然而，如由圖6的制品310中的箭頭顯示，基材312中的硼源320對(duì)在將粘結(jié)涂層314暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間擴(kuò)散通過(guò)基材312和粘結(jié)涂層314到粘結(jié)涂層314的氧化反應(yīng)且提供有效量的硼以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物有效。

在一些實(shí)施方案中，基材312可以包含硅。通過(guò)示例，基材312可以包含硅且選擇高溫機(jī)械、物理和/或化學(xué)性質(zhì)?；?12可以能夠經(jīng)受大于約1100℃操作溫度的燃燒環(huán)境歷時(shí)超過(guò)10,000小時(shí)的持續(xù)時(shí)間。在一個(gè)實(shí)施例中，制品310的基材312可以包含陶瓷材料，例如陶瓷基質(zhì)復(fù)合材料(cmc)材料，例如用陶瓷纖維增強(qiáng)的陶瓷基質(zhì)。在這種cmc實(shí)施方案中，纖維和/或基質(zhì)可以包含碳化硅。含硅cmc基材312的一些實(shí)例包括，但不限于，基質(zhì)和/或纖維，包括碳化硅、氮化硅、碳氧化硅、氮氧化硅及其混合物?？梢杂糜谥破?10的一些cmc基材312的實(shí)例包括，但不限于，具有碳化硅基質(zhì)和碳化硅纖維(sic-sic)、氮化硅基質(zhì)和碳化硅纖維(si3n4-sic)以及碳化硅/氮化硅基質(zhì)混合物和碳化硅纖維(si3n4/sic-sic)的cmc基材312。

在一些實(shí)施方案中，硼源320可以在基材312經(jīng)由硅熔融滲透(mi)方法形成期間在基材312內(nèi)起初提供。例如，mi方法可以包括獲得涂覆含硅纖維或其他增強(qiáng)纖維的預(yù)制品。還可以獲得多孔基質(zhì)組合物，例如包含sic和c顆粒的基質(zhì)組合物，并引入到預(yù)制品中。mi方法還可以包括將si-b合金形式的液體si加到預(yù)制品中。加到預(yù)制品中的液體si-b合金可以與基質(zhì)組合物中的c反應(yīng)以形成另外的sic。當(dāng)一些液體si-b合金可以在與c的反應(yīng)中消耗時(shí)，其部分可以保持在cmc基材312中。這種未消耗si-b合金可以形成在基材312內(nèi)提供的硼源320，其在將粘結(jié)涂層314暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間擴(kuò)散通過(guò)基材312和粘結(jié)涂層314并參加氧化反應(yīng)以形成包含硅和至少0.1重量%硼的硼摻雜氧化物。

在一些其他實(shí)施方案中，硼源320可以在基材312經(jīng)由聚合物滲透和熱解(pip)方法形成期間在基材312內(nèi)起初提供。例如，這種pip方法可以包括獲得增強(qiáng)纖維，例如sic纖維的預(yù)制品。低粘度前體可以滲透到預(yù)制品中(例如，引入到增強(qiáng)纖維的孔中和/或在增強(qiáng)纖維之間引入)。在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)前體可以包含硼源320。pip方法還可以包括在非氧化氣氛中固化和/或熱解(即，陶瓷化)預(yù)制品中的基質(zhì)前體以在增強(qiáng)纖維周?chē)纬商沾苫|(zhì)。滲透和熱解方法可以重復(fù)多次以最后降低陶瓷基質(zhì)的孔隙度到形成其中具有硼源320的陶瓷基材312的可接受水平。

如上討論，在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)前體組合物可以包含硼源320。在這樣的實(shí)施方案中，可以選擇硼源320使其在熱解(和結(jié)晶)之后保持在所形成的cmc基材312中。在這種方式中，在熱解(和結(jié)晶)之后，硼源320在基材312內(nèi)提供且在將粘結(jié)涂層314暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間能夠擴(kuò)散通過(guò)cmc基材312和粘結(jié)涂層314并參加粘結(jié)涂層314的氧化反應(yīng)以形成包含硅和至少約0.1重量%硼的氧化物區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)前體組合物可以包含含硼有機(jī)硅聚合物，例如具有含硼物類(lèi)的聚碳硅烷(例如，與sic增強(qiáng)纖維一起使用)或具有包硼物類(lèi)的聚硅氮烷(例如，與sicn或si3n4增強(qiáng)纖維一起使用)。在一些實(shí)施方案中，基質(zhì)前體組合物可以包含具有或不具有額外硼物類(lèi)的聚硼碳硅氮烷和/或聚硼碳硅烷。

