本發(fā)明屬于功能材料制備領(lǐng)域，具體涉及石墨烯在普通鈉鈣玻璃基底上直接低溫、大面積、快速生長的方法，本發(fā)明無需借助催化劑的輔助，便可在普通玻璃軟化點(diǎn)以下實(shí)現(xiàn)三維結(jié)構(gòu)石墨烯玻璃的快速、大尺寸制備。

背景技術(shù)：

石墨烯具有諸多優(yōu)異的物理性質(zhì),如超高的機(jī)械強(qiáng)度、超高的載流子遷移率(最高可達(dá)200000cm²·v^–1·s^–1)和熱導(dǎo)率、優(yōu)異的導(dǎo)電性和透光性，使得其在透明導(dǎo)電薄膜、超級(jí)電容器、場效應(yīng)晶體管、光電探測、鋰離子電池、dna測序、折射率生物傳感器、功能復(fù)合材料等諸多領(lǐng)域都有著廣闊的應(yīng)用前景。與水平結(jié)構(gòu)的二維石墨烯薄膜相比，三維垂直結(jié)構(gòu)的石墨烯除去石墨烯的本征特性外，還顯示出獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性，包括比表面積大(最高可達(dá)1100m²·g^-1)，大量的活性邊緣、特殊的垂直結(jié)構(gòu)等，可應(yīng)用于超靈敏的生物/氣體傳感器、高功率的能量存儲(chǔ)器、以及高效率的光熱轉(zhuǎn)化器件等。

玻璃，因其良好的透明度和低廉的成本，被廣泛應(yīng)用于建筑、化工、電子、光學(xué)、醫(yī)藥以及食品等諸多領(lǐng)域。

通過在玻璃基底生長三維垂直結(jié)構(gòu)的石墨烯獲得石墨烯玻璃復(fù)合材料，在保證具有一定透過率的前提下，可以提高玻璃的導(dǎo)電性、導(dǎo)熱性，得到的石墨烯玻璃可用于透明智能窗、透明電極、防霧視窗等領(lǐng)域。但目前基于石墨烯玻璃的制備方法主要是在1000-1200℃高溫?zé)醕vd爐中生長石墨烯，生長時(shí)間一般需要2-4h，并且玻璃基底大多選用的是耐高溫石英玻璃，大大增加了石墨烯玻璃的制備成本，同時(shí)石英玻璃的尺寸較小，均不利于石墨烯玻璃的工業(yè)化應(yīng)用。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本發(fā)明的目的之一是針對目前制備石墨烯玻璃存在的問題，提供一種低溫、大面積、快速制備石墨烯玻璃的制備方法，該制備方法簡單、成本低廉，可用于石墨烯玻璃的工業(yè)化生產(chǎn)，并實(shí)現(xiàn)在普通鈉鈣玻璃基底，低溫、大面積、快速生長石墨烯。

為實(shí)現(xiàn)上述的目的，本發(fā)明公開了一種三維石墨烯玻璃復(fù)合材料低溫、大面積、快速制備的方法。

本發(fā)明提供的方法包括如下的步驟：

提供玻璃基底并使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法直接在玻璃基底表面生長石墨烯。

作為常識(shí)，所述的玻璃基底為清潔的玻璃基底。

作為上述方法一種更好的選擇，所述玻璃基底為普通玻璃基底，所述普通玻璃基底為由二氧化硅和其他化學(xué)物質(zhì)熔融在一起形成的混合物。所述普通玻璃基底的化學(xué)組成是na2sio3、casio3、sio2或na2o·cao·6sio2等硅酸鹽類非金屬材料，在熔融時(shí)會(huì)形成連續(xù)網(wǎng)絡(luò)結(jié)構(gòu)，冷卻過程中粘度逐漸增大并硬化致使其結(jié)晶固化。

作為上述方法一種更好的選擇，所述玻璃為鈉鈣玻璃。

上述方法中，所述清潔的玻璃基底采用如下的方式獲得：

將玻璃基底依次放入乙醇、丙酮、異丙醇溶液中進(jìn)行超聲清洗，最后用去離子水超聲清洗，氮?dú)獯蹈?，獲得干凈的玻璃基底。

進(jìn)行上述處理步驟的目的為提供一個(gè)清潔的玻璃表面，其他可以達(dá)到類似效果的處理步驟也可以適用于本發(fā)明玻璃基底的清潔。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例內(nèi)，普通鈉鈣玻璃基片按照如下的步驟被清潔：

