本實(shí)用新型涉及一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu)。

背景技術(shù)：

目前單晶爐的導(dǎo)流筒內(nèi)只有四層保溫軟碳?xì)?，其保溫效果較差，不能很好的起到保溫的作用，容易致使熱場的熱量散失，進(jìn)而會導(dǎo)置設(shè)備運(yùn)行時功率較高，耗電量較大。由于保溫效果不好，熱量的損失，使熱場中的縱向溫度梯度達(dá)不到應(yīng)有的差值，給晶棒的正常生長帶來不利的影響，尤其是在導(dǎo)流筒底部不容易保溫，爐內(nèi)氣流通過時導(dǎo)流筒底部溫度較低， SiO沉積后形成的黃色雜質(zhì)在導(dǎo)流筒底部容易聚集，這些黃色雜質(zhì)還會掉落至液面上，進(jìn)而會引起單晶斷棱以影響晶棒的正常生長，減少了晶棒的有效長度，降低了利用率。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對上述現(xiàn)有技術(shù)存在的問題，本實(shí)用新型提供一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu)，該結(jié)構(gòu)保溫效果好、能起到良好的保溫效果，進(jìn)而會節(jié)省能耗，還可以保證晶棒的正常生長，能保證晶棒的有效長度以提高晶棒的利用率。

為了實(shí)現(xiàn)上述目的，本實(shí)用新型提供一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)流筒、第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?、第四碳?xì)謱?、橫截面為圓環(huán)形的第五碳?xì)謱雍透呒兪垖?，第一碳?xì)謱淤N合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上，第二碳?xì)謱淤N合在第一碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上，第三碳?xì)謱淤N合在第二碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上，第四碳?xì)謱淤N合在第三碳?xì)謱拥膬?nèi)側(cè)壁上，第一碳?xì)謱印⒌诙細(xì)謱?、第三碳?xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥纳隙烁叨纫来芜f減；第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥锥讼嗥烬R且形成一個環(huán)形臺面；所述第五碳?xì)謱釉O(shè)置于所述環(huán)形臺面的下部，第五碳?xì)謱拥耐饩壝尜N合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上，第五碳?xì)謱拥纳隙嗣媾c所述環(huán)形臺面相貼合；所述高純石墨紙層設(shè)置在第五碳?xì)謱拥南虏?，高純石墨紙層的外緣面貼合在導(dǎo)流筒的內(nèi)側(cè)壁上，高純石墨紙層的上端面與第五碳?xì)謱拥南露嗣尜N合。

在該技術(shù)方案中，通過在導(dǎo)流筒原來的四層碳?xì)值幕A(chǔ)上，增加一個下部的第五碳?xì)謱樱⒃诘谖逄細(xì)謱拥南虏吭O(shè)置了一層高純石墨紙，這樣第五碳?xì)謱拥脑黾涌梢约訌?qiáng)導(dǎo)流筒底部的保溫效果，從而可以增加縱向溫度梯度，能有效的減少熱場內(nèi)的熱量流失，在節(jié)能的同時保證了晶棒的正常生長，能避免因保溫效果不好而引起的雜質(zhì)脫落而導(dǎo)致的單晶斷棱的情況發(fā)生。高純石墨紙層的增加加大了導(dǎo)流筒內(nèi)部熱量的反射，保證了晶體生長界面的溫度的穩(wěn)定，進(jìn)而可以提高晶棒內(nèi)部質(zhì)量的均勻性。

作為一種優(yōu)選，第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱雍偷谌細(xì)謱拥恼归_形均為長方形，第四碳?xì)謱拥恼归_形為扇形。

作為一種優(yōu)選，所述高純石墨紙層的底面與導(dǎo)流筒的底端端面相平齊。

作為一種優(yōu)選，所述高純石墨紙層的底面高于導(dǎo)流筒的底端端面。

為了提高保溫效果，第一碳?xì)謱印⒌诙細(xì)謱?、第三碳?xì)謱雍偷谒奶細(xì)謱拥拈]合連接接縫之間均相交錯地設(shè)置。

附圖說明

圖1是本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)示意圖

圖中： 1、導(dǎo)流筒，2、第一碳?xì)謱樱?、第二碳?xì)謱樱?、第三碳?xì)謱樱?、第四碳?xì)謱樱?、第五碳?xì)謱樱?、高純石墨紙層。

具體實(shí)施方式

下面將對本實(shí)用新型作進(jìn)一步說明。

如圖1所示，一種新型的導(dǎo)流筒內(nèi)保溫結(jié)構(gòu)，包括導(dǎo)流筒1、第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?、第四碳?xì)謱?、橫截面為圓環(huán)形的第五碳?xì)謱?和高純石墨紙層7，第一碳?xì)謱?貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上，第二碳?xì)謱?貼合在第一碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上，第三碳?xì)謱?貼合在第二碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上，第四碳?xì)謱?貼合在第三碳?xì)謱?的內(nèi)側(cè)壁上，第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?的上端高度依次遞減；第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?底端相平齊且形成一個環(huán)形臺面；所述第五碳?xì)謱?設(shè)置于所述環(huán)形臺面的下部，第五碳?xì)謱?的外緣面貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上，第五碳?xì)謱?的上端面與所述環(huán)形臺面相貼合；所述高純石墨紙層7設(shè)置在第五碳?xì)謱?的下部，高純石墨紙層7的外緣面貼合在導(dǎo)流筒1的內(nèi)側(cè)壁上，高純石墨紙層7的上端面與第五碳?xì)謱?的下端面貼合。

通過在導(dǎo)流筒1原來的四層碳?xì)值幕A(chǔ)上，增加一個下部的第五碳?xì)謱?，并在第五碳?xì)謱?的下部設(shè)置了一層高純石墨紙，這樣第五碳?xì)謱?的增加可以加強(qiáng)導(dǎo)流筒1底部的保溫效果，從而可以增加縱向溫度梯度，能有效的減少熱場內(nèi)的熱量流失，在節(jié)能的同時保證了晶棒的正常生長，能避免因保溫效果不好而引起的雜質(zhì)脫落而導(dǎo)致的單晶斷棱的情況發(fā)生。高純石墨紙層7的增加加大了導(dǎo)流筒內(nèi)部熱量的反射，保證了晶體生長界面的溫度的穩(wěn)定，進(jìn)而可以提高晶棒內(nèi)部質(zhì)量的均勻性。

作為一種優(yōu)選，第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?和第三碳?xì)謱?的展開形均為長方形，第四碳?xì)謱?的展開形為扇形。

作為一種優(yōu)選，所述高純石墨紙層7的底面與導(dǎo)流筒1的底端端面相平齊。

作為一種優(yōu)選，所述高純石墨紙層7的底面高于導(dǎo)流筒1的底端端面。

為了提高保溫效果，第一碳?xì)謱?、第二碳?xì)謱?、第三碳?xì)謱?和第四碳?xì)謱?的閉合連接接縫之間均相交錯地設(shè)置。