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      均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置及其調(diào)節(jié)方法與流程

      文檔序號:11147565閱讀:1177來源:國知局
      均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置及其調(diào)節(jié)方法與制造工藝

      本發(fā)明涉及硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱技術(shù),尤其涉及一種均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置及其調(diào)節(jié)方法。



      背景技術(shù):

      外延工藝不僅要在襯底表面生長一層與襯底材料晶格結(jié)構(gòu)完全一致的薄層,還要對外延層進(jìn)行摻雜,形成P型或N型有源層。Si外延工藝在高溫下進(jìn)行,并采取保溫、隔熱措施,而外延生長速率與溫度均勻性緊密相關(guān)。現(xiàn)有的電阻加熱器線圈直徑大,難以避免線圈的形變、加工誤差等,會導(dǎo)致石墨基座1上產(chǎn)生的感生磁場強(qiáng)度不一樣,石墨基座1上各點(diǎn)的溫度也不一樣,且難以調(diào)整。此外電阻加熱線圈需要放在反應(yīng)室內(nèi)被加熱體附近,不適用于對環(huán)境潔凈度要求高、加熱速度快的外延反應(yīng)設(shè)備,且需要采取復(fù)雜的隔熱措施避免對周圍環(huán)境產(chǎn)生影響。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種結(jié)構(gòu)簡單、調(diào)節(jié)方便、溫度一致性好的均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置。

      本發(fā)明進(jìn)一步提供一種上述均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置的調(diào)節(jié)方法。

      為解決上述技術(shù)問題,本發(fā)明采用以下技術(shù)方案:

      一種均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置,包括安裝板及用于加熱的螺旋感應(yīng)線圈,所述螺旋感應(yīng)線圈位于所述硅外延反應(yīng)設(shè)備的石墨基座下方,所述安裝板位于所述螺旋感應(yīng)線圈下方,所述螺旋感應(yīng)線圈的各單圈上設(shè)有至少一個(gè)調(diào)節(jié)點(diǎn),所述安裝板上裝設(shè)有多組用于調(diào)整調(diào)節(jié)點(diǎn)與石墨基座之間距離的調(diào)節(jié)組件,所述調(diào)節(jié)組件與調(diào)節(jié)點(diǎn)一一對應(yīng)設(shè)置。

      作為上述技術(shù)方案的進(jìn)一步改進(jìn):

      所述調(diào)節(jié)組件包括連接桿、調(diào)節(jié)桿、固定座及調(diào)節(jié)手輪,所述固定座可拆卸地安裝于所述安裝板上,所述調(diào)節(jié)桿穿過所述固定座,連接桿上端與所述螺旋感應(yīng)線圈焊接,下端與所述調(diào)節(jié)桿上端螺紋連接,所述調(diào)節(jié)手輪裝設(shè)于所述調(diào)節(jié)桿下端。

      所述調(diào)節(jié)桿上連接有高度標(biāo)尺。

      還包括循環(huán)水冷槽,所述螺旋感應(yīng)線圈浸沒于所述循環(huán)水冷槽的冷卻水中,所述調(diào)節(jié)桿自下而上依次穿過所述固定座和所述循環(huán)水冷槽。

      所述固定座與所述安裝板之間設(shè)有第一密封圈,所述固定座與所述調(diào)節(jié)桿之間設(shè)有第二密封圈。

      構(gòu)成所述螺旋感應(yīng)線圈的線纜為中空結(jié)構(gòu)。

      構(gòu)成所述螺旋感應(yīng)線圈的線纜為銅線。

      所述調(diào)節(jié)桿為樹脂調(diào)節(jié)桿。

      一種上述均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置的調(diào)節(jié)方法,包括以下步驟:

      S1,加熱:保持石墨基座固定,螺旋感應(yīng)線圈通電對石墨基座加熱;

      S2,設(shè)置檢測點(diǎn)并檢測各檢測點(diǎn)的溫度:自石墨基座的圓心沿徑向設(shè)置多個(gè)檢測點(diǎn),利用溫度檢測儀檢測各檢測點(diǎn)的溫度;