將10cmx10cm的普通鈉鈣玻璃基底依次放入乙醇、丙酮、異丙醇溶液中進(jìn)行超聲清洗，最后用去離子水超聲清洗，氮?dú)獯蹈?，獲得干凈的鈉鈣玻璃基底。

作為上述方法一種更好的選擇，使用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積的方法包括將玻璃基底放在等離子腔體內(nèi)，碳源被裂解產(chǎn)生等離子體，等離子體在玻璃基底上進(jìn)行沉積，沉積過程中等離子腔體的溫度為600攝氏度以下。

作為上述方法進(jìn)一步的優(yōu)選，所述石墨烯的低溫生長步驟如下：

將玻璃基底放在等離子腔體內(nèi)，甲烷被裂解產(chǎn)生等離子體，等離子體在玻璃基底上進(jìn)行沉積，沉積過程中等離子腔體的溫度為500-600攝氏度。

所述石墨烯的沉積過程為使用pevcd方法進(jìn)行，該方法可精確控制等離子反應(yīng)腔內(nèi)氣體的壓強(qiáng)(0.1-100mbar)，并保持穩(wěn)定；采用上下平行加熱板加熱的方式將腔室溫度升高至500-600℃；待腔室溫度穩(wěn)定后，給陰極板施加高壓以產(chǎn)生等離子體，以在玻璃基底上生長石墨烯。

作為上述方法一種更好的選擇，所述石墨烯生長過程中，向反應(yīng)腔的底部通入200sccmar。

作為上述方法一種更好的選擇，所述產(chǎn)生等離子的電壓為800v，在滿足可以產(chǎn)生等離子體的條件下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以選擇其他的電壓。

作為上述方法一種更好的選擇，所述生長石墨烯的時(shí)間為2-15分鐘。作為常識(shí)，石墨烯的垂直高度和石墨烯的生長時(shí)間正相關(guān)。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以通過控制生長石墨烯的時(shí)間來得到不同高度的石墨烯，如選用2-5、5-10、10-15分鐘不等的石墨烯增長時(shí)間，可以實(shí)現(xiàn)石墨烯高度從幾納米到幾百納米連續(xù)調(diào)控。

作為上述方法一種更好的選擇，在獲得高度為1-100nm的石墨烯后停止石墨烯的生長。本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以選擇在獲得1-10，10-20，20-40，40-70，70-100nm高度或者其他高度的石墨烯層后停止石墨烯的生長。

作為上述方法一種更好的選擇，石墨烯的沉積過程中碳源包括烷烴氣體、烯烴氣體、炔烴氣體、液態(tài)碳源和固體碳源中的一種或多種。所述烷烴氣體可以選擇甲烷、乙烷、丙烷等氣體，所述烯烴氣體可以選擇乙烯、丙烯、丁烯等氣體，所述炔烴可以選擇乙炔、丙炔、丁炔等氣體，所述液態(tài)碳源包括乙醇、異丙醇等液體，所述固體碳源可以選擇石墨粉、pmma、pdms或者pvc。

作為上述方法一種更好的選擇，所述碳源為ch4和h2的混合氣體，所述ch4和h2的體積比為1-5：1，一個(gè)更好的選擇可以是2：1。

具體的，所述石墨烯的低溫生長步驟可以為：

將玻璃基底放在石墨底座上，關(guān)閉反應(yīng)腔室，利用干泵將反應(yīng)腔內(nèi)壓強(qiáng)抽至0.1-0.2mbar以下，然后通入不同比例的ch4和h2(2：1)，氣體采用噴淋式裝置從腔室頂部均勻向下噴灑，利用控制閥將反應(yīng)腔室內(nèi)的壓強(qiáng)在0.1-100mbar范圍內(nèi)進(jìn)行調(diào)節(jié)并保持穩(wěn)定；采用上下平行加熱板加熱的方式將腔室溫度升高至500-600℃；待腔室溫度穩(wěn)定后，給石墨陰極板施加800v高壓產(chǎn)生等離子體；通過調(diào)控石墨烯的生長時(shí)間(2-15分鐘)，以獲得不同高度起伏的石墨烯(1nm-100nm)；生長結(jié)束后關(guān)閉甲烷供給，并降溫。在整個(gè)生長過程中，腔室底部始終通著200sccmar作為heaterpurge。待降至室溫后關(guān)閉ar和h2，打開腔室取出石墨烯玻璃樣品。

