本發(fā)明涉及光伏領(lǐng)域，更具體的，涉及多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有電子級多晶硅生產(chǎn)大部分采用改良西門子法，在現(xiàn)有商業(yè)化生產(chǎn)裝置中，多采用熱氫化裝置作為整個系統(tǒng)中氫化工序的組成部分。因為還原、尾氣回收、熱氫化和精餾組成的系統(tǒng)并不能形成閉路循環(huán)，需要在生產(chǎn)過程中向系統(tǒng)內(nèi)補充TCS或STC原料，并排出氯化氫作為副產(chǎn)物。同時，在這類系統(tǒng)中，精餾部分通常較為簡單，對于雜質(zhì)的提純能力不強，這就要求補充的TCS或STC原料達到電子級的標(biāo)準(zhǔn)，或者需要采用多級精餾或其他方式對本系統(tǒng)中物料進行提純，這又造成裝置投資和運行成本上升。并且即使采用多級的精餾系統(tǒng)，也常常無法達到滿足電子級多晶硅生產(chǎn)的需求。以上現(xiàn)有方法，對原料采購提出的較高的標(biāo)準(zhǔn)，對于成本控制造成不利影響，并且也造成了質(zhì)量控制的風(fēng)險。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本發(fā)明要解決的技術(shù)問題是提供一種太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)與電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)耦合的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，通過太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的精餾工段能夠提供純度較高的TCS，將其作為原料補充進入電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，以降低電子級多晶硅的生產(chǎn)成本，并減少質(zhì)量風(fēng)險。

為解決上述技術(shù)問題，本發(fā)明采取的技術(shù)方案是：

一種耦合的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，包含太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)和電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，所述太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)包括按以下方向順序連接形成第一回路的第一精餾裝置1、太陽能級還原裝置2、第一尾氣回收裝置3和冷氫化裝置4，所述電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)包括按以下方向順序連接形成第二回路的熱氫化裝置5、熱氫化尾氣分離裝置6、第二精餾裝置7、電子級還原裝置8、第二尾氣回收裝置9、第三精餾裝置10；所述太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的第一精餾裝置1連接到電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的第二精餾裝置7，所述電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的熱氫化尾氣分離裝置6連接到太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的冷氫化裝置4。

優(yōu)選的，所述電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的第二尾氣回收裝置9連接到太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的冷氫化裝置4，所述電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的第三精餾裝置10連接到太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中的太陽能級還原裝置2。

優(yōu)選的，電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中，所述第二尾氣回收裝置9連接回電子級還原裝置8，形成第三回路；所述第三精餾裝置10連接回和第二精餾裝置7，形成第四回路；所述第二精餾裝置7連接到熱氫化裝置5，所述熱氫化尾氣分離裝置6連接回?zé)釟浠b置5，形成第五回路；所述冷氫化裝置4連接回第一精餾裝置1形成第六回路；太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中，所述第一尾氣回收裝置3連接回太陽能級還原裝置2形成第七回路。

其中所述第二尾氣回收裝置9中包含深冷設(shè)備901、吸收塔902、解吸塔903、吸附塔904。

所述深冷設(shè)備901中部一側(cè)設(shè)有進料口90101，中部另一側(cè)設(shè)有氣相出料口90102，底部設(shè)有液相出料口90103；

所述吸收塔902具有位于塔身側(cè)壁靠下位置的第一進料口90201、位于塔身側(cè)壁靠上位置的第二進料口90202、位于塔頂?shù)牡谝怀隽峡?0203、位于塔底的第二出料口90204；

所述解吸塔903具有位于塔身側(cè)壁中部位置的第三進料口90301和位于塔身側(cè)壁靠上位置的第四進料口90302、位于塔頂?shù)牡谌隽峡?0303、位于塔底的第四出料口90304；

所述吸附塔904底部設(shè)有氣體入口管90401，頂部設(shè)有氣體出口管90402；

所述氣相出料口90102通過第一管道905連接第一進料口90201所述第二進料口90202通過第二管道906和所述第四出料口90304相連；所述第一出料口90203通過第三管道907連接氣體入口管90401，所述第二出料口90204通過第四管道908與第三進料口相連90301；所述液相出料口90103通過第五管道909接入第四管道908；

