技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明屬于光學(xué)材料領(lǐng)域，提出一種Al摻雜CsLiB6O10晶體生長(zhǎng)助熔劑，其特征在于，為Cs2O?Li2O?MoO3體系的助熔劑，體系中Cs2O，Li2O，MoO3的摩爾比為1：(0.8～1.2)：(1.6～2.0)。本發(fā)明還提出利用所述助熔劑的Al摻雜CsLiB6O10晶體生長(zhǎng)方法。本發(fā)明提出的新助熔劑體系，可以有效降低晶體的生長(zhǎng)溫度，其溫度范圍在800～820℃之間，而且生長(zhǎng)溶液澄清透明易于實(shí)時(shí)觀察晶體生長(zhǎng)狀況。可明顯減少體系的揮發(fā)度，提高生長(zhǎng)體系的穩(wěn)定性，防止漂晶形成，提高晶體生長(zhǎng)成功率。顯著地降低溶液的粘度，利于溶質(zhì)傳輸，易于晶體生長(zhǎng)并且?guī)缀鯚o(wú)包裹體產(chǎn)生。

技術(shù)研發(fā)人員：胡章貴;朱顯超;涂衡
受保護(hù)的技術(shù)使用者：中國(guó)科學(xué)院理化技術(shù)研究所
技術(shù)研發(fā)日：2017.04.13
技術(shù)公布日：2017.08.18