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      一種由輝鉬精礦制備三氧化鉬的富氧焙燒方法與流程

      文檔序號:11222605閱讀:1375來源:國知局

      本發(fā)明涉及三氧化鉬制備技術(shù)領域,具體為一種由輝鉬精礦制備三氧化鉬的富氧焙燒方法。



      背景技術(shù):

      眾所周知,在目前的技術(shù)條件下,是以輝鉬精礦在500-800℃反應制備三氧化鉬。此反應一般在回轉(zhuǎn)窯中,通過熱焰氣體直接加熱反應,主要反應過程如以下方程式(1):

      mos2+7/2o2→moo3+2so2(1)

      現(xiàn)有的技術(shù)條件,各種輝鉬精礦焙燒爐型生產(chǎn)技術(shù)參數(shù)如下:

      若大規(guī)模工業(yè)化生產(chǎn),限制反應速率以及單位時間和單位空間收率的因素,為氧氣向包括輝鉬精礦反應混合物中的通入速率。

      一方面,由于混有直接加熱的火焰氣體,窯爐氣體中的氧氣含量一般限于8%-12%。另外,反應混合物釋放so2,由反應物料層溢出,與窯爐氣體中的氧氣流形成逆流。

      為了提高反應速率,在窯尾通過噴嘴直接向料床表面提供附加氧氣。通過證明,此方法并不十分有效。因為附加的氧氣受到牽引,與含so2煙道氣體一起,通過窯爐迅速排放,且煙氣so2含量大于5%,可用于制備硫酸,提高生產(chǎn)經(jīng)濟效益。



      技術(shù)實現(xiàn)要素:

      本發(fā)明的目的在于提供一種將含氧氣體通過料床下噴嘴直接向反應物料床中注入,一方面氧氣供應到整個料床床層范圍,另外,料床范圍內(nèi)產(chǎn)生的so2在氧氣消耗后,同剩余氣體一起從料床排出,這樣確保了反應物與氧氣的有效接觸,以解決上述背景技術(shù)中提出的問題。

      為實現(xiàn)上述目的,本發(fā)明提供如下技術(shù)方案:一種由輝鉬精礦制備三氧化鉬的富氧焙燒方法,將輝鉬精礦研磨至粒徑小于0.074mm后,放置于反應物料床上并注入含氧氣體,在溫度為500-900℃的回轉(zhuǎn)窯中,通過熱焰氣體直接加熱反應。

      優(yōu)選的,含氧氣體的氧氣含量≥21%。

      優(yōu)選的,含氧氣體的氧氣溫度≥-20℃。

      優(yōu)選的,氧氣壓力為0.001mpa~0.8mpa。

      優(yōu)選的,回轉(zhuǎn)窯轉(zhuǎn)速為50~300s/r。

      優(yōu)選的,輝鉬精礦含鉬量為40-59wt%,其余為氧化鐵、氧化鈣、氧化鎂以及少量的二氧化硅及氧化銅和含量少于1wt%的天然礦物質(zhì)成分。

      優(yōu)選的,回轉(zhuǎn)窯上設置有進氣口、進料口、排氣口及排料口,所述進氣口處設置供氣管路,供氣管路外側(cè)套設有冷卻氣管路,所述供氣管路的出氣口設置在回轉(zhuǎn)窯側(cè)壁,通過有料床下供氣噴嘴與回轉(zhuǎn)窯導通,所述進料口處通過螺旋傳輸器與料倉連接,所述排氣口設置在進料口正上方,所述排料口設置在排氣口相反側(cè)的回轉(zhuǎn)窯底部,排料口正上方的回轉(zhuǎn)窯側(cè)壁上設有燃燒器。

      優(yōu)選的,料床下供氣噴嘴穿過回轉(zhuǎn)窯表面,料床下供氣噴嘴設置位置靠近排料口,料床下供氣噴嘴的中軸線與所述回轉(zhuǎn)窯的中軸線向垂直。

      優(yōu)選的,料床下供氣噴嘴共6-20個,料床下供氣噴嘴上配合設置有氣閥。

      優(yōu)選的,回轉(zhuǎn)窯底部側(cè)面的供氣管路上配合設置有從動輥。

      與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的有益效果是:

      本發(fā)明通過將含氧氣體通過料床下噴嘴直接向反應物料床中注入,一方面氧氣供應到整個料床床層范圍,另外,料床范圍內(nèi)產(chǎn)生的so2在氧氣消耗后,同剩余氣體一起從料床排出,這樣確保了反應混合物與氧氣的有效接觸。

      附圖說明

      圖1為本發(fā)明的回轉(zhuǎn)窯結(jié)構(gòu)示意圖。

      具體實施方式

      下面將結(jié)合本發(fā)明實施例中的附圖,對本發(fā)明實施例中的技術(shù)方案進行清楚、完整地描述,顯然,所描述的實施例僅僅是本發(fā)明一部分實施例,而不是全部的實施例?;诒景l(fā)明中的實施例,本領域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其他實施例,都屬于本發(fā)明保護的范圍。