上述方法中，可以采用6-英寸(6-inch)的pevcd體系，本領(lǐng)域技術(shù)人員也可以根據(jù)需要選擇其他尺寸的玻璃基底以及其他的pevcd生長體系。

在本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施例內(nèi)，基于6-inchpecvd體系，利用直流等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(dc-pecvd)技術(shù)進(jìn)行石墨烯的低溫生長，其采用如下方法制備石墨烯玻璃：

首先將清洗干凈的6inch玻璃基底放在石墨底座上，關(guān)閉反應(yīng)腔室，利用干泵將反應(yīng)腔內(nèi)壓強(qiáng)抽至0.2mbar以下，然后通入一定比例的ch4和h2，利用控制閥將反應(yīng)腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定，采用上下加熱板平行加熱的方式升溫至500-600℃；待溫度穩(wěn)定后，給陰極板施加800v高壓產(chǎn)生高能等離子體；通過控制石墨烯的生長時(shí)間，以獲得不同高度起伏的石墨烯；生長結(jié)束后關(guān)閉甲烷供給，并降溫。在整個(gè)生長過程，始終通著200sccmar作為heaterpurge。待降至室溫后關(guān)閉ar和h2，打開腔室取出石墨烯玻璃樣品。

本發(fā)明中，所選用玻璃基片的尺寸為選擇100mm×100mm×1mm，所述玻璃基片為普通鈉鈣玻璃。根據(jù)采用不同的pecvd設(shè)備，玻璃基片的尺寸還可以繼續(xù)放大。本發(fā)明的玻璃基底無需借助其他催化劑，表明該生長方法的普適性，任何軟化溫度在600℃以上的玻璃均可用于石墨烯的生長。

作為上述方法一種更好的選擇，石墨烯生長溫度為600℃以及600℃以下，且低于玻璃的軟化點(diǎn)。作為上述方法進(jìn)一步的優(yōu)選，石墨烯生長溫度為不高于580℃(如500-580℃)。本發(fā)明選擇的溫度低于普通鈉鈣玻璃的軟化點(diǎn)(600℃)，保證獲得的石墨烯玻璃能夠保持普通玻璃原本的外觀形貌。本領(lǐng)域技術(shù)人員知曉，不同組分的玻璃，其軟化點(diǎn)可能稍有不同，因此應(yīng)當(dāng)針對不同的玻璃選擇不同的生長溫度。

上述方法采用的是甲烷作為碳源，其他可選擇的氣體包括乙烯、乙炔等也可以作為替代碳源(也可擴(kuò)展至其它氣體碳源，或者固體/液體碳源)，同時(shí)通入氫氣進(jìn)行無定形碳刻蝕，使得生長獲得的石墨烯具有較高的結(jié)晶質(zhì)量。石墨烯生長過程中，除去碳源外，未引入任何金屬或其他催化劑，無需催化劑的輔助便可直接獲得石墨烯玻璃。

上述方法中通過調(diào)控不同的碳源與氫氣的比例(1：1-5：1)，可以獲得不同形貌、不同結(jié)晶質(zhì)量的石墨烯玻璃樣品。而不同的工作電壓(0-800v)對碳源的裂解程度不同，施加的電壓越大，碳源裂解越充分，故在生長過程中，設(shè)定的電壓為800v，保證生長過程中碳源的充分裂解。

優(yōu)選地，所述步驟2)中的生長過程為2-15min。該方法可實(shí)現(xiàn)石墨烯玻璃的快速制備，大大減少了生長時(shí)間，并且可以通過控制時(shí)間調(diào)節(jié)石墨烯納米片的垂直高度。