在一些其他實(shí)施方案中，硼源320可以在基材312經(jīng)由化學(xué)氣相滲透(cvi)方法形成期間在基材312內(nèi)起初提供。例如，這種cvi方法可以包括獲得增強(qiáng)纖維，例如sic纖維的預(yù)制品。還可以獲得氣態(tài)基質(zhì)前體組合物，并通過(guò)在預(yù)制品中進(jìn)行的氣相反應(yīng)滲透到預(yù)制品中(例如，引入到增強(qiáng)纖維的孔中和/或在增強(qiáng)纖維之間引入)。例如，預(yù)制品可以在具有氣態(tài)基質(zhì)前體組合物的反應(yīng)器中加熱。當(dāng)預(yù)制品與基質(zhì)前體組合物滲透時(shí)，氣體可以分解以在增強(qiáng)纖維的表面上形成陶瓷沉積物以形成陶瓷基質(zhì)。滲透和致密化階段可以重復(fù)直到預(yù)制品基本上閉合以形成cmc基材312。

這種cvi方法的氣態(tài)基質(zhì)前體組合物可以包含硼源320。在這樣的實(shí)施方案中，氣態(tài)基質(zhì)前體組合物中的硼源320可以在基質(zhì)中在形成cmc基材312的滲透、分解和致密化階段之后保持為硼或含硼化合物，例如硼化硅。在這種方式中，在滲透、分解和致密化之后，硼源320在基材312內(nèi)提供且還能夠在將粘結(jié)涂層314暴露到大于900℃溫度的氧化環(huán)境期間擴(kuò)散通過(guò)cmc基材312和粘結(jié)涂層314并參加粘結(jié)涂層314的氧化反應(yīng)以形成包含硅和至少約0.1重量%硼的氧化物區(qū)域。在一些實(shí)施方案中，氣態(tài)基質(zhì)前體組合物可以為含硼氣體。在一些實(shí)施方案中，氣態(tài)基質(zhì)前體組合物可以包括si、c和硼物類(lèi)。在一些這樣的實(shí)施方案中，氣態(tài)基質(zhì)前體組合物可以包括硅烷、鹵化物和/或烴和硼物類(lèi)。在一些實(shí)施方案中，氣態(tài)基質(zhì)前體組合物可以為含硼氣體，其在分解和/或致密化期間形成硼和sic溶體或離散sibx相(例如，取決于過(guò)程溫度、氣體濃度)。在一些實(shí)施方案中，含硼氣體可以包括硼酸三異丙酯、三甲基硼、三乙基硼、三苯基硼烷、二硼烷、硼烷氨，硼吖嗪、三(五氟苯基)硼烷和鹵化硼中的至少一種。

如上所述，特定硼源，例如氮化硼，可以形成氣態(tài)副產(chǎn)物，由于其分解并參加粘結(jié)涂層的氧化反應(yīng)以形成硼摻雜氧化物區(qū)域。圖7說(shuō)明包括這種粘結(jié)涂層414的制品410的實(shí)施方案，當(dāng)其在氧化反應(yīng)中分解時(shí)，形成氣態(tài)副產(chǎn)物。制品410基本上類(lèi)似于上述制品10、110、210和310，且因此在“4”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品410。

如圖7中所示，包括當(dāng)其分解時(shí)形成氣態(tài)副產(chǎn)物的這種粘結(jié)涂層414的制品410可以包括具有多孔層430的ebc416。ebc416的多孔層430可以位于相對(duì)于ebc416的其他部分鄰近于粘結(jié)涂層414。多孔層430可以操作以允許在氧化粘結(jié)涂層414時(shí)形成的氣態(tài)副產(chǎn)物從氣體產(chǎn)生區(qū)域逸出以避免可能會(huì)使ebc416分層的相對(duì)高壓的積累。例如，多孔層430可以包括足夠高以允許氣態(tài)副產(chǎn)物流動(dòng)通過(guò)且由此遠(yuǎn)離氣體產(chǎn)生區(qū)域的孔隙度水平。當(dāng)粘結(jié)涂層414和/或基材412包含硼源420時(shí)，ebc416的多孔層430可能是有利的。