      本發(fā)明提供一種技術(shù)方案:一種由輝鉬精礦制備三氧化鉬的富氧焙燒方法,將輝鉬精礦研磨至粒徑小于0.074mm后,放置于填充料組成的反應混合物料床上并注入含氧氣體,含氧氣體的氧氣含量≥21%,氧氣壓力為0.001mpa~0.8mpa,含氧氣體的氧氣溫度≥-20℃。在溫度為500-900℃的回轉(zhuǎn)窯中,通過熱焰氣體直接加熱反應。同時窯速控制50~300s/r。輝鉬精礦含鉬量為40-59wt%,其余為氧化鐵、氧化鈣、氧化鎂以及少量的二氧化硅及氧化銅和含量少于1wt%的天然礦物質(zhì)成分。

      所使用的回轉(zhuǎn)窯上設置有進氣口1、進料口2、排氣口3及排料口4,如圖1所示,進氣口1處設置供氣管路5,供氣管路5外側(cè)套設有冷卻氣管路6,供氣管路5的出氣口設置在回轉(zhuǎn)窯側(cè)壁,通過有料床下供氣噴嘴7與回轉(zhuǎn)窯導通,進料口2處通過螺旋傳輸器8與料倉9連接,排氣口3設置在進料口2正上方,排料口4設置在排氣口3相反側(cè)的回轉(zhuǎn)窯底部,排料口4正上方的回轉(zhuǎn)窯側(cè)壁上設有燃燒器10。

      在其料床下供氣噴嘴7穿過回轉(zhuǎn)窯表面,料床下供氣噴嘴7設置位置靠近排料口4,料床下供氣噴嘴7的中軸線與回轉(zhuǎn)窯的中軸線向垂直。料床下供氣噴嘴7共6-20個,上配合設置有氣閥11?;剞D(zhuǎn)窯底部側(cè)面的供氣管路5上配合設置有從動輥12。

      在500-900℃溫度下,在目前可選擇的低品位原料存在條件下,通過直接加熱回轉(zhuǎn)窯使輝鉬精礦以及用含氧氣體氧化制備三氧化鉬。其特征在于向由輝鉬精礦反應化合物料床中注入至少一部分含氧氣體。通過將含氧氣體通過料床下噴嘴直接向反應物料床中注入,一方面氧氣供應到整個料床床層范圍,另外,料床范圍內(nèi)產(chǎn)生的so2在氧氣消耗后,同剩余氣體一起從料床排出,這樣確保了反應混合物與氧氣的有效接觸。同時排出的so2煙氣可以采用二轉(zhuǎn)二吸或三轉(zhuǎn)二吸生產(chǎn)工藝制備硫酸。

      實施例1:

      按輝鉬精礦(鉬含量40%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為650℃,窯速控制130s/r,可以控制處理輝鉬精礦在20t/d,氧氣(99.5%)消耗4.7t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為600m3/d,副產(chǎn)98%硫酸16.7噸t/d。鉬焙砂含硫0.06%。

      實施例2:

      按輝鉬精礦(鉬含量45%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為680℃,窯速控制140s/r,可以控制處理輝鉬精礦在30t/d,氧氣(99.5%)消耗7.9t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為900m3/d,副產(chǎn)98%硫酸28.1噸t/d。鉬焙砂含硫0.05%。

      實施例3:

      按輝鉬精礦(鉬含量50%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為680℃,窯速控制140s/r,可以控制處理輝鉬精礦在30t/d,氧氣(99.5%)消耗8.8t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為900m3/d,副產(chǎn)98%硫酸31.2噸t/d。鉬焙砂含硫0.05%。

      實施例4:

      按輝鉬精礦(鉬含量55%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為700℃,窯速控制140s/r,可以控制處理輝鉬精礦在30t/d,氧氣(99.5%)消耗9.6t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為900m3/d,副產(chǎn)98%硫酸34.4噸t/d。鉬焙砂含硫0.05%。

      實施例5:

      按輝鉬精礦(鉬含量55%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為720℃,窯速控制130s/r,可以控制處理輝鉬精礦在35t/d,氧氣(99.5%)消耗11.3t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為105m3/d,副產(chǎn)98%硫酸40.1噸t/d。鉬焙砂含硫0.06%。

      實施例6:

      按輝鉬精礦(鉬含量55%)入窯焙燒,回轉(zhuǎn)窯為φ1.5×24m,加熱帶物料溫度為740℃,窯速控制150s/r,可以控制處理輝鉬精礦在25t/d,氧氣(99.5%)消耗8.02t/d(未計燃氣消耗的氧),天然氣消耗為750m3/d,副產(chǎn)98%硫酸28.6噸t/d。鉬焙砂含硫0.05%。

      盡管已經(jīng)示出和描述了本發(fā)明的實施例,對于本領域的普通技術(shù)人員而言,可以理解在不脫離本發(fā)明的原理和精神的情況下可以對這些實施例進行多種變化、修改、替換和變型,本發(fā)明的范圍由所附權(quán)利要求及其等同物限定。

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