所述第三出料口90303通過第六管道910順序連接塔頂換熱器911、塔頂回流罐912、回流氣動閥913和第四進料口90302，所述第六管道910在塔頂回流罐912和回流氣動閥913之間第七管道914。

優(yōu)選的，所述第二尾氣回收裝置9中還包含尾氣吸收控制系統(tǒng)，所述尾氣吸收控制系統(tǒng)包含：第一在線色譜儀915；第二在線色譜儀916；DCS控制系統(tǒng)917；

所述第二管道906上設(shè)有第一三通918，所述第一三通918兩端連通第一管道906，第三端連通第一在線色譜儀引入管919；所述第一在線色譜儀引入管919末端連接有第一氣動三通閥920，所述第一氣動三通閥920通過管道連接于第一在線色譜儀915，所述第一在線色譜儀915連接到DCS控制系統(tǒng)917上；

所述第三管道907上設(shè)有第二三通921，所述第二三通921兩端連通第三管道907，第三端連通第二在線色譜儀引入管922；所述第二在線色譜儀引入管922末端連接有第二氣動三通閥923，所述第二氣動三通閥923通過管道連接于第二在線色譜儀916，所述第二在線色譜儀916連接到DCS控制系統(tǒng)917上；

所述DCS控制系統(tǒng)917連接所述回流氣動閥913。

更優(yōu)選的，所述吸附塔904為多層吸附塔，所述多層吸附塔904的塔體通過若干層塔板分為若干個塔室，塔頂設(shè)有塔底設(shè)有氣體入口管90401和氣體出口管90402；塔體外部繞有中空的外盤管90409，所述外盤管的兩端設(shè)有外盤管入口9040901和外盤管出口9040902。

以上所述耦合的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的使用方法，包括以下步驟：在多晶硅生產(chǎn)過程中，將所述第一精餾裝置1中得到的TCS作為補充料輸入第二精餾裝置7，將所述熱氫化尾氣分離裝置6中HCL輸入到冷氫化裝置4。

在多晶硅生產(chǎn)過程中，將所述第二尾氣回收裝置9中得到的HCL通往冷氫化裝置4，將所述第三精餾裝置10中分離得到的DCS輸入到太陽能級還原裝置2。

進一步的，還包括以下步驟：

在電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)中，

(1)將已提純的TCS、H₂和DCS通入電子級還原裝置8，得到電子級的多晶硅材料，尾氣進入第二尾氣回收裝置9；

(2)將步驟(1)中進入第二尾氣回收裝置9的尾氣以干法進行分離，得到包含TCS、STC和DCS的物料進入第三精餾裝置10；得到的H2通往電子級還原裝置8；

(3)將步驟(2)中進入第三精餾裝置10的物料進行分離，得到的STC通往熱氫化裝置5，得到的含少量DCS的TCS通往第二精餾裝置7繼續(xù)提純；

(4)在熱氫化裝置(5)中，步驟(3)中所述STC和系統(tǒng)外通入熱氫化裝置(5)的氫氣反應(yīng)生成TCS和HCl氣體，所述TCS、HCl和未反應(yīng)完全的STC、形成的尾氣通往熱氫化尾氣分離裝置6進行分離；

(5)步驟(4)所述的尾氣分離后得到的氯硅烷通往第二精餾裝置7，得到的H2輸入到熱氫化裝置5；

(6)將步驟(5)中進入第二精餾裝置7的氯硅烷進行分餾，得到的STC進入熱氫化裝置5，得到的TCS進入電子級還原裝置8。

步驟(1)中，所述TCS、H₂和DCS的摩爾比為10～30:30～150：1；所述TCS、H₂和DCS的總進料量為400～1500NM₃/h；所述電子級還原裝置8的還原爐參數(shù)如下：爐內(nèi)壓力為1～5個大氣壓，硅芯溫度為980～1200℃；

步驟(3)中，所述第三精餾裝置中的包含兩個串聯(lián)使用的精餾塔，所述兩個精餾塔的參數(shù)如下：回流比為2～20；壓力0.5～3個大氣壓；塔頂溫度45～70℃；塔釜溫度80～110℃；

步驟(4)中，所述STC和氫氣的摩爾比為1:2.5～4；所述熱氫化裝置5和熱氫化尾氣分離裝置6的還原爐采取參數(shù)如下：爐內(nèi)硅芯表面溫度為1000～1200℃，爐內(nèi)壓力1～3個大氣壓；