      S3,以任一檢測點(diǎn)的溫度為基準(zhǔn)溫度,調(diào)節(jié)其余各檢測點(diǎn)的溫度與基準(zhǔn)溫度的差值至設(shè)計(jì)值:若某檢測點(diǎn)的檢測溫度過高則通過該檢測點(diǎn)附近的調(diào)節(jié)組件使螺旋感應(yīng)線圈上的調(diào)節(jié)點(diǎn)遠(yuǎn)離石墨基座;若某檢測點(diǎn)的檢測溫度與基準(zhǔn)溫度的差值在設(shè)計(jì)值內(nèi)則無需調(diào)節(jié);若某檢測點(diǎn)的檢測溫度過低通過該檢測點(diǎn)附近的調(diào)節(jié)組件使螺旋感應(yīng)線圈上的調(diào)節(jié)點(diǎn)靠近石墨基座。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)在于:本發(fā)明公開的均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置,利用螺旋感應(yīng)線圈加熱,可以透過石墨基座進(jìn)行加熱且加熱速度快,螺旋感應(yīng)線圈無需設(shè)置在反應(yīng)腔內(nèi)被加熱物體的附近,不破壞反應(yīng)腔內(nèi)的潔凈度,無需設(shè)置復(fù)雜的隔熱措施,有利于螺旋感應(yīng)線圈周圍的環(huán)境保護(hù);在螺旋感應(yīng)線圈下方設(shè)置多組調(diào)節(jié)組件調(diào)節(jié)螺旋感應(yīng)線圈與石墨基座之間的距離,即可實(shí)現(xiàn)石墨基座上各處的均勻加熱,彌補(bǔ)螺旋感應(yīng)線圈自身的形變、加工誤差等,配合工藝過程中石墨基座的旋轉(zhuǎn),有效保證工藝過程溫度的均勻性、一致性。

      本發(fā)明公開的調(diào)節(jié)方法,步驟簡單,操作方便,調(diào)節(jié)效率高,能夠快速地使石墨基座各處均勻受熱。

      附圖說明

      圖1是本發(fā)明均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置的主視結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖2是圖1的俯視圖。

      圖3是本發(fā)明中的調(diào)節(jié)組件的放大結(jié)構(gòu)示意圖。

      圖4是本發(fā)明勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置的調(diào)節(jié)方法的流程圖。

      圖中各標(biāo)號表示:

      1、石墨基座;2、安裝板;3、螺旋感應(yīng)線圈;31、單圈;4、調(diào)節(jié)組件;41、連接桿;42、調(diào)節(jié)桿;43、固定座;44、調(diào)節(jié)手輪;45、高度標(biāo)尺;5、循環(huán)水冷槽;61、第一密封圈;62、第二密封圈。

      具體實(shí)施方式

      以下將結(jié)合說明書附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明做進(jìn)一步詳細(xì)說明。

      如圖1、圖2和圖3所示,本實(shí)施例的均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置,包括安裝板2及用于加熱的螺旋感應(yīng)線圈3,螺旋感應(yīng)線圈3位于硅外延反應(yīng)設(shè)備的石墨基座1下方,安裝板2位于螺旋感應(yīng)線圈3下方,螺旋感應(yīng)線圈3的各單圈31上設(shè)有至少一個(gè)調(diào)節(jié)點(diǎn),安裝板2上裝設(shè)有多組用于調(diào)整調(diào)節(jié)點(diǎn)與石墨基座1之間距離的調(diào)節(jié)組件4,調(diào)節(jié)組件4與調(diào)節(jié)點(diǎn)一一對應(yīng)設(shè)置。該均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置利用螺旋感應(yīng)線圈3加熱,可以透過石墨基座1進(jìn)行加熱且加熱速度快,螺旋感應(yīng)線圈3無需設(shè)置在反應(yīng)腔(圖中未示出)內(nèi)被加熱物體的附近,不破壞反應(yīng)腔內(nèi)的潔凈度,無需設(shè)置復(fù)雜的隔熱措施,有利于螺旋感應(yīng)線圈3周圍的環(huán)境保護(hù);在螺旋感應(yīng)線圈3下方設(shè)置多組調(diào)節(jié)組件4調(diào)節(jié)螺旋感應(yīng)線圈3與石墨基座1之間的距離,即可實(shí)現(xiàn)石墨基座1上各處的均勻加熱,彌補(bǔ)螺旋感應(yīng)線圈3自身的形變、加工誤差等,配合工藝過程中石墨基1的旋轉(zhuǎn),有效保證工藝過程溫度的均勻性、一致性。本實(shí)施例中,構(gòu)成螺旋感應(yīng)線圈3的線纜為中空結(jié)構(gòu),截面為回字型便于焊接連接桿41;材質(zhì)為銅,導(dǎo)電性良好且硬度較低,有利于各調(diào)節(jié)點(diǎn)高度的調(diào)整。

