本發(fā)明屬于陶瓷釉料領(lǐng)域，具體涉及一種中溫日用陶瓷裝飾用花釉的應(yīng)用方法。
背景技術(shù)：
隨著生活水平的提高，人們?cè)絹?lái)越追求高品質(zhì)的生活質(zhì)量。日常生活中所用的物品也不再單純滿足于其使用的價(jià)值，還要求具有觀賞價(jià)值。目前，在日用陶瓷外觀裝飾方面，已經(jīng)有釉上貼花、浮雕、釉上彩、釉下彩、顏色釉及其綜合裝飾等一系列裝飾。為了滿足人們高品質(zhì)的生活需求，作為藝術(shù)瓷裝飾的花釉應(yīng)用于日用陶瓷——花釉日用陶瓷應(yīng)運(yùn)而生，越來(lái)越受到人們的喜愛(ài)，市場(chǎng)前景非常好。
所謂花釉，就是通過(guò)配方研究，以石英、長(zhǎng)石為主要原料，在釉料中加入色劑，采用不同的施釉方式與燒成制度，隨著窯爐溫度、氣氛的微妙變化，使釉中各著色氧化物在高溫下相互交融反應(yīng)，形成五光十色、變化萬(wàn)千的各種色釉，使釉面產(chǎn)生一些意想不到的奇特裝飾效果，但花釉產(chǎn)品生產(chǎn)控制難度很大，歷史上有花釉產(chǎn)品獨(dú)一無(wú)二的說(shuō)法。
作為近年來(lái)亮相市場(chǎng)新品花釉日用陶瓷產(chǎn)品，大多都是多層反應(yīng)花釉，其釉色豐富、柔和以及更有立體感而深受客戶的青睞。多層反應(yīng)花釉是利用多層釉之間的高溫流動(dòng)度的差別，形成釉層間錯(cuò)動(dòng)的流動(dòng)效果，從而形成花紋。多層反應(yīng)花釉除了特殊的配方搭配外，施釉過(guò)程比較復(fù)雜，成本高；而且對(duì)燒成制度要求嚴(yán)格，燒成制度控制不合理，不但不能配套生產(chǎn)，而且會(huì)出現(xiàn)流釉、釉不平等缺陷，產(chǎn)品合格率很低。
技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：
本發(fā)明要解決的技術(shù)問(wèn)題是提供一種工藝簡(jiǎn)單、適應(yīng)性強(qiáng)、效果獨(dú)特的中溫日用陶瓷裝飾用花釉的應(yīng)用方法。
本發(fā)明通過(guò)以下技術(shù)方案予以實(shí)現(xiàn)：一種中溫日用陶瓷裝飾用花釉的應(yīng)用方法，其特征在于：所述花釉基礎(chǔ)配方的重量百分比組成為：高嶺土10～14%、石英20～40%、鈉長(zhǎng)石2～6%、鉀長(zhǎng)石2～6%、方解石7～14%、硅灰石7～12%、氧化鋅2～6%、鈦白粉2～6%、骨灰2～6%、磷酸鈣2～6%、鉬酸銨3～6%，外加限晶劑2～6%、著色氧化物2～5%；按上述花釉基礎(chǔ)配方的重量百分比，將其原料混合、球磨、過(guò)篩后獲得基礎(chǔ)配方釉漿，然后將基礎(chǔ)配方釉漿與限晶劑、著色氧化物進(jìn)行混合均勻，再以浸釉的方式，將混合后的釉漿施于中溫日用陶瓷泥坯上，最后通過(guò)中溫一次性燒成的方式獲得產(chǎn)品。
所述著色氧化物為co2o3、fe2o3、mno2、cuo中的一種，其細(xì)度為過(guò)325目篩，篩余為0。
所述限晶劑為等量的氧化鈰和氧化釔。
所述基礎(chǔ)配方釉漿的顆粒直徑為d50=3um。
所述氧化鈰的顆粒直徑為d50=1um，氧化釔的顆粒直徑為d50=4um。
所述中溫一次性燒成的溫度為1180～1230℃。
所述釉漿施于中溫日用陶瓷泥坯上的釉層厚度為2.5～3.5mm。
所述中溫一次性燒成過(guò)程中采用正負(fù)壓交叉燒制工藝，其燒成制度為：室溫至800～950℃，升溫速率6～8℃/min，并在800～950℃保溫20min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于負(fù)壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從800～950℃至1080～1130℃，升溫速率1.5～2℃/min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從1080～1130℃至1180～1230℃，升溫速率3～5℃/min保溫40min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；最后窯爐熄火，自然冷卻至室溫。
本發(fā)明通過(guò)控制原料的顆粒度，添加鈦白粉、骨灰、磷酸鈣作為分相劑，氧化鋅、鉬酸銨作為結(jié)晶劑，通過(guò)添加氧化鈰、氧化釔作為限晶劑用于填補(bǔ)晶粒及缺陷，生成能阻礙晶粒繼續(xù)生長(zhǎng)的膜，從而在釉層內(nèi)形成立體均勻的花色效果；通過(guò)正負(fù)壓交叉還原燒成技術(shù)很好的解決了流釉、釉不平、花面大小不易控制、合格率低的問(wèn)題；通過(guò)利用不同的陶瓷色料使得花釉呈現(xiàn)出色彩斑斕的藝術(shù)效果。
本發(fā)明中溫日用陶瓷裝飾用花釉通過(guò)選用合理配方組成，采用一次施釉、快速燒成，在釉層內(nèi)產(chǎn)生立體花色、花面大小均勻的晶花，并可以根據(jù)需要加入不同的著色氧化物來(lái)調(diào)整晶花顏色，具體來(lái)說(shuō)具有優(yōu)點(diǎn)：
