本實用新型涉及晶體生產領域，具體涉及到一種低溫晶體生長爐。

背景技術：

晶體生成的一般過程是先生成晶核，而后再逐漸長大，一般認為晶體從液相或氣相中的生長有三個階段：①介質達到過飽和、過冷卻階段；②成核階段；③生長階段，其原理基于物種晶相化學勢與該物種在相關物相中化學勢間準平衡關系的合理維持。如在溶液中的晶體生長要求在平衡溶解度附近溶質有一定適宜的過飽和度。晶體生長方法是多樣的，如水熱法生長人工水晶，區(qū)域熔融法生長硅、鍺單晶、氫氧焰熔融法生長軸承用寶石，航天失重法培養(yǎng)晶體以及升華法，同質或異質外延生長法等?，F(xiàn)有的晶體生長爐多種多樣，適用于不同晶體的生長，但是現(xiàn)有的生長爐多為固定式放置，難以移動，缺乏靈活性，晶體生長爐對環(huán)境的要求較高，可能常需移動位置，現(xiàn)有的生長爐難以滿足要求。

技術實現(xiàn)要素：

基于以上背景，本實用新型提供了一種低溫晶體生長爐，具有很好的靈活性能。

為了實現(xiàn)以上技術效果，現(xiàn)采用以下技術方案：

一種低溫晶體生長爐，包括加熱結晶裝置、升降裝置和機架，所述升降裝置設置在加熱結晶裝置正下方，所述加熱結晶裝置與升降裝置均設置在機架上，所述機架包括一支撐板以及設置在支撐板底部四角的支撐桿，所述支撐桿的底部之間垂直的設置有固定桿，所述固定桿與支撐桿相連接處設置有支撐裝置，所述支撐裝置可以翻折，所述固定桿的底部設置有萬向滾珠。

本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，優(yōu)選地，所述固定桿設置有三根，三根所述固定桿構成一個“凵”字形的形狀。

本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，優(yōu)選地，所述升降裝置設置在機架內，所述加熱結晶裝置設置在機架上方，所述加熱結晶裝置的四周設置有透明的防護板，所述防護板從支撐板處向上延伸。

本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，優(yōu)選地，所述加熱結晶裝置包括上下兩側的電阻加熱段和設置在電阻加熱段之間的高頻感應加熱段。

本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，優(yōu)選地，所述支撐裝置包括一固定軸、設置在固定軸上且可繞固定軸旋轉的轉軸以及垂直設置在轉軸尾端的圓盤。

本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，優(yōu)選地，所述支撐桿底部設置有凹槽，所述凹槽呈L狀，所述固定軸設置在該凹槽內，所述轉軸高于所述凹槽。

本實用新型的優(yōu)點和有益效果在于：

本實用新型提供的低溫晶體生長爐，采用三段式加熱的方式，以電阻加熱配合高頻感應加熱，使得晶體的成型更為快速和穩(wěn)定，成型效果大大提高；本晶體生長爐，在機架底部設置了支撐裝置，該支撐裝置可以進行翻折，當圓盤平行于地面，則利用圓盤的平面起到支撐的作用，當支撐裝置翻折，圓盤離開地面，則此時萬向滾珠與地面接觸，此時可以推動機架，完成整體設備的移動，大大提高了靈活性。

附圖說明

下面結合附圖對本實用新型的優(yōu)選實施方式進行詳細或者優(yōu)選地描述，其中，

圖1為本實用新型的示意圖；

圖2為本實用新型支撐裝置的示意圖；

圖3為本實用新型中A部放大示意圖。

具體實施方式

參考附圖1-3，本實用新型提供一種低溫晶體生長爐，包括加熱結晶裝置1、升降裝置2和機架3，所述升降裝置2設置在加熱結晶裝置1正下方，所述加熱結晶裝置1與升降裝置2均設置在機架3上，其特征在于，所述機架3包括一支撐板31以及設置在支撐板31底部四角的支撐桿32，所述支撐桿32的底部之間垂直的設置有固定桿33，所述固定桿33與支撐桿32相連接處設置有支撐裝置4，所述支撐裝置4可以翻折，所述固定桿33的底部設置有萬向滾珠。

所述固定桿33設置有三根，三根所述固定桿33構成一個“凵”字形的形狀，留出一個開口，方便升降裝置2的裝配，升降裝置2與加熱結晶裝置1相連接，用以控制籽晶桿在加熱結晶裝置1內的位置。

所述升降裝置2設置在機架3內，所述加熱結晶裝置1設置在機架3上方，所述加熱結晶裝置1的四周設置有透明的防護板5，所述防護板5從支撐板31處向上延伸，利用該防護板5，可以對較為脆弱的加熱結晶裝置1進行保護，同時設置為透明狀，可以清楚觀察到加熱結晶裝置1的工作狀態(tài)，避免出現(xiàn)意外，可以實時監(jiān)控，其中加熱結晶裝置1包括上下兩側的電阻加熱段11和設置在電阻加熱段11之間的高頻感應加熱段12，加熱最高溫度在1000度，成型晶體規(guī)格最大為3英寸。

所述支撐裝置4包括一固定軸41、設置在固定軸41上且可繞固定軸41旋轉的轉軸42以及垂直設置在轉軸42尾端的圓盤43，所述支撐桿32底部設置有凹槽10，所述凹槽10呈L狀，所述固定軸41設置在該凹槽10內，所述轉軸42高于所述凹槽10，當圓盤43的較大表面處于地面平行且相接觸時，將整體的機架3抬離地面，減少地面濕氣對設備的影響，同時將固定桿33上的萬向滾珠抬離地面，將機架3固定；而當旋轉轉軸42，使得圓盤43脫離地面，由與地面的平行狀態(tài)變化為與地面垂直的狀態(tài)，使得機架3整體下落，使得萬向滾珠與地面接觸，由此可以實現(xiàn)機架3的移動，即可帶動整體設備移動，實現(xiàn)不同位置的及時調整。

當然，以上所述的僅是本實用新型的優(yōu)選實施方式。應當指出，對于本領域的普通技術人員來說，在不脫離本實用新型原理的前提下，還可以作出若干變形和改進，這些也應視為屬于本實用新型的保護范圍。