本實(shí)用新型涉及一種長晶爐，是一種液相法生長碳化硅晶體的裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的液相法生長碳化硅晶體，是通過加熱將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再通過頭部貼付有籽晶的籽晶軸伸入到溶液中去生長晶體。液相法生長晶體時(shí)，通過在籽晶軸內(nèi)通入冷卻介質(zhì)來冷卻籽晶軸的下端部，進(jìn)而冷卻下部的籽晶，同時(shí)使附近區(qū)域冷卻，使附近區(qū)域的SiC成為過飽和狀態(tài)，促進(jìn)SiC單晶體的生長。但是，若附近區(qū)域以外的周邊區(qū)域的溫度不均勻，則在周邊區(qū)域中，容易因自然生成晶核而生成SiC多晶體，所生成的SiC多晶體若流動至籽晶處大量附著于在SiC籽晶上生長的SiC單晶體，則會阻礙SiC單晶體的生長，并影響產(chǎn)品質(zhì)量。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

針對現(xiàn)有技術(shù)中存在的上述缺陷，本實(shí)用新型提供了一種能使籽晶附近區(qū)域以外的周邊區(qū)域的溫度均勻、能夠提高晶體質(zhì)量的長晶爐。

本實(shí)用新型是通過如下技術(shù)方案來實(shí)現(xiàn)的：一種長晶爐，包括爐體、籽晶軸，其特征是：所述爐體的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有一環(huán)形的墊板，所述墊板上設(shè)置有一直徑與所述爐體的內(nèi)徑相當(dāng)?shù)膿醢?，所述擋板將爐體內(nèi)部分為上下兩部分空間，所述擋板上有供籽晶軸穿過的軸孔，所述擋板的上部為平面，其下部為向上凸起的曲面，其靠近籽晶軸部分的厚度大于遠(yuǎn)離籽晶軸部分的厚度。

進(jìn)一步的，為便于擋板位置的調(diào)節(jié)，所述墊板在爐體內(nèi)的上下位置可調(diào)。

進(jìn)一步的，所述爐體的內(nèi)側(cè)壁上沿其高度方向設(shè)有至少兩個(gè)環(huán)形臺階，所述墊板設(shè)置于所述環(huán)形臺階上。通過環(huán)形臺階可以固定墊板。

本實(shí)用新型中通過在爐體內(nèi)設(shè)置擋板將爐體內(nèi)部空間分為上下兩部分，擋板可以阻擋爐體內(nèi)的溶液的熱量的散發(fā)，使上部空間的溫度低于下部空間的溫度。由于上部空間的溫度較低，可以使籽晶軸的散熱很好的進(jìn)行，可以對籽晶附件近區(qū)域進(jìn)行很好的冷卻，有利于晶體的生長。由于擋板的存在，可以阻擋爐體內(nèi)的溶液的熱量的大量散發(fā)。由于擋板的下表面為向上凸起的曲面，爐體下部空間內(nèi)可形成沿曲面流動的氣流，該種方向流動的氣流有利于使下部空間內(nèi)的溫度均勻，不使內(nèi)外側(cè)的溫度產(chǎn)生大的溫度梯度，有利于使籽晶附近區(qū)域以外的周邊區(qū)域的溫度通過熱傳導(dǎo)而更加均勻，從而防止因溫度不均勻而導(dǎo)致生成SiC多晶體，影響籽晶軸上的單晶體的生長及影響生長的晶體的質(zhì)量。本實(shí)用新型將擋板靠近籽晶軸部分的厚度設(shè)計(jì)為大于遠(yuǎn)離籽晶軸部分的厚度，其可使籽晶軸上形成更好的溫度梯度，有利于籽晶軸的散熱。而墊板的設(shè)置可以使擋板保持穩(wěn)定，避免擋板與籽晶軸之間產(chǎn)生交涉，使得籽晶軸在后期的提拉過程中不受影響，保證籽晶軸與生長的晶體同軸。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型具體實(shí)施方式中的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是本實(shí)用新型具體實(shí)施例中帶有環(huán)形臺階的爐體示意圖；

圖中，1、爐體，2、籽晶軸，3、籽晶，4、墊板，5、擋板，6、曲面，7、環(huán)形臺階。

具體實(shí)施方式

下面通過非限定性的實(shí)施例并結(jié)合附圖對本實(shí)用新型作進(jìn)一步的說明：

如附圖所示，一種長晶爐，包括爐體1、籽晶軸2。其中，籽晶軸2的下部設(shè)有籽晶3，所述爐體1的內(nèi)側(cè)壁上設(shè)有一環(huán)形的墊板4，所述墊板4上設(shè)置有一直徑與所述爐體1的內(nèi)徑相當(dāng)?shù)膿醢?，所述擋板5將爐體1內(nèi)部分為上下兩部分空間，所述擋板5上有供籽晶軸2穿過的軸孔，所述擋板5的上部為平面，其下部為向上凸起的曲面6，其靠近籽晶軸2部分的厚度大于遠(yuǎn)離籽晶軸2部分的厚度。

本實(shí)施例中，擋板5為絕熱性材料制成。

本實(shí)施例中的擋板5應(yīng)設(shè)置在爐內(nèi)的溶液液面之上。為便于擋板5位置的調(diào)節(jié)以適應(yīng)不同的高度需求，所述墊板4在爐體1內(nèi)的上下位置設(shè)計(jì)可調(diào)，本實(shí)施例中是在爐體1的內(nèi)側(cè)壁上沿其高度方向設(shè)有至少兩個(gè)環(huán)形臺階7，墊板4固定在環(huán)形臺階7上。通過墊板4的位置調(diào)整，來調(diào)整擋板5在爐內(nèi)的高度。

本實(shí)施例中的其他部分為現(xiàn)有技術(shù)，在此不再贅述。