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      一種基于光致缺陷反應(yīng)的二氧化碳全分解方法與流程

      文檔序號(hào):11092316閱讀:612來源:國(guó)知局
      一種基于光致缺陷反應(yīng)的二氧化碳全分解方法與制造工藝

      本發(fā)明涉及二氧化碳轉(zhuǎn)化和利用的方法,尤其是一種基于光致缺陷反應(yīng)的二氧化碳全分解技術(shù)。



      背景技術(shù):

      人工光合成是二氧化碳轉(zhuǎn)化和利用的創(chuàng)新技術(shù),它是利用太陽(yáng)能激發(fā)半導(dǎo)體光催化材料產(chǎn)生的光生電子和空穴,將二氧化碳催化還原。與其它方法相比,該過程在常溫常壓下進(jìn)行,原料簡(jiǎn)單易得,直接利用太陽(yáng)能無需耗費(fèi)輔助能源,可真正實(shí)現(xiàn)碳資源的合理利用,因而被認(rèn)為是最具前景的二氧化碳轉(zhuǎn)化技術(shù)之一。人工光合成技術(shù)轉(zhuǎn)化二氧化碳研究的核心是半導(dǎo)體光催化材料,它是決定該技術(shù)得以實(shí)際應(yīng)用的重要因素。而某些光催化材料,在光催化反應(yīng)中穩(wěn)定性較差,容易發(fā)生光腐蝕現(xiàn)象。普遍認(rèn)可的光腐蝕步驟如下:光催化劑受光激發(fā)后,電子從價(jià)帶激發(fā)到導(dǎo)帶,產(chǎn)生光生電子和空穴;光生空穴分兩個(gè)緩慢的步驟催化劑表面被捕獲,進(jìn)而氧化半導(dǎo)體材料的陰離子。光腐蝕過程是一個(gè)消耗光生空穴,破壞晶格位點(diǎn)的過程。本發(fā)明利用氧化物半導(dǎo)體光催化劑的光腐蝕反應(yīng)在材料表面產(chǎn)生氧空位,利用氧空位活化二氧化碳分子,從而實(shí)現(xiàn)完全分解二氧化碳產(chǎn)碳和氧氣。利用光致缺陷反應(yīng)完全分解二氧化碳分子的技術(shù)至今未見報(bào)道。



      技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素:

      本發(fā)明所要解決的技術(shù)問題是,提供一種基于光致缺陷反應(yīng)的二氧化碳全分解技術(shù)。該技術(shù)操作簡(jiǎn)便、成本低廉、環(huán)保低耗、材料可循環(huán)利用。

      為了實(shí)現(xiàn)上述目的,本發(fā)明通過如下技術(shù)方案實(shí)現(xiàn),一種基于光致缺陷反應(yīng)的二氧化碳全分解方法,包括以下步驟:

      (1)將半導(dǎo)體光催化材料置于密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到一定閾值;

      (2)對(duì)步驟(1)處于真空下的半導(dǎo)體光催化材料進(jìn)行光輻照,使其表面生成氧空位;

      (3)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),繼續(xù)光照,利用步驟(2)中真空光輔照后的半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳。

      進(jìn)一步地,在步驟(1)中,所涉及的半導(dǎo)體光催化材料為能發(fā)生光腐蝕反應(yīng)的所有氧化物半導(dǎo)體光催化材料;密閉系統(tǒng)的真空度為0~0.4Pa。

      進(jìn)一步地,在步驟(2)中,所采用的真空輻照光源包括所有紫外及可見光區(qū)的光源;

      真空光照時(shí)間為0~48h;所使用的半導(dǎo)體光催化材料的質(zhì)量為0.02~0.5g。

      更進(jìn)一步地,在步驟(3)中,所采用的光還原二氧化碳的光源包括所有紫外及可見光區(qū)的光源;光照時(shí)間為12~72h;引入的二氧化碳?xì)怏w為一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓。二氧化碳?xì)怏w的純度大于90%。

      催化材料為MxGeyOz(M=Zn,Ni,Co,F(xiàn)e;x,y,z為相應(yīng)的摩爾數(shù),且x≥0,y≥0,z>0)。催化材料尤其為鋅鍺氧ZnGeO2或CoGeO2。

      有益效果:本發(fā)明利用氧化物半導(dǎo)體光催化材料的光腐蝕現(xiàn)象,通過光致缺陷反應(yīng)生成的氧空位實(shí)現(xiàn)活化二氧化碳分子并還原二氧化碳為碳和氧氣,其操作簡(jiǎn)便、成本低廉、條件溫和、工藝簡(jiǎn)單、環(huán)保低耗、材料可循環(huán)利用,具有大規(guī)模生產(chǎn)的前景。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明涉及的由具體實(shí)施例1~4中真空輻照鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料的電子順磁共振圖譜;

      圖2為本發(fā)明涉及的由具體實(shí)施例1~4利用光致缺陷反應(yīng)還原二氧化碳生成的碳產(chǎn)量。

      具體實(shí)施方式

      下面將通過結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對(duì)本發(fā)明做進(jìn)一步的具體描述,但不能理解為是對(duì)本發(fā)明保護(hù)范圍的限定。

