技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明公開了一種利用管式爐生長大面積單晶二氧化釩薄膜的方法，在一定厚度的SiO2/Si、Si3N4/Si、硅、石英和藍寶石等實驗基片上，采用氣?固方式生長。實驗基片生長面經(jīng)過嚴格的拋光處理，將反應(yīng)源五氧化二釩粉末均勻的放置在石英舟底部，再將實驗基片放入到石英舟里，基片生長面朝下放置。在管式爐真空環(huán)境中通過控制升溫速率、溫度、氣壓以及氣體流量大小和反應(yīng)時間制備得到大面積單晶二氧化釩薄膜。采用這種方法制備出來的大面積單晶二氧化釩薄膜比一般的二氧化釩薄膜其性能優(yōu)異很多，而且工藝簡單、成膜質(zhì)量高；制備出的單晶二氧化釩薄膜絕緣體?金屬相變后，電導率變化幅度達到4～5個數(shù)量級，是一種單晶材料的薄膜，在光電、紅外、氣體傳感等方面具有廣泛的應(yīng)用前景。

技術(shù)研發(fā)人員：卜毅;鄒繼軍;朱志甫;鄧文娟;劉云
受保護的技術(shù)使用者：東華理工大學
文檔號碼：201611107754
技術(shù)研發(fā)日：2016.12.06
技術(shù)公布日：2017.05.10