1.一種用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，包括釜體和設(shè)在釜體內(nèi)的加熱器，其特征在于，所述釜體內(nèi)至少設(shè)置一個晶體生長用坩堝和一個反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝，該晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝通過充滿反應(yīng)物溶液的連通管路連接，釜體上設(shè)有升降移動控制機(jī)構(gòu)，該升降移動控制機(jī)構(gòu)分別與晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝連接，帶動該晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝上升或下降。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，其特征在于，所述連通管路至少設(shè)置一條。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，其特征在于，所述連通管路由石英、陶瓷、高純銅管或不銹鋼管材料制成。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的側(cè)面和底面均設(shè)有加熱器。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的數(shù)量相同或者不同。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜，其特征在于，所述加熱器為紅外加熱器、電阻加熱器或射頻加熱器。
7.一種根據(jù)權(quán)利要求1-6中任一項所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜的控制方法，包括以下步驟：
初始狀態(tài)下，在晶體生長用坩堝放置晶種模板和填充反應(yīng)物溶液，在反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝內(nèi)填充反應(yīng)物溶液，晶體生長用坩堝的液面和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的液面位于同一高度；
啟動加熱器進(jìn)行加熱升溫，同時往釜體內(nèi)引入氮氣；
在加熱升溫過程中，調(diào)整晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的相對高度，使晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝內(nèi)的反應(yīng)物溶液經(jīng)連通管路相互流動，直到晶體生長完成；
晶體生長完成后，使晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝復(fù)位，重新保持液面相同的高度。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜的控制方法，其特征在于，在控制晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的相對高度時，保持晶體生長用坩堝靜止不動，使反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝上升和下降；或者保持反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝靜止不動，使晶體生長用坩堝上升和下降；或者晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝分別上升和下降。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜的控制方法，其特征在于，所述晶體生長用坩堝和/或反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝在上升和下降時，以連續(xù)運動、周期運動或間歇運動的方式進(jìn)行運動。
10.根據(jù)權(quán)利要求7所述的用于晶體生長的調(diào)節(jié)反應(yīng)釜的控制方法，其特征在于，在加熱升溫過程中，晶體生長用坩堝和反應(yīng)物溶液調(diào)整坩堝的溫度相同或者不相同。