本實用新型涉及碳化硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種保溫裝置，特別是一種適用于坩堝保溫的裝置。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的液相法生長碳化硅晶體技術(shù)，都是通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進行生長；

現(xiàn)有技術(shù)中可以通過坩堝的升降或籽晶軸的升降來實現(xiàn)溫度的變化，但是現(xiàn)有的坩堝升降裝置結(jié)構(gòu)復雜，且由于晶體生長過程中對于溫度要求很高，現(xiàn)有的升降裝置難以適應(yīng)如此高的溫度，故障率極高，無法適應(yīng)晶體生長的要求，而如果采用高耐熱材料制備則會極大提高設(shè)備的成本和后期維護壓力，因此如何解決這一問題成為現(xiàn)有技術(shù)中的難題。

技術(shù)實現(xiàn)要素：

本實用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種保溫裝置，主要用于晶體生長時對坩堝的保溫，該保溫裝置包括主體和上蓋，所述主體內(nèi)部設(shè)置有空腔，所述空腔內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋，所述主體內(nèi)還設(shè)置有托盤，所述托盤外側(cè)設(shè)置有外螺紋，并通過該外螺紋與內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋配合連接；采用這種結(jié)構(gòu)的保溫裝置，使用時可以根據(jù)不同晶體生長的需要將托盤調(diào)節(jié)到不同的高度，之后將坩堝放置在托盤上即可，較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的坩堝舉升裝置結(jié)構(gòu)更加簡單，可以適應(yīng)不同晶體的加工需要。

本實用新型的具體技術(shù)方案是：

一種保溫裝置，包括主體和上蓋，所述主體內(nèi)部設(shè)置有空腔，所述空腔內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋，所述主體內(nèi)還設(shè)置有托盤，所述托盤外側(cè)設(shè)置有外螺紋，并通過該外螺紋與內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋配合連接；

采用這種結(jié)構(gòu)的保溫裝置，使用時可直接通過外螺紋與內(nèi)螺紋將托盤旋入主體的空腔內(nèi)，根據(jù)晶體生長的要求，調(diào)整對應(yīng)的托盤高度，之后即可將坩堝置于托盤上，將上蓋扣好后即可開始晶體的生長；采用這種模式，可以方便的實現(xiàn)坩堝在保溫裝置內(nèi)的定位，同時確保在晶體生長過程中坩堝的穩(wěn)定性，較之現(xiàn)有的坩堝升降裝置結(jié)構(gòu)更加簡單，且成本大大降低。

所述托盤上均勻設(shè)置有通孔，這樣當坩堝放置在托盤上之后，通孔有利于熱量的傳遞，可以確保坩堝內(nèi)溫度均一性，同時當生產(chǎn)完畢需要降溫時，通孔的存在也有利于坩堝底部溫度的降低；

所述保溫裝置上蓋上設(shè)置有通孔，方便籽晶軸的進出；

綜上所述，采用這種結(jié)構(gòu)的保溫裝置，使用時可以根據(jù)不同晶體生長的需要將托盤調(diào)節(jié)到不同的高度，之后將坩堝放置在托盤上即可，較之現(xiàn)有技術(shù)中采用的坩堝舉升裝置結(jié)構(gòu)更加簡單，可以適應(yīng)不同晶體的加工需要。

附圖說明

圖1為本實用新型所述保溫裝置的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖2為本實用新型所述保溫裝置主體的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本實用新型所述保溫裝置托盤的俯視圖；

圖中1為主體，2為內(nèi)螺紋，3為托盤，4為通孔，5為外螺紋，6為上蓋。

具體實施方式

一種保溫裝置，包括主體1和上蓋6，所述主體1內(nèi)部設(shè)置有空腔，所述空腔內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋2，所述主體1內(nèi)還設(shè)置有托盤3，所述托盤3外側(cè)設(shè)置有外螺紋5，并通過該外螺紋5與內(nèi)壁設(shè)置的內(nèi)螺紋2配合連接；

所述托盤3上均勻設(shè)置有通孔4，所述托盤3采用石墨材料制成；

所述保溫裝置上蓋6上設(shè)置有方便籽晶軸的進出的通孔。