本發(fā)明涉及一種無鉛高體電阻率低溫封接玻璃，所述低溫封接玻璃應用于通訊、測量、傳輸、顯示等領域所使用的儀器儀表或電子元器件的制造中，屬于封接材料
技術領域：
。
背景技術：
：相比于有機封接材料，封接玻璃耐久、牢固，在所封接的儀器儀表或者電子元器件的使用中，耐高溫。同時，與對有機封接材料的要求相同，也需要封接玻璃無毒、絕緣、耐候。作為玻璃材料，封接玻璃在封接儀器儀表或者電子元器件的過程中，封接溫度要比有機封接材料高，為了避免損壞被封接儀器儀表或者電子元器件，封接溫度應該控制在400～600℃之間，最高不超過700℃，當然，封接玻璃的封接溫度越低越好。封接玻璃的封接溫度也就是液態(tài)化溫度，封接溫度高于玻璃的軟化溫度，軟化溫度高于轉變溫度。美國專利第5021366號公開了一種無氟磷酸鹽玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：p2o530～36％，zro210～33％，r2o15～25％，ro15～25％，另外還含有氧化鋁、氧化錫、氧化鉛等組分。該玻璃的軟化溫度為400～430℃，可見，作為封接材料，該玻璃的封接溫度勢必過高。另外，該玻璃含鉛；較大比例的堿金屬氧化物組分也使得該玻璃的絕緣性下降。美國專利第6306783號公開了一種封接玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：sno30～80％，b2o35～60％，p2o55～24％，zno0～25％，wo33～20％，moo33～5％，tio20～15％，zro20～15％，cuo0～10％，r2o2～35％，該玻璃的轉變溫度為280～380℃，封接溫度為450～500℃，流動半徑為22～26mm。不過，該玻璃依然含有堿金屬氧化物組分。當然，封接溫度如果能進一步降低則更為理想。日本專利第h7-69672號公開了一種封接玻璃，玻璃各組分的摩爾百分配比為：p2o525～50％，sno30～70％，zno0～25％，在此基礎上添加適量的b2o3、wo3、li2o等，sno/zno大于5:1，該玻璃的封接溫度為350～450℃，采用填充劑來降低玻璃的膨脹系數(shù)。不過，填充劑的加入影響到玻璃封接時的流動性和封接的氣密性。再有，該玻璃依然含有堿金屬氧化物組分；同時，還希望能夠進一步降低封接溫度。中國專利201010190237.2提出了一種無鉛低熔電子顯示器封接玻璃及其制備方法，該玻璃各組分的質量百分配比為：zno10～45wt％，p2o510～45wt％，v2o55～35wt％，b2o31～10wt％，al2o31～10wt％，fe2o31～10wt％，玻璃的軟化溫度為300～360℃。然而，該封接玻璃含有較大比例的有毒的v2o5；所述制備方法在熔制過程中易起泡，污染生產(chǎn)環(huán)境，且降低原料利用率。再有，封接溫度有待進一步降低。所述各項現(xiàn)有技術都屬于磷酸鹽系統(tǒng)玻璃，化學穩(wěn)定性勢必較差，如不耐潮，降低了封接效果。技術實現(xiàn)要素：為了獲得一種無鉛磷酸鹽玻璃，作為封接材料，具有更低的封接溫度，更高的體電阻率和化學穩(wěn)定性，我們發(fā)明了一種無鉛高體電阻率低溫封接玻璃。本發(fā)明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃其特征在于，各組分的重量百分配比為：p2o520～40％，b2o35～20％，snf230～50％，sno5～20％，tio25～20％；封接溫度為280～400℃，體電阻率rv為780～910mω。從本發(fā)明的配比看，本發(fā)明屬于一種無鉛磷酸鹽玻璃。本發(fā)明控制b2o3的含量在5～20％這樣一個較小的范圍內，在利用b2o3調節(jié)封接玻璃的熱膨脹系數(shù)同時，避免因引入過多的b2o3從而引起封接玻璃軟化溫度的明顯升高，進而導致封接溫度隨之升高。本發(fā)明引入很大比例的snf2，旨在替代r2o提高封接玻璃的體電阻率，同時保持封接玻璃的低軟化溫度；將snf2的重量百分數(shù)控制在50％以內，避免引入過多的snf2而導致封接玻璃化學穩(wěn)定性的下降。本發(fā)明引入sno和tio2為的是提高封接玻璃的化學穩(wěn)定性；將二者的含量控制在20％以內，防止封接玻璃的軟化溫度的提高。本發(fā)明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃的熱膨脹系數(shù)在95～150×10-7/℃范圍內；軟化溫度tf在86～196℃范圍內，封接溫度在280～400℃范圍內，而現(xiàn)有技術的封接溫度基本上在400℃以上；體電阻率rv在780～910mω范圍內，能夠滿足電子元器件的低溫封接要求；具有良好的化學穩(wěn)定性，根據(jù)國家標準sjt11035-1996，該封接玻璃的抗水化學穩(wěn)定性達到1級。本發(fā)明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃可用于各種玻璃、陶瓷、金屬零部件之間的封接。附圖說明圖1是本發(fā)明的一個實例的熱膨脹曲線圖，該圖同時作為摘要附圖。從該附圖可看出本發(fā)明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃的轉變溫度tg和軟化溫度tf最低分別達到73℃和86℃，也就決定了本發(fā)明之封接玻璃的最低封接溫度能夠達到280℃。具體實施方式根據(jù)下表給出的本發(fā)明之無鉛高體電阻率低溫封接玻璃6組重量百分配比，制備6個封接玻璃樣品，由此進一步說明本發(fā)明。按照一組的重量百分配比稱量各組分，混合后倒入剛玉坩堝內，再放入硅碳棒電爐中在550～750℃的溫度下加熱0.5～1小時，將得到的玻璃液澆鑄成型，在退火爐中在100～200℃溫度下退火1小時，之后隨爐冷卻，得到一個封接玻璃樣品。使用膨脹系數(shù)測量儀測量所得封接玻璃樣品的熱膨脹系數(shù)α(×10-7/℃)、轉變溫度tg(℃)和軟化溫度tf(℃)，繼續(xù)加熱使之液態(tài)化，當熔融的樣品的流動半徑達到22～26mm時，得到樣品的封接溫度；使用超高電阻微電流測量儀測量所得封接玻璃樣品的體電阻率rv(mω)。各項測量結果列于下表之中。123456p2o5303025403520b2o31515102055snf2404535304550sno105205105tio255105520α(×10-7/℃)15014313111710395tg(℃)7395105140158173tf(℃)86111130157169196封接溫度(℃)280305330360375400rv(mω)850780900800910840當前第1頁12