圖8說(shuō)明當(dāng)其分解時(shí)形成含硼氣態(tài)副產(chǎn)物的制品510。制品510基本上類(lèi)似于上述制品10、110、210、310和410，且因此在“5”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品510。制品510不同于制品410，由于ebc516包括氣密層540，避免含硼氣態(tài)副產(chǎn)物遷移出制品510并進(jìn)入大氣，因此保持或引導(dǎo)足夠的硼供應(yīng)以促進(jìn)包含至少約0.1重量%硼的硼摻雜氧化物區(qū)域的形成。當(dāng)ebc516包含硼源520時(shí)，ebc516的氣密層540可能是有利的。在這樣的實(shí)施方案中，包含硼源520的ebc516的部分至少可以位于氣密層540和氧化反應(yīng)的位點(diǎn)(例如，tgo層)之間。

圖9說(shuō)明根據(jù)本公開(kāi)的另一個(gè)制品610的一部分。制品610基本上類(lèi)似于上述制品10、110、210、310、410和510，且因此“6”后的類(lèi)似附圖標(biāo)記用于指示類(lèi)似方面或功能，且涉及其方面或功能(及其備選實(shí)施方案)的以上描述同樣用于制品610。制品610包括位于鄰近于正經(jīng)受(或?qū)⒔?jīng)受)氧化反應(yīng)的粘結(jié)涂層614的部分的中間層650。例如，中間層650可以插入在粘結(jié)涂層614的至少一部分和ebc616的至少一部分之間。因此，該中間層650可以位于緊鄰在粘結(jié)涂層614上形成或另外位于粘結(jié)涂層614上的氧化物層，或位于其中將形成氧化物層的位置上。

所述硼源620的至少一部分可以在中間層650內(nèi)提供。當(dāng)中間層650中的硼源620鄰近于氧化物時(shí)，中間層650內(nèi)的硼源620可以在將粘結(jié)涂層614暴露到氧化條件之后即刻摻雜氧化物。在這種方式中，這種硼不需要經(jīng)一段暴露時(shí)間擴(kuò)散通過(guò)制品610以摻雜氧化物(例如，tgo)。中間層650內(nèi)的硼源620可以經(jīng)相對(duì)短的暴露時(shí)間用相對(duì)大量的硼摻雜氧化物。作為另一個(gè)實(shí)施例，中間層650包括連續(xù)或不連續(xù)硼硅酸鹽層。預(yù)先沉積的硼硅酸鹽中間層650可以由此為含硼氧化物層或含硼tgo，其在粘結(jié)涂層614的氧化之后變厚。在這個(gè)實(shí)施例中，可以或可以不包含硼源620。

在一些實(shí)施方案中，硼源620的全部在中間層650內(nèi)提供。在其他實(shí)施方案中，所述硼源620的至少一部分在中間層650內(nèi)提供且硼源的至少另一部分布置在制品610的另一部分，例如在基材612、粘結(jié)涂層614和/或ebc616內(nèi)。中間層650內(nèi)提供的硼源620的部分可以在將粘結(jié)涂層614暴露到氧化條件之后即刻摻雜氧化物層，且在制品610中的其他地方提供的硼源620的部分可以經(jīng)后續(xù)的暴露時(shí)間摻雜氧化物。

文中所公開(kāi)的制品可以至少部分形成用于高溫應(yīng)用的任何制品、部件或結(jié)構(gòu)。例如，文中所公開(kāi)的制品至少部分可以為渦輪葉片、燃燒器、覆蓋物、噴嘴和/或防熱罩。文中公開(kāi)的制品的部分或?qū)?，例如其基材、粘結(jié)涂層和ebc，可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的常規(guī)方法制造以產(chǎn)生這樣的部分或?qū)?。例如，文中公開(kāi)的制品的粘結(jié)涂層和ebc至少可以使用本領(lǐng)域技術(shù)人員已知的常規(guī)方法制造以產(chǎn)生這樣的層或部分。這種常規(guī)方法可以一般包括，但不應(yīng)當(dāng)限于，等離子體噴射(例如，用干粉、懸浮液或溶液的常壓或低壓)、燃燒熱噴射(例如，高速氧燃料(hvof)、高速空氣燃料(hvaf))、化學(xué)氣相沉積(cvd)、物理氣相沉積(例如，電子束物理氣相沉積(ebpvd)、濺射)、溶膠凝膠、漿料方法(例如，浸涂、噴射、電泳沉積、帶流延、軋制和涂漆)及這些方法的組合。一旦起初形成文中公開(kāi)的制品的部分或?qū)?，它們可以進(jìn)一步處理(例如，干燥、熱解、煅燒、燒結(jié))，且可以任選甚至進(jìn)一步處理，例如通過(guò)暴露到含硼前體。