      本實(shí)施例中,調(diào)節(jié)組件4包括連接桿41、調(diào)節(jié)桿42、固定座43及調(diào)節(jié)手輪44,固定座43可拆卸地安裝于安裝板2上,調(diào)節(jié)桿42穿過固定座43,連接桿41上端與螺旋感應(yīng)線圈3焊接,下端與調(diào)節(jié)桿42上端螺紋連接,調(diào)節(jié)手輪44裝設(shè)于調(diào)節(jié)桿42下端,需要調(diào)節(jié)螺旋感應(yīng)線圈3上調(diào)節(jié)點(diǎn)的高度時(shí),正向或反向旋轉(zhuǎn)調(diào)節(jié)手輪44即可,操作簡單、方便。該調(diào)節(jié)組件4結(jié)構(gòu)簡單,制作方便,在螺旋感應(yīng)線圈3上焊接連接桿41便于裝配及各調(diào)節(jié)點(diǎn)的準(zhǔn)確定位。在其他實(shí)施例中調(diào)節(jié)組件4也可采用其他部件或組件,能夠?qū)崿F(xiàn)螺旋感應(yīng)線圈3各調(diào)節(jié)點(diǎn)高度的調(diào)整即可。

      本實(shí)施例中,調(diào)節(jié)桿42下端螺紋連接有高度標(biāo)尺45,便于操作人員直觀地得知各調(diào)節(jié)點(diǎn)的高度。

      本實(shí)施例中,均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置還包括循環(huán)水冷槽5,螺旋感應(yīng)線圈3浸沒于循環(huán)水冷槽5的冷卻水中,循環(huán)水冷槽5中不斷地輸入冷卻水并及時(shí)將升溫的熱水輸出,實(shí)現(xiàn)螺旋感應(yīng)線圈3的快速降溫,調(diào)節(jié)桿42自下而上依次穿過固定座43和循環(huán)水冷槽5。

      本實(shí)施例中,固定座43與安裝板2之間設(shè)有第一密封圈61,固定座43與調(diào)節(jié)桿42之間設(shè)有第二密封圈62。

      本實(shí)施例中,調(diào)節(jié)桿42為樹脂調(diào)節(jié)桿,不導(dǎo)電且具有較好的耐熱性能,使用更加安全、方便。

      如圖4所示,上述的均勻性可調(diào)的硅外延反應(yīng)設(shè)備加熱裝置的調(diào)節(jié)方法,包括以下步驟:

      S1,加熱:保持石墨基座1固定,螺旋感應(yīng)線圈3通電對石墨基座1加熱;

      S2,設(shè)置檢測點(diǎn)并檢測各檢測點(diǎn)的溫度:自石墨基座1的圓心沿徑向設(shè)置多個(gè)檢測點(diǎn),利用溫度檢測儀檢測各檢測點(diǎn)的溫度;

      S3,以任一檢測點(diǎn)的溫度為基準(zhǔn)溫度,調(diào)節(jié)其余各檢測點(diǎn)的溫度與基準(zhǔn)溫度的差值至設(shè)計(jì)值:若某檢測點(diǎn)的檢測溫度過高(即該檢測點(diǎn)的溫度大于基準(zhǔn)溫度與設(shè)計(jì)的溫差之和)則通過該檢測點(diǎn)附近的調(diào)節(jié)組件4使螺旋感應(yīng)線圈3上的調(diào)節(jié)點(diǎn)遠(yuǎn)離石墨基座1;若某檢測點(diǎn)的檢測溫度與基準(zhǔn)溫度的差值在設(shè)計(jì)值內(nèi)則無需調(diào)節(jié);若某檢測點(diǎn)的檢測溫度過低(即該檢測點(diǎn)的溫度小于基準(zhǔn)溫度與設(shè)計(jì)的溫差的差值)通過該檢測點(diǎn)附近的調(diào)節(jié)組件4使螺旋感應(yīng)線圈3上的調(diào)節(jié)點(diǎn)靠近石墨基座1。該調(diào)節(jié)方法,步驟簡單,操作方便,調(diào)節(jié)效率高,能夠快速地使石墨基座1各處均勻受熱。

      雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上,然而并非用以限定本發(fā)明。任何熟悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員,在不脫離本發(fā)明技術(shù)方案范圍的情況下,都可利用上述揭示的技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出許多可能的變動和修飾,或修改為等同變化的等效實(shí)施例。因此,凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容,依據(jù)本發(fā)明技術(shù)實(shí)質(zhì)對以上實(shí)施例所做的任何簡單修改、等同變化及修飾,均應(yīng)落在本發(fā)明技術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。

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