本發(fā)明所使用的石墨烯玻璃的制備方法簡單、與玻璃基底的結(jié)合力強(qiáng)、可重復(fù)性強(qiáng)，通過調(diào)節(jié)各種生長參數(shù)(生長溫度、生長時(shí)間等)，可以獲得具有不同透過率和導(dǎo)電率的石墨烯玻璃樣品，從而實(shí)現(xiàn)不同需求的應(yīng)用。本發(fā)明的方法無需轉(zhuǎn)移，便可實(shí)現(xiàn)在所需的玻璃基底上石墨烯的均勻快速直接生長，且對基底唯一的要求是基底的軟化點(diǎn)在600℃以上，而人們?nèi)粘Ｊ褂玫钠胀ㄢc鈣玻璃均符合此要求，表明這一發(fā)明方法對石墨烯玻璃制備的普適性。

本發(fā)明選用的玻璃基底為人們?nèi)粘Ｉ钪械钠胀ㄢc鈣玻璃，大大降低了生產(chǎn)成本，該方法無需借助金屬或其他催化劑，便可實(shí)現(xiàn)在普通玻璃基底上石墨烯的直接生長，生長溫度在玻璃軟化點(diǎn)600℃以下，生長時(shí)間在10min左右，便可獲得均勻的大英寸石墨烯玻璃。這種生長方法對于開發(fā)和推廣基于普通石墨烯玻璃的工業(yè)化應(yīng)用具有重要意義。

本發(fā)明還提供一種石墨烯玻璃，包括玻璃基底，所述玻璃基底上沉積有石墨烯層，所述石墨烯層包括若干石墨烯納米片，所述石墨烯納米片垂直于玻璃基底或和玻璃基底成60-90角度，所述石墨烯納米片的高度為10-100納米，所述石墨烯納米片的厚度為1-10層，長度為10-900nm，所述石墨烯納米片相互堆疊構(gòu)成構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)狀納米孔結(jié)構(gòu)。

所述石墨烯納米片的高度可以為1-10nm，或10-20nm，或20-40nm，或40-70nm，或70-100nm。本領(lǐng)域技術(shù)人員可以根據(jù)需要控制石墨烯的沉積條件來得到不同高度的石墨烯納米片。

所述石墨烯納米片的層數(shù)可以為單層，也可以為多層，如2-3層，4-6層，7-10層。石墨烯納米片的層數(shù)可以通過控制石墨烯的沉積條件來得到。

所述石墨烯納米片的長度可以為10-50nm，50-100nm，100-300nm，300-500nm，500-700nm或700-900nm，在本發(fā)明實(shí)施例公開的石墨烯納米片長度基礎(chǔ)上，可以通過調(diào)節(jié)沉積條件來改變其長度。

作為上述方案一種更好的選擇，所述石墨烯玻璃的透過率為100％-34％，石墨烯的面電阻為13-2千歐/口。

作為上述方案一種更好的選擇，所述玻璃基底為鈉鈣玻璃。本發(fā)明具有如下的優(yōu)點(diǎn)：

1)本發(fā)明采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)直接在普通鈉鈣玻璃表面可控生長石墨烯，所獲得石墨烯玻璃透過率和導(dǎo)電率能夠精確可控，以獲得不同需求的石墨烯玻璃材料；

2)本發(fā)明相比于轉(zhuǎn)移和還原氧化石墨烯方法制備的石墨烯玻璃，直接在玻璃基片上生長的石墨烯光學(xué)性質(zhì)良好，層厚均勻，與基片作用力強(qiáng)，使得制備的石墨烯玻璃具有更長的使用壽命；

3)本發(fā)明采用該方法制備的石墨烯玻璃，玻璃基底選用普通鈉鈣玻璃，整個(gè)過程相對簡單，可控性強(qiáng)，良品率高，極大地降低了生產(chǎn)成本；

4)本發(fā)明中石墨烯的生長溫度在600℃以及600℃以下，大大降低了生長溫度，保證獲得的石墨烯玻璃樣品能夠維持玻璃的原本形貌不發(fā)生變化；

5)本發(fā)明使用的基底是尺寸為100mm×100mm×1mm的普通鈉鈣玻璃，對角線尺寸可達(dá)6inch，與已經(jīng)報(bào)道的直接制備的石墨烯玻璃樣品相比，尺寸大大提高；當(dāng)使用更大尺寸的生長體系時(shí)，玻璃基底的尺寸可以進(jìn)一步提高。

