1.一種利用磁控濺射技術(shù)制備N(xiāo)i/SiO2玻璃衰減片的裝置，其組成包括：真空室，其特征是：所述的真空室為圓柱形，側(cè)面具有取物口和探視窗口，所述的真空室下部中心具有可調(diào)支架，所述的可調(diào)支架的調(diào)整位置位于真空室外，所述的可調(diào)支架上安裝有正電極，所述的正電極上放置有工件，所述的真空室上部中心具有發(fā)射電極，所述的發(fā)射電極上連接有濺射靶，所述的真空室的側(cè)壁上還安裝有傳感器和加熱器，所述的傳感器和所述的加熱器導(dǎo)線連接于真空室外安裝的溫控器。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的利用磁控濺射技術(shù)制備N(xiāo)i/SiO2玻璃衰減片的裝置，其特征是：所述的真空室分別通過(guò)管路連接電離管、電阻規(guī)、手動(dòng)閥門(mén)、電磁閥C、充氣閥和進(jìn)氣手閥，所述的電離管和所述的電阻規(guī)通過(guò)管路連接于真空計(jì)，所述的手動(dòng)閥門(mén)通過(guò)管路連接分子真空泵，所述的電磁閥C通過(guò)管路連接于機(jī)械真空泵，所述的充氣閥通過(guò)管路外接惰性氣體充氣裝置，所述的進(jìn)氣手閥通過(guò)管路連接流量計(jì)。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的利用磁控濺射技術(shù)制備N(xiāo)i/SiO2玻璃衰減片的裝置，其特征是：所述的可調(diào)支架為電控可調(diào)，可實(shí)現(xiàn)正電極的上下運(yùn)動(dòng)及旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)，即可調(diào)支架內(nèi)具有控制上下運(yùn)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)和控制旋轉(zhuǎn)運(yùn)動(dòng)的步進(jìn)電機(jī)，所述的分子真空泵還通過(guò)管路、電磁閥A和電磁閥B連接所述的機(jī)械真空泵，所述的正電極和所述的發(fā)射電極分別提高導(dǎo)線連接于射頻電源。