本發(fā)明屬于電子陶瓷及其制造領域，涉及在微波頻段使用的諧振器、濾波器、介質天線、介質導波回路等微波元器件的介電陶瓷材料的制備方法。

背景技術：

微波介質材料是指應用于微波頻段(300MHz～300GHz)電路中作為介質并完成一種或多種功能的陶瓷，主要用于制備諧振器、濾波器、介質天線、介質導波回路等微波元器件。近年來，隨著微波元器件不斷向低成本化、小型化以及輕量化方向發(fā)展，要求微波介質材料必須具有優(yōu)良的微波介電性能(高的Q×f值，適中的介電常數(shù)、近零的τ_f值)、低的生產(chǎn)成本、低的密度。目前商用的微波介質陶瓷材料雖然具有優(yōu)異的性能，如Ba(Zn_1/3Nb_2/3)O₃，Ba(Mg_1/3Nb_2/3)O₃，Ba(Y_1/2Ta_1/2)O₃，但是高的燒結溫度和密度，昂貴的生產(chǎn)原料限制了其在商業(yè)上的進一步應用。因此，選用低價格的生產(chǎn)原料制備出低成本、低燒結溫度的微波介質材料已經(jīng)是大勢所趨。但是尋找符合以上標準的材料的困難很大，所以有一部分科研工作者在已有的微波介電性能優(yōu)良的材料體系中尋找低成本、低密度的材料進行降溫處理來達到目的。目前最常用的降低燒結溫度的方法主要有以下三種：(1)添加燒結助劑；(2)使用超細粉體；(3)使用低熔點的原料。但是添加燒結助劑將會嚴重惡化材料的性能，使用超細粉體將增加生產(chǎn)成本，所以很多研究者將研究方向集中在利用低熔點的原料以實現(xiàn)低溫燒結上。

Li₂Mg₃Ti₄O₁₂陶瓷具有優(yōu)良的微波介電性能(ε_r＝20.2，Q×f＝62300GHz，τ_f＝–27.1ppm/℃)【Zhou H.F.,Liu X.B.,Chen X.L.,et al.Preparation,phase structure and microwave dielectric properties of a new low cost MgLi_2/3Ti_4/3O₄compound.Materials Chemistry&Physics,2012,137(1):22-25】、低的原料價格以及較低的密度等特點，但是較高的燒結溫度(1250℃)限制了其商業(yè)上大規(guī)模以及持久化的應用。TiO₂具有高的介電常數(shù)以及正的τ_f值，本專利通過改變Li₂O-3MgO-mTiO₂，其中4.1≤m≤6。體系中TiO₂的含量能夠改善材料的ε_r值、調節(jié)材料的τ_f值以及降低材料的燒結溫度，從而獲得一種低成本、低密度以及性能優(yōu)異的介質陶瓷材料。

技術實現(xiàn)要素：

本發(fā)明通過改變Li₂O-3MgO-mTiO₂，其中4.1≤m≤6，體系中TiO₂的含量以改善材料的ε_r值、調節(jié)材料的τ_f值以及降低材料的燒結溫度，從而獲得一種低成本、低密度以及性能優(yōu)異的溫度穩(wěn)定型微波介質陶瓷材料。

本發(fā)明涉及的微波介質陶瓷材料的化學組成式為：Li₂O-3MgO-mTiO₂，其中4.1≤m≤6。

微波介質陶瓷材料的制備方法具體步驟為：

(1)以純度≥99％的高純粉Li₂CO₃、MgO和TiO₂為原料按Li₂O-3MgO-mTiO₂，其中4.1≤m≤6的化學計量比進行稱料；之后，按照粉體、氧化鋯球與無水乙醇質量比為1：2：1的比例向粉體中依次加入氧化鋯球和無水乙醇，球磨4小時，磨細后在100～120℃下快速烘干，并對粉體進行過篩處理，過篩后的粉體壓制成圓柱狀；將圓柱體放在氧化鋁坩堝內進行預燒，預燒溫度分別為900℃～950℃,保溫時間為4h,升溫速率為5℃/min。

(2)將步驟(1)中得到的預燒后圓柱體在研磨中進行初步粉碎；之后，按照粉體、氧化鋯球與無水乙醇質量比為1：2：1的比例依次放入到尼龍罐中球磨4小時后取出，放入烘爐內在100～120℃下烘干得到粉體；烘干后的粉體加入5wt％聚乙烯醇進行造粒，之后將粉體壓制成直徑為12mm厚度為6mm的圓柱試樣，將試樣置于馬弗爐中以1℃/min的升溫速率加熱至550℃并在此溫度排膠4小時，將排完膠的圓柱試樣在950～1300℃下燒結4小時即得到微波介質陶瓷材料。

本發(fā)明制備的微波介質陶瓷，其燒結溫度較低(低至1050℃)，密度較小，微波性能優(yōu)異：適中的介電常數(shù)(ε_r)，較高的Q×f值以及較近零的τ_f值，具有很大的商業(yè)應用前景。

具體實施方式

實施例:

表1列出了構成本發(fā)明的不同成分的18個具體實施例及其微波介電性能。其制備方法如上所述，用圓柱介質諧振器法進行微波介電性能的評價。

本陶瓷可廣泛用于各種介質基板、天線和濾波器等微波電子元器件的制造，滿足現(xiàn)代移動通信系統(tǒng)的技術需要。

表1：