應(yīng)當(dāng)理解以上描述旨在說(shuō)明，而不限制。例如，上述實(shí)施方案(和/或其方面)可以彼此組合使用。另外，在不偏離其范圍的情況下，可以進(jìn)行許多修改以使具體情形或材料適用于本公開(kāi)的教導(dǎo)。雖然文中所述的材料的尺寸和類(lèi)型旨在限定本公開(kāi)的參數(shù)，它們無(wú)論如何不限制且為例示性實(shí)施方案。本領(lǐng)域技術(shù)人員在回顧以上描述之后許多其他實(shí)施方案將顯而易見(jiàn)。因此，本公開(kāi)的范圍應(yīng)當(dāng)參考隨附權(quán)利要求連同這些權(quán)利要求所賦予的等價(jià)物的整個(gè)范圍確定。

在隨附說(shuō)明書(shū)中，術(shù)語(yǔ)“包括”和“其中(inwhich)”用作相應(yīng)術(shù)語(yǔ)“包含”和“其中(wherein)”的簡(jiǎn)明英語(yǔ)等價(jià)物。而且，在以下權(quán)利要求中，術(shù)語(yǔ)“第一”、“第二”等，如果有的話(huà)，只用作標(biāo)記，且并不旨在對(duì)其賓語(yǔ)強(qiáng)加數(shù)字或位置要求。而且，以下權(quán)利要求的限制并不以方式加功能形式書(shū)寫(xiě)，且并不旨在基于35u.s.c.§112，第六章解釋?zhuān)乔抑钡竭@些權(quán)利要求限制明確使用短語(yǔ)“用于……的方式”，后面缺少進(jìn)一步結(jié)構(gòu)的功能說(shuō)明。

該書(shū)面描述使用實(shí)施例來(lái)公開(kāi)本公開(kāi)的多個(gè)實(shí)施方案，包括最佳模式，且還使本領(lǐng)域任何技術(shù)人員能夠?qū)嵤┍竟_(kāi)的實(shí)施方案，包括制備和使用任何設(shè)備或系統(tǒng)且執(zhí)行任何結(jié)合方法。本公開(kāi)的專(zhuān)利范圍通過(guò)權(quán)利要求限定，且可以包括本領(lǐng)域技術(shù)人員想到的其他實(shí)施例。這些其他實(shí)施例旨在權(quán)利要求的范圍內(nèi)，如果它們具有不與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言不同的結(jié)構(gòu)要素，或它們包括與權(quán)利要求的字面語(yǔ)言不實(shí)質(zhì)不同的等價(jià)結(jié)構(gòu)要素。

如文中使用，以單數(shù)描述且在單詞“一個(gè)/種”后的要素或步驟應(yīng)當(dāng)理解為不排除復(fù)數(shù)個(gè)所述要素或步驟，除非明確聲明這種排除。而且，對(duì)本公開(kāi)的“一個(gè)實(shí)施方案”的提及并不旨在視為排除還結(jié)合所述特點(diǎn)的其他實(shí)施方案的存在。而且，除非明確作出相反說(shuō)明，否則“包含”、“包括”或“具有”具有具體性質(zhì)的一個(gè)元素或多個(gè)元素的實(shí)施方案可以包括不具有該性質(zhì)的另外的這些元素。

雖然只結(jié)合有限數(shù)目的實(shí)施方案詳細(xì)描述本發(fā)明，應(yīng)當(dāng)容易理解本發(fā)明并不限于這些公開(kāi)的實(shí)施方案。相反，本公開(kāi)可以修改以結(jié)合到目前為止未描述但與本公開(kāi)的精神和范圍相當(dāng)?shù)娜魏螖?shù)目的變化、改變、取代或等價(jià)配置。另外，當(dāng)描述本發(fā)明的各種實(shí)施方案時(shí)，應(yīng)當(dāng)理解本公開(kāi)的方面可以只包括所述實(shí)施方案的一些。因此，本公開(kāi)并不視為受以上描述限制，而只受隨附權(quán)利要求的范圍限制。