步驟(5)中，所述第二精餾裝置7中包含三個串聯(lián)使用的精餾塔，所述三個精餾塔的參數(shù)如下：回流比為1.5～30，壓力0.5～3個大氣壓，塔頂溫度45～70℃，塔釜溫度80～110℃。

未采用所述尾氣吸收的控制系統(tǒng)前，由于解吸塔底部的HCL含量波動較為厲害，往往導(dǎo)致吸收塔塔頂?shù)腍CL含量產(chǎn)生劇烈波動，對后續(xù)吸附效果造成嚴(yán)重影響。采用所述尾氣吸收的控制系統(tǒng)后，通過開關(guān)第一氣動三通閥920可控制向第一在線色譜儀915進樣的頻率；所述第一在線色譜儀915連接到DCS控制系統(tǒng)917上，可將第一在線監(jiān)測結(jié)果Q1輸入DCS控制系統(tǒng)5；通過開關(guān)第二氣動三通閥923可控制向第二在線色譜儀916進樣的頻率；所述第二在線色譜儀916連接到DCS控制系統(tǒng)917上，將第二在線監(jiān)測結(jié)果Q2輸入DCS控制系統(tǒng)917；

所述DCS控制系統(tǒng)917連接所述回流氣動閥913，通過控制所述回流氣動閥913的氣體流量調(diào)節(jié)所述解吸塔903的回流比，直至第一和第二在線監(jiān)測結(jié)果Q1、Q2值到達預(yù)設(shè)控制值后，輸出氫氣至下一道工序。

所述第一和第二在線色譜儀引入管為1/8英寸規(guī)格的管道。

所述第一和第二氣動三通閥控制向第一和第二在線色譜儀進樣的頻率為每5～30分鐘進樣一次。

所述DCS控制系統(tǒng)中917，Q1和Q2以串級控制的方式對回流氣動閥913進行控制以達到控制解吸塔的回流比的目的?？梢允刮账?02對于氫氣物料中HCL等雜質(zhì)的吸收效果穩(wěn)定有效，不會對后續(xù)吸附塔904中吸附提純效果造成影響，進而能夠產(chǎn)出純度合格的氫氣原料。

優(yōu)選的，吸收塔902采用高效填料，理論塔板數(shù)量為10～30塊板；解吸塔903采用高效填料，理論塔板數(shù)量為10～25塊板，優(yōu)選為15塊板，解吸塔903的回流比設(shè)為4～8。

進一步優(yōu)選的，所述吸附塔904塔體內(nèi)置有中空內(nèi)筒90407，所述中空內(nèi)筒90407自塔底貫穿塔室直至靠近塔頂位置，所述中空內(nèi)筒90407下部設(shè)有外延伸段，所述外延伸段通過塔底的孔穿出塔外，所述中空內(nèi)筒90407設(shè)有內(nèi)筒出口管9040702和內(nèi)筒入口管9040701，所述內(nèi)筒出口管9040702設(shè)在所述中空內(nèi)筒90407的底部，所述內(nèi)筒入口管9040701自所述中空內(nèi)筒90407的底部延伸至頂部，所述中空圓筒90407外部纏繞有中空的內(nèi)盤管90408，所述內(nèi)盤管90408的兩端設(shè)有內(nèi)盤管入口9040801和內(nèi)盤管出口9040802，所述內(nèi)盤管入口9040801和內(nèi)盤管出口9040802穿出塔體。

所述塔室可以多個，優(yōu)選的是2～6個，所述塔室內(nèi)各自獨立的填充有吸附材料。每一層塔室的底板是可拆卸的，吸附材料堆填在底板上的。安裝時從下往上一層一層安裝填充。

所述塔室可以為4個，所述吸附材料各自獨立的選自分子篩、1號活性炭、2號活性炭和3號活性炭，所述1號活性炭為椰殼活性炭，所述2號和3號活性炭為煤質(zhì)活性炭。

所述分子篩的孔徑為0.3-1nm；所述1號活性炭為椰殼活性炭，其主要孔徑小于2nm，對應(yīng)孔容為3-6ml/g；所述2號活性炭為煤質(zhì)活性炭，其主要孔徑為2-50nm，對應(yīng)孔容為1-3ml/g；所述3號活性炭為煤質(zhì)活性炭，其主要孔徑大于50nm，對應(yīng)孔容為0.5-2ml/g。

