技術(shù)特征：

技術(shù)總結(jié)
本發(fā)明提供一種鎵源反應(yīng)器，其至少包括：反應(yīng)層；位于所述反應(yīng)層頂端的第一進(jìn)氣管道，所述第一進(jìn)氣管道的底端伸入所述反應(yīng)層內(nèi)且設(shè)于近所述反應(yīng)層的底端處；以及位于所述反應(yīng)層底端的第一出氣管道，所述第一出氣管道的頂端伸入所述反應(yīng)層內(nèi)且設(shè)于近所述反應(yīng)層的頂端處。本發(fā)明將伸入反應(yīng)層內(nèi)的第一進(jìn)氣管道的底端設(shè)置在近反應(yīng)層的底端處，同時(shí)將伸入反應(yīng)層內(nèi)的第一出氣管道的頂端設(shè)置在近反應(yīng)層的頂端處，氯化氫氣體從第一進(jìn)氣管道進(jìn)入反應(yīng)層，隨后由于液態(tài)金屬鎵浸沒(méi)第一進(jìn)氣管道的底端，氯化氫氣體從液態(tài)金屬鎵內(nèi)穿過(guò)并與其進(jìn)行反應(yīng)，最終生成的氯化鎵氣體從第一出氣管道流出，從而能夠確保氯化氫氣體充分與金屬鎵進(jìn)行反應(yīng)。

技術(shù)研發(fā)人員：特洛伊·喬納森·貝克;王穎慧;羅曉菊;謝宇
受保護(hù)的技術(shù)使用者：鎵特半導(dǎo)體科技（上海）有限公司
技術(shù)研發(fā)日：2017.06.01
技術(shù)公布日：2017.08.04