      實(shí)施例1

      本發(fā)明提供了一種尺寸可調(diào)的棒狀鍺酸鋅的水熱制備方法,包括如下步驟:

      (1)將0.1g鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,利用紫外-可見光照,通過步驟(1)中的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      從圖1電子順磁共振圖譜可知,實(shí)施例1中的鋅鍺氧樣品沒有明顯的氧空位信號(hào)峰。

      從圖2的碳產(chǎn)量圖可知,由實(shí)施例1生成的產(chǎn)碳量為1.07mmol/g。

      實(shí)施例2

      實(shí)施例2與實(shí)施例1的區(qū)別在于,包括以下步驟:

      (1)將0.1g鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)對(duì)步驟(1)處于真空下的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料進(jìn)行紫外-可見光輻照3h,使其表面生成氧空位;

      (3)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,繼續(xù)紫外-可見光照,利用步驟(2)中真空光輔照后的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      從圖1電子順磁共振圖譜可知,實(shí)施例2中真空光輻照3h的鋅鍺氧樣品具有明顯的氧空位信號(hào)峰。

      從圖2的碳產(chǎn)量圖可知,由實(shí)施例2生成的產(chǎn)碳量為1.33mmol/g。

      實(shí)施例3

      實(shí)施例3與實(shí)施例1,2的區(qū)別在于,包括以下步驟:

      (1)將0.1g鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)對(duì)步驟(1)處于真空下的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料進(jìn)行紫外-可見光輻照6h,使其表面生成氧空位;

      (3)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,繼續(xù)紫外-可見光照,利用步驟(2)中真空光輔照后的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      從圖1電子順磁共振圖譜可知,實(shí)施例3中真空光輻照6h的鋅鍺氧樣品具有明顯的氧空位信號(hào)峰。

      從圖2的碳產(chǎn)量圖可知,由實(shí)施例3生成的產(chǎn)碳量為1.53mmol/g。

      實(shí)施例4

      實(shí)施例4與實(shí)施例1,2,3的區(qū)別在于,包括以下步驟:

      (1)將0.1g鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)對(duì)步驟(1)處于真空下的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料進(jìn)行紫外-可見光輻照12h,使其表面生成氧空位;

      (3)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,繼續(xù)紫外-可見光照,利用步驟(2)中真空光輔照后的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      從圖1電子順磁共振圖譜可知,實(shí)施例4中真空光輻照12h的鋅鍺氧樣品具有明顯的氧空位信號(hào)峰。

      從圖2的碳產(chǎn)量圖可知,由實(shí)施例4生成的產(chǎn)碳量為1.84mmol/g。

      圖1為本發(fā)明涉及的由具體實(shí)施例1~4中真空光輻照鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料不同時(shí)間后,材料表面的氧空位信號(hào)圖譜。從圖中可以看出真空輻照時(shí)間越久,氧空位信號(hào)峰強(qiáng)度越高,即氧空位濃度越高。

      圖2為本發(fā)明涉及的由具體實(shí)施例1~4中利用真空光輻照的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化樣品光還原二氧化碳的產(chǎn)碳量。從圖中可以看出真空預(yù)輻照時(shí)間越長(zhǎng),產(chǎn)碳量越高。

      實(shí)施例5

      實(shí)施例5與實(shí)施例1,2,3,4的區(qū)別在于,包括以下步驟:

      (1)將0.1g鈷鍺氧半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)對(duì)步驟(1)處于真空下的鋅鍺氧半導(dǎo)體光催化材料進(jìn)行紫外-可見光輻照4h,使其表面生成氧空位;

      (3)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,繼續(xù)紫外-可見光照,利用步驟(2)中真空光輔照后的鈷鍺氧半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      實(shí)施例5中,通過鈷鍺氧光致缺陷反應(yīng)分解二氧化碳的最終產(chǎn)碳量為0.34mmol/g。

      實(shí)施例6

      實(shí)施例6與實(shí)施例1,2,3,4,5的區(qū)別在于,包括以下步驟:

      (1)將0.1g氧化鋅半導(dǎo)體光催化材料置于可密閉的系統(tǒng)中,對(duì)該系統(tǒng)抽真空,使密閉系統(tǒng)的真空度達(dá)到0.4pa;

      (2)將二氧化碳引入至步驟(1)中的密閉系統(tǒng),形成一個(gè)標(biāo)準(zhǔn)大氣壓,利用紫外加強(qiáng)燈光照,通過步驟(1)氧化鋅半導(dǎo)體光催化材料還原二氧化碳,光照時(shí)間為48h。

      實(shí)施例6中,通過氧化鋅光致缺陷反應(yīng)分解二氧化碳的最終產(chǎn)碳量為0.08mmol/g。

      以上顯示和描述了本發(fā)明的基本原理、主要特征和本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)。本行業(yè)的技術(shù)人員應(yīng)該了解,本發(fā)明不受上述實(shí)施例的限制,上述實(shí)施例和說明書中描述的只是說明本發(fā)明的原理,在不脫離本發(fā)明精神和范圍的前提下,本發(fā)明還會(huì)有各種變化和改進(jìn),本發(fā)明要求保護(hù)范圍由所附的權(quán)利要求書、說明書及其等效物界定。

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