優(yōu)選的，所述電子級還原裝置的還原爐為內(nèi)襯銀CVD反應(yīng)爐，還原爐為9或12對棒規(guī)格；使用內(nèi)襯銀CVD反應(yīng)爐有以下優(yōu)點：(1)利用銀復(fù)層的高反射能力，使?fàn)t內(nèi)氣場和溫場更加均勻；(2)利用銀層的隔離作用杜絕了金屬離子的釋放，避免設(shè)備本體對多晶硅產(chǎn)品造成污染；(3)利用銀不對多晶硅產(chǎn)生污染的特殊性，保證多晶硅中金屬離子有較低的含量；利用銀層的穩(wěn)定性，達到爐筒內(nèi)壁易清洗且不會發(fā)生腐蝕的目的。

太陽能級生產(chǎn)系統(tǒng)中的冷氫化裝置接收了電子級系統(tǒng)的HCL，一方面電子級系統(tǒng)通過HCL排出帶走了部分雜質(zhì)，另一方面冷氫化裝置在HCL通入后因為與硅的反應(yīng)放熱，節(jié)約了能耗，同時反應(yīng)的發(fā)生使得STC的一次轉(zhuǎn)化率提高，從實驗結(jié)果來看，能耗大約降低了3～5％，一次轉(zhuǎn)化率從22～23％提高至23～24％。

太陽能級生產(chǎn)系統(tǒng)的還原尾氣回收料也可以作為電子級系統(tǒng)的補充TCS進行生產(chǎn)，但是從實際生產(chǎn)結(jié)果來看，其回收料的純度低于太陽能級系統(tǒng)的合成料純度，這是因為太陽能級系統(tǒng)中還原工序的雜質(zhì)污染很嚴(yán)重，導(dǎo)致其尾氣中雜質(zhì)含量超標(biāo)。本發(fā)明中的補充料為經(jīng)過多次精餾純化的合成料，可有效避免此問題。

通過太陽能級與電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的聯(lián)合應(yīng)用，能夠有效的降低電子級多晶硅的生產(chǎn)成本，降低電子級多晶硅的質(zhì)量控制風(fēng)險，同事其副產(chǎn)的氯化氫通入太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，作為冷氫化裝置的原料，能夠有效的提高冷氫化裝置的生產(chǎn)效率，進而對太陽能級多晶硅系統(tǒng)起到相應(yīng)改善。

采用本發(fā)明的聯(lián)合生產(chǎn)系統(tǒng)，可以將電子級多晶硅的生產(chǎn)成本降到最低，同時補充TCS是從自有的太陽能級系統(tǒng)采出，有效的杜絕了外購原料質(zhì)量波動對于系統(tǒng)的影響，其外界依存度最低。電子級系統(tǒng)的HCL和DCS可以返回太陽能級系統(tǒng)，避免了其在電子級系統(tǒng)中不斷循環(huán)產(chǎn)生的雜質(zhì)聚集，對于提高系統(tǒng)純度由很大幫助。

有益效果：本發(fā)明能夠有效的降低電子級多晶硅的生產(chǎn)成本，降低電子級多晶硅的質(zhì)量控制風(fēng)險，同時提高太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的生產(chǎn)效率。

附圖說明

圖1根據(jù)本發(fā)明裝置制備多晶硅的方法的流程圖；

圖2本發(fā)明中第二尾氣回收裝置的結(jié)構(gòu)示意圖

圖3本發(fā)明中多層吸附塔的結(jié)構(gòu)示意圖

具體實施方式

根據(jù)下述實施例，可以更好地理解本發(fā)明。然而，本領(lǐng)域的技術(shù)人員容易理解，實施例所描述的內(nèi)容僅用于說明本發(fā)明，而不應(yīng)當(dāng)也不會限制權(quán)利要求書中所詳細描述的本發(fā)明。

