1.一種單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片，其特征在于：所述的g-C₃N₄納米片的尺寸為10-50nm，顆粒分布均勻，無團(tuán)聚現(xiàn)象。

2.一種單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：采用水蒸汽氣氛條件下的二次煅燒法制備。

3.如權(quán)利要求2所述的單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：具體步驟如下：

(1)一次煅燒：以含氮基團(tuán)有機(jī)物為原料，將原料置于燒舟中，然后將燒舟置于馬弗爐中，在空氣中煅燒獲得g-C₃N₄粗粉；

(2)二次煅燒：以步驟(1)中的g-C₃N₄粗粉為原料，將原料置于燒舟中，然后將燒舟置于密封性管式爐中，以惰性氣體為載流氣，將惰性氣體通過蒸餾水后再進(jìn)入密封性管式爐中煅燒，獲得單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片。

4.如權(quán)利要求3所述的單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中含氮基團(tuán)有機(jī)物原料為尿素、硫脲、三聚氰胺、雙氰胺、氰胺中的一種或幾種的混合物。

5.如權(quán)利要求3所述的單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：步驟(1)中煅燒溫度為500-550℃，時(shí)間為2-5h。

6.如權(quán)利要求3所述的單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中的煅燒溫度為300-700℃，時(shí)間為2-6h。

7.如權(quán)利要求3所述的單分散結(jié)構(gòu)g-C₃N₄納米片的制備方法，其特征在于：步驟(2)中惰性氣體為氮?dú)饣驓鍤狻?/p>