6)本發(fā)明生長獲得的石墨烯具有特殊的垂直納米結(jié)構(gòu)，相比于水平二維石墨烯薄膜，三維垂直結(jié)構(gòu)的石墨烯具有獨(dú)特的結(jié)構(gòu)特性，包括大的比表面積，由于其特殊的垂直結(jié)構(gòu)使得三維石墨烯存在大量的活性邊緣，同時(shí)三維石墨烯玻璃復(fù)合材料顯示有超高的疏水性，疏水角最高可達(dá)130°，使得生長獲得的這種特殊結(jié)構(gòu)的石墨烯玻璃復(fù)合材料具有廣泛的應(yīng)用前景。

附圖說明

圖1為本發(fā)明基于pecvd生長垂直結(jié)構(gòu)石墨烯的生長流程示意圖；

圖2為本發(fā)明所采用的不同生長溫度下制備的石墨烯玻璃的拉曼圖像；

圖3為本發(fā)明生長獲得的三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯的結(jié)構(gòu)表征；

圖4為本發(fā)明通過調(diào)控石墨烯在玻璃基底的生長時(shí)間所建立的一系列石墨烯高度起伏的變化；

圖5為本發(fā)明所制備獲得的6-inch石墨烯玻璃樣品的光學(xué)圖像；

圖6為本發(fā)明所制備獲得的石墨烯玻璃的拉曼和接觸角表征。

具體實(shí)施方式

下面以附圖和具體實(shí)施方式對本發(fā)明作進(jìn)一步詳細(xì)的說明。這些實(shí)施例僅用于說明本發(fā)明而不用于限制本發(fā)明的范圍。下列實(shí)施例中未注明具體條件的實(shí)驗(yàn)方法，通常按照常規(guī)條件或廠家建議的條件。此外，任何與所記載內(nèi)容相似或均等的方法及材料都可應(yīng)用于本發(fā)明方法中。文中所述的較佳實(shí)施方法與材料僅作示范之用。

實(shí)施例1：石墨烯玻璃的制備

將清洗干凈的6-inch普通鈉鈣玻璃放在反應(yīng)基片上，利用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)生長透過率和導(dǎo)電性可控的石墨烯玻璃，圖1為本發(fā)明基于pecvd體系生長三維垂直結(jié)構(gòu)石墨烯的流程及原理示意圖。具體生長方法包括如下步驟：

1)普通鈉鈣玻璃基片的清洗：

將10cmx10cm的普通鈉鈣玻璃基片依次放入乙醇、丙酮、異丙醇溶液中進(jìn)行超聲清洗，最后用去離子水超聲清洗，氮?dú)獯蹈桑@得干凈的玻璃基底；

2)石墨烯的低溫生長：

該生長方法是基于pecvd體系，利用直流等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(dc-pecvd)技術(shù)進(jìn)行石墨烯的低溫生長。首先將清洗干凈的大尺寸玻璃基底放在石墨底座上，關(guān)閉反應(yīng)腔室，利用干泵將反應(yīng)腔內(nèi)壓強(qiáng)抽至0.2mbar以下，然后通入一定比例的ch4和h2，利用壓強(qiáng)控制閥將反應(yīng)腔室內(nèi)的壓強(qiáng)保持穩(wěn)定(0.1-100mbar)，采用上下加熱板平行加熱的方式升溫至500-600℃；待溫度穩(wěn)定后，給陰極板施加800v高壓產(chǎn)生等離子體；通過調(diào)控石墨烯的生長時(shí)間，以獲得不同高度起伏的石墨烯；生長結(jié)束后關(guān)閉甲烷供給，并降溫。在整個(gè)生長過程，始終通著200sccmar作為加熱吹掃氣。待降至室溫后關(guān)閉ar和h2，打開腔室取出石墨烯玻璃樣品。