本發(fā)明中STC代表四氯化硅、TCS代表三氯氫硅、DCS代表二氯二氫硅。

實施例1結(jié)合附圖1～3，本發(fā)明所述的一種耦合的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，包含太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)和電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，所述太陽能級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)包括按以下方向順序連接形成第一回路的第一精餾裝置1、太陽能級還原裝置2、第一尾氣回收裝置3和冷氫化裝置4，所述電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)包括按以下方向順序連接形成第二回路的熱氫化裝置5、熱氫化尾氣分離裝置6、第二精餾裝置7、電子級還原裝置8、第二尾氣回收裝置9、第三精餾裝置10；所述第一精餾裝置1連接到第二精餾裝置7，所述熱氫化尾氣分離裝置6連接到冷氫化裝置4。

所述第二尾氣回收裝置9還連接到冷氫化裝置4，所述第三精餾裝置10還連接到太陽能級還原裝置2。

所述第二尾氣回收裝置9還連接回電子級還原裝置8，形成第三回路；所述第三精餾裝置10連接回和第二精餾裝置7，形成第四回路；所述第二精餾裝置7還連接到熱氫化裝置5，形成第一支路，所述熱氫化尾氣分離裝置6還連接回?zé)釟浠b置5，形成第五回路；所述冷氫化裝置4還連接回第一精餾裝置1形成第六回路；所述第一尾氣回收裝置3還連接回太陽能級還原裝置2形成第七回路。

其中所述第二尾氣回收裝置9中包含深冷設(shè)備901、；吸收塔902、解吸塔903、吸附塔904。

所述深冷設(shè)備901中部一側(cè)設(shè)有進料口90101，中部另一側(cè)設(shè)有氣相出料口90102，底部設(shè)有液相出料口90103；

所述吸收塔902具有位于塔身側(cè)壁靠下位置的第一進料口90201、位于塔身側(cè)壁靠上位置的第二進料口90202、位于塔頂?shù)牡谝怀隽峡?0203、位于塔底的第二出料口90204；

所述解吸塔903具有位于塔身側(cè)壁中部位置的第三進料口90301和位于塔身側(cè)壁靠上位置的第四進料口90302、位于塔頂?shù)牡谌隽峡?0303、位于塔底的第四出料口90304；

所述吸附塔904底部設(shè)有氣體入口管90401，頂部設(shè)有氣體出口管90402；

所述氣相出料口90102通過第一管道905連接第一進料口90201所述第二進料口50102通過第二管道906和所述第四出料口90304相連；所述第一出料口90203通過第三管道907連接氣體入口管90401，所述第二出料口90204通過第四管道908與第三進料口相連90301；，所述液相出料口90103通過第五管道909接入第四管道908；

所述第三出料口90303通過第六管道910順序連接塔頂換熱器911、塔頂回流罐912、回流氣動閥913和第四進料口90302，所述第六管道910在塔頂回流罐912和回流氣動閥913之間第七管道914。

所述第二尾氣回收裝置9中還包含尾氣吸收控制系統(tǒng)，所述尾氣吸收控制系統(tǒng)包含：第一在線色譜儀915；第二在線色譜儀916；DCS控制系統(tǒng)917；

所述第二管道906上設(shè)有第一三通918，所述第一三通918兩端連通第一管道906，第三端連通第一在線色譜儀引入管919；所述第一在線色譜儀引入管919末端連接有第一氣動三通閥920，所述第一氣動三通閥920通過管道連接于第一在線色譜儀915，所述第一在線色譜儀915連接到DCS控制系統(tǒng)917上；

所述第三管道907上設(shè)有第二三通921，所述第二三通921兩端連通第三管道907，第三端連通第二在線色譜儀引入管922；所述第二在線色譜儀引入管922末端連接有第二氣動三通閥923，所述第二氣動三通閥923通過管道連接于第二在線色譜儀916，所述第二在線色譜儀916連接到DCS控制系統(tǒng)917上；

所述DCS控制系統(tǒng)917連接所述回流氣動閥913。

所述吸附塔904為多層吸附塔，所述多層吸附塔904的塔體通過若干層塔板分為若干個塔室，塔頂設(shè)有塔底設(shè)有氣體入口管90401和氣體出口管90402；塔體外部繞有中空的外盤管90409，所述外盤管的兩端設(shè)有外盤管入口9040901和外盤管出口9040902。

實施例2：

本實施例使用實施例1中耦合的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，但第二尾氣回收裝置中不使用尾氣監(jiān)控系統(tǒng)、同時使用的吸附塔為傳統(tǒng)吸附塔，不使用多層吸附塔。

