本發(fā)明涉及鉭酸鋰基片黑化領(lǐng)域,具體涉及一種鉭酸鋰基片黑化方法。
背景技術(shù):
鉭酸鋰晶體是一種典型的多功能材料,具有良好的壓電、鐵電、熱釋電、聲光、電光、光折變及非線性等物理特性,在聲表面波器件、光通訊、激光及光電子領(lǐng)域中廣泛應(yīng)用。鉭酸鋰晶體的壓電系數(shù)較大,因此適合制造低插入損耗聲表面波濾波器的基片。
鉭酸鋰晶體具有高的熱釋電系數(shù),因此溫度變化會導(dǎo)致晶片表面產(chǎn)生大量靜電荷,這些靜電荷會在晶片間,尤其是叉指電極間自動釋放,達到一定程度會出現(xiàn)鉭酸鋰晶片開裂和叉指電極燒毀等問題。因為鉭酸鋰晶體是無色透明的,進行光刻工藝時,會產(chǎn)生漫反射導(dǎo)致電極線條精度降低。鉭酸鋰晶片經(jīng)過還原處理,可以有效的避免靜電荷在晶片表面的積累,熱釋電效應(yīng)明顯降低。這種還原處理后的鉭酸鋰晶片呈現(xiàn)褐色甚至黑色,因此稱為黑化,同時提高了光刻工藝的精度。
鉭酸鋰的黑化技術(shù)目前分為幾種。一種是將鉭酸鋰晶片放在
技術(shù)實現(xiàn)要素:
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種鉭酸鋰基片黑化方法,降低熱釋電效應(yīng),同時保持鉭酸鋰晶片的壓電性能。
本發(fā)明的目的是通過以下技術(shù)方案來實現(xiàn)的:
一種鉭酸鋰基片黑化方法,其特征在于包括以下步驟:
s01:鉭酸鋰基片通過c粉或石墨粉埋覆在石英槽或耐高溫金屬槽中;
s02:在低真空度還原爐內(nèi),通入帶水蒸氣的
s03:
s04:還原反應(yīng)結(jié)束后取出鉭酸鋰基片。
進一步的,所述的步驟s02中
優(yōu)選的,所述的
優(yōu)選地,所述的
進一步的,所述的步驟s02中
優(yōu)選的,所述的
進一步的,所述的步驟s01中c粉或石墨粉將鉭酸鋰基片完全覆蓋。
本發(fā)明的有益效果是:本發(fā)明提出的鉭酸鋰晶片黑化工藝方法,原材料c價格便宜成本低,通過反應(yīng)生成的h2、co大部分與鉭酸鋰發(fā)生還原反應(yīng),效率高且生產(chǎn)安全。
具體實施方式
下面進一步詳細描述本發(fā)明的技術(shù)方案,但本發(fā)明的保護范圍不局限于以下所述。
【實施例1】
將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中,埋覆在c粉中,完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內(nèi),通入帶h20氣氛n2,流量為0.5l/min,還原反應(yīng)爐升溫到500℃,恒溫10h。h20與c粉發(fā)生反應(yīng)生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應(yīng),尾氣處理后排放。還原反應(yīng)結(jié)束后取出鉭酸鋰基片。
【實施例2】
將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中,埋覆在c粉中,完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內(nèi),通入帶h20氣氛n2,流量為1l/min,還原反應(yīng)爐升溫到500℃,恒溫5h。h20與c粉發(fā)生反應(yīng)生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應(yīng),尾氣處理后排放。還原反應(yīng)結(jié)束后取出鉭酸鋰基片。
【實施例3】
將鉭酸鋰基片放置于合適尺寸的石英槽中,埋覆在c粉中,完全覆蓋晶片。在低真空度還原爐內(nèi),通入帶h20氣氛n2,流量為1.5l/min,還原反應(yīng)爐升溫到500℃,恒溫3h。h20與c粉發(fā)生反應(yīng)生成h2、co與鉭酸鋰基片進行還原反應(yīng),尾氣處理后排放。還原反應(yīng)結(jié)束后取出鉭酸鋰基片。
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實施方式,應(yīng)當(dāng)理解本發(fā)明并非局限于本文所披露的形式,不應(yīng)看作是對其他實施例的排除,而可用于各種其他組合、修改和環(huán)境,并能夠在本文所述構(gòu)想范圍內(nèi),通過上述教導(dǎo)或相關(guān)領(lǐng)域的技術(shù)或知識進行改動。而本領(lǐng)域人員所進行的改動和變化不脫離本發(fā)明的精神和范圍,則都應(yīng)在本發(fā)明所附權(quán)利要求的保護范圍內(nèi)。