實(shí)施例2：600℃以下不同生長溫度條件下石墨烯玻璃的制備

本發(fā)明中所使用的玻璃基底為人們?nèi)粘Ｉ钪谐Ｒ姷拟c鈣玻璃，主要由二氧化硅、氧化鈣和氧化鈉等組成的非晶體氧化物，導(dǎo)熱性差，不能導(dǎo)電，玻璃的軟化點(diǎn)一般在600℃左右。目前報(bào)導(dǎo)的玻璃基底大部分使用的是石英玻璃、藍(lán)寶石玻璃，在1000-1200℃下利用化學(xué)氣相沉積技術(shù)進(jìn)行石墨烯的高溫生長，且生長時(shí)間常為幾個(gè)小時(shí)，生產(chǎn)成本高的同時(shí)大大制約了石墨烯玻璃的工業(yè)化應(yīng)用。目前，本發(fā)明采用直流等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積技術(shù)，通過直流高壓產(chǎn)生高能電子，當(dāng)向腔室內(nèi)部通入反應(yīng)氣體時(shí)，氣體與電子發(fā)生碰撞、電離，從而產(chǎn)生等離子體。等離子體的產(chǎn)生相對普通熱cvd而言，并不需要很高的溫度(400-600℃)，從而可以實(shí)現(xiàn)在普通玻璃軟化點(diǎn)溫度(600℃)以下石墨烯的均勻生長。

本發(fā)明主要選用甲烷作為碳源，并通入氫氣作為刻蝕氣體，對石墨烯的生長溫度進(jìn)行了系統(tǒng)探索，如圖2所示分別為500℃、530℃、550℃、580℃溫度條件下獲得的石墨烯玻璃樣品的拉曼信號(hào)譜，隨著溫度的升高，石墨烯的結(jié)晶質(zhì)量明顯提高。進(jìn)一步降低溫度，獲得的石墨烯玻璃的結(jié)晶性很差，接近無定形碳形貌。值得提出的是，通過改變通入碳源的類型，例如把甲烷換成乙炔，石墨烯的生長溫度可以進(jìn)一步降低，但結(jié)晶質(zhì)量不如甲烷生長獲得的石墨烯。因此，一個(gè)可以選擇的生長溫度區(qū)間為500-580攝氏度。

實(shí)施例3：普通玻璃基底上石墨烯隨生長時(shí)間調(diào)控的形貌變化

在生長過程中，受電場、界面能、擴(kuò)散能等因素的互相調(diào)制，獲得的石墨烯具有特殊的三維結(jié)構(gòu)，結(jié)構(gòu)表征如圖3所示，石墨烯納米片垂直于生長基底，高度在幾十納米左右，厚度1-10層可控，長度幾十到幾百納米不等，石墨烯納米片相互堆疊構(gòu)成構(gòu)成網(wǎng)絡(luò)狀納米孔結(jié)構(gòu)。通過調(diào)控石墨烯的生長時(shí)間，石墨烯垂直高度可實(shí)現(xiàn)從1納米到100納米的連續(xù)調(diào)控(圖4)，可以獲得具有不同透過率和面電阻的石墨烯玻璃樣品，進(jìn)而滿足不同需求的石墨烯玻璃的使用。

實(shí)施例4：大尺寸石墨烯玻璃樣品

圖5為生長8min獲得的100mmx100mm石墨烯玻璃的光學(xué)圖像，圖6對應(yīng)的raman圖像表明生長的樣品具有石墨烯的特征峰(d峰1353cm^-1，g峰1592cm^-1和2d峰2698cm^-1)，內(nèi)插圖顯示石墨烯玻璃的接觸角可達(dá)130℃，結(jié)果顯示該方法生長獲得的石墨烯能有效改變玻璃本身的親疏水性，進(jìn)一步用于自清潔智能窗等。

上述實(shí)施例中，碳源可以更改為其他氣體碳源，如烯烴類、炔烴類氣體，也可以更換為固體碳源，如pvc，均可以制備獲得類似的產(chǎn)品。根據(jù)采用不同的pecvd設(shè)備，生長采用的玻璃基片尺寸還可以繼續(xù)放大。

上述方法可以制備獲得的石墨烯玻璃的透過率為100％-34％，石墨烯的面電阻為13-2千歐/口。

最后所應(yīng)說明的是，以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案而非限制。盡管參照實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)該理解，對本發(fā)明的技術(shù)方案進(jìn)行修改或者等同替換，都不脫離本發(fā)明技術(shù)方案的精神和范圍，其均應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的權(quán)利要求范圍當(dāng)中。