1、解決了兩次施釉過(guò)程比較復(fù)雜，成本高以及合格率低的問(wèn)題，一次施釉的反應(yīng)花釉產(chǎn)品合格率將大幅度提高；
2、該釉有很高的觀賞價(jià)值，深受市場(chǎng)的喜愛(ài)；
3、通過(guò)配方和燒成制度的調(diào)整，能夠人為控制釉面的效果，包括花面以及花紋大小等；
4、該釉料配方中還有氧化鐵、氧化錳、氧化銅等著色氧化物，遮蓋能力強(qiáng)，對(duì)釉料和坯體的其他原料的白度無(wú)要求，從而可以大幅降低原料成本，從根本上解決優(yōu)質(zhì)原料緊缺的問(wèn)題。
具體實(shí)施方式
為更進(jìn)一步闡述本發(fā)明為達(dá)成預(yù)定發(fā)明目的所采取的技術(shù)手段及功效，以下結(jié)合較佳實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明：
實(shí)施例1
按重量百分比的花釉基礎(chǔ)配方：高嶺土12%、石英35%、鈉長(zhǎng)石3%、鉀長(zhǎng)石3%、方解石14%、硅灰石12%、氧化鋅3%、鈦白粉3%、骨灰5%、磷酸鈣5%、鉬酸銨5%，外加氧化鈰3%、氧化釔3%、co2o32%；
按上述花釉基礎(chǔ)配方，將原料混合、球磨、過(guò)篩后獲得基礎(chǔ)配方釉漿，所述基礎(chǔ)配方釉漿的顆粒直徑為d50=3um；然后將基礎(chǔ)配方釉漿與顆粒直徑為d50=1um的氧化鈰和顆粒直徑為d50=4um的氧化釔及顆粒直徑為d50=50nm的co2o3進(jìn)行混合均勻，再以浸釉的方式，將混合后的釉漿施于中溫日用陶瓷泥坯上，釉層厚度2.5mm，將施釉后的泥坯在輥道窯中燒制獲得產(chǎn)品。燒制制度為：室溫至850℃，升溫速率6℃/min，并在850℃，保溫20min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于負(fù)壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從850℃至1100℃，升溫速率1.5℃/min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從1100℃至1180℃，升溫速率3℃/min，保溫40min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；最后窯爐熄火，自然冷卻至室溫。
實(shí)施例2
按重量百分比的釉料配方：高嶺土13%、石英40%、鈉長(zhǎng)石5%、鉀長(zhǎng)石5%、方解石9%、硅灰石8%、氧化鋅5%、鈦白粉4%、骨灰4%、磷酸鈣4%、鉬酸銨3%，外加氧化鈰2%、氧化釔2%、fe2o33%；
按上述花釉基礎(chǔ)配方，將原料混合、球磨、過(guò)篩后獲得基礎(chǔ)配方釉漿，所述基礎(chǔ)配方釉漿的顆粒直徑為d50=3um；然后將基礎(chǔ)配方釉漿與顆粒直徑為d50=1um的氧化鈰和顆粒直徑為d50=4um的氧化釔及顆粒直徑為d50=50nm的fe2o3進(jìn)行混合均勻，再以浸釉的方式，將釉漿施于中溫日用陶瓷泥坯上，釉層厚度3mm，將施釉后的泥坯在輥道窯中燒制獲得產(chǎn)品。燒制制度為：室溫至900℃，升溫速率7℃/min，并在900℃，保溫20min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于負(fù)壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從900℃至1100℃，升溫速率1.7℃/min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從1100℃至1200℃，升溫速率4℃/min，保溫40min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；最后窯爐熄火，自然冷卻至室溫。
實(shí)施例3
釉料配方：高嶺土14%、石英28%、鈉長(zhǎng)石4%、鉀長(zhǎng)石4%、方解石14%、硅灰石11%、氧化鋅4%、鈦白粉5%、骨灰5%、磷酸鈣5%、鉬酸銨6%，外加氧化鈰1%、氧化釔1%、mno24%；
按上述花釉基礎(chǔ)配方，將原料混合、球磨、過(guò)篩后獲得基礎(chǔ)配方釉漿，所述基礎(chǔ)配方釉漿的顆粒直徑為d50=3um；然后將基礎(chǔ)配方釉漿與顆粒直徑為d50=1um的氧化鈰和顆粒直徑為d50=4um的氧化釔及顆粒直徑為d50=50nm的mno2進(jìn)行混合均勻，再以浸釉的方式，將釉漿施于中溫日用陶瓷泥坯上，釉層厚度3.5mm，將施釉后的泥坯在輥道窯中燒制獲得產(chǎn)品。燒制制度為：室溫至950℃，升溫速率8℃/min，并在950℃，保溫20min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于負(fù)壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從950℃至1120℃，升溫速率2℃/min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；窯內(nèi)溫度從1120℃至1230℃，升溫速率5℃/min，保溫40min，此過(guò)程中窯內(nèi)處于正壓狀態(tài)；最后窯爐熄火，自然冷卻至室溫。