太陽能級系統(tǒng)為采用傳統(tǒng)改良西門子法的年產(chǎn)能5000噸的多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)，在此基礎(chǔ)上，耦合了電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)。

電子級系統(tǒng)年產(chǎn)能為1000噸，配備12臺12對棒還原爐，將已提純的TCS、H2和DCS以摩爾比20:80：1，通入電子級還原裝置的還原爐內(nèi)，爐內(nèi)壓力為2.2個大氣壓，硅芯溫度控制在1080～1150度，單爐進料量為850NM3/h。在還原爐內(nèi)進行化學(xué)氣相沉積，生產(chǎn)電子級棒狀多晶硅。

還原爐尾氣包含STC、TCS、DCS和氫氣，通往第二尾氣回收裝置以干法進行分離回收，氯硅烷混合物進入電子級多晶硅生產(chǎn)系統(tǒng)的第三精餾裝置，回收得到的HCL通往太陽能級還原裝置的冷氫化裝置；回收H2則返回電子級還原裝置循環(huán)利用。

第三精餾裝置包含2個精餾塔，在這兩個塔中，氯硅烷混合物料進行分離，第一精餾塔的塔底分離出的STC通往熱氫化裝置，第二個精餾塔的塔頂分離出少量DCS通往太陽能級系統(tǒng)，塔底分離出的含少量DCS的TCS通往第二精餾裝置繼續(xù)提純。第一個精餾塔的參數(shù)如下：回流比為4，壓力1.5個大氣壓；塔頂溫度60～65℃；塔釜溫度85～87℃；第二精餾塔回流比為7.5，壓力1.3個大氣壓；塔頂溫度28～32℃；塔釜溫度56～60℃；

第三精餾裝置中分離出的STC和外部補充的氫氣以摩爾比1:3.2混合后通入熱氫化爐，爐內(nèi)硅芯表面溫度為1050～1100度，爐內(nèi)壓力2個大氣壓；大概15％～18％左右的STC在熱氫化裝置中轉(zhuǎn)化為TCS，形成以TCS、STC和氫氣為主的尾氣通往熱氫化尾氣分離系統(tǒng)進行分離，分離出的氯硅烷通往第二精餾裝置，得到的HCL通往太陽能級系統(tǒng)的冷氫化裝置。

將進入第二精餾裝置的氯硅烷進行分餾，所述第二精餾裝置采用第一精餾塔、第二精餾塔和第三精餾塔對所述氯硅烷進行分離純化，將所述氯硅烷泵入所述第一精餾塔，所述第一精餾塔的塔釜采出物料STC進入熱氫化裝置，所述第一精餾塔的塔頂采出物料進所述第二精餾塔，所述第一精餾塔的塔頂少量含B的輕組分排出系統(tǒng)；所述第二精餾塔的塔釜采出TCS進入所述第三精餾塔，在所述第三精餾塔進行除重操作，少量重組分排出系統(tǒng)；所述第一精餾塔回流比為3.6，壓力1.5個大氣壓，塔頂溫度60℃，塔釜溫度85℃；所述第二精餾塔回流比為25，壓力0.5個大氣壓，塔頂溫度60℃，塔釜溫度80℃；所述第三精餾塔回流比為6，壓力2個大氣壓，塔頂溫度50℃，塔釜溫度75℃；

上述第三精餾塔輸出的物料輸入所述電子級還原裝置；

將從太陽能級精餾系統(tǒng)中經(jīng)過提純的TCS物料作為電子級系統(tǒng)的補充料進入第二精餾裝置進一步提純后進行利用。

得到的電子級系統(tǒng)的多晶硅產(chǎn)品中B含量30～50ppt；P含量80～150ppt；少子壽命1000～1050μs。

實施例3：

實施例3與實施例2的操作和參數(shù)相同，所不同的是，加尾氣控制系統(tǒng)控制波動，得到的電子級系統(tǒng)的多晶硅產(chǎn)品中B含量30～45ppt；P含量80～130ppt；少子壽命1000～1070μs。

實施例4

實施例4與實施例3的操作和參數(shù)相同，所不同的是，還采用多層吸附塔，得到的電子級系統(tǒng)的多晶硅產(chǎn)品中B含量20～40ppt；P含量80～120ppt；少子壽命1030～1100μs。