本實(shí)用新型涉及碳化硅生產(chǎn)設(shè)備技術(shù)領(lǐng)域，具體涉及一種熱反射屏高度可調(diào)的坩堝。

背景技術(shù)：

現(xiàn)有的液相法生長碳化硅晶體技術(shù)，都是通過加熱的方式將硅在高純石墨坩堝中融化，形成碳在硅中的溶液，再將頭部貼付有籽晶的石墨軸伸入到溶液中進(jìn)行生長；

為了使上述反應(yīng)有一個(gè)穩(wěn)定的溫度條件，可以在坩堝內(nèi)設(shè)置熱反射屏，這樣可以將向外輻射的熱量反射回熔融體系中，降低反應(yīng)的能耗，但是現(xiàn)有技術(shù)中的熱反射屏需要在坩堝內(nèi)設(shè)置對應(yīng)的支架才能實(shí)現(xiàn)，但是該支架必須在制備時(shí)與坩堝置為一體，這樣就無法實(shí)現(xiàn)位置的可調(diào)，這就導(dǎo)致了在不同的晶體生長調(diào)節(jié)下，熱反射屏的位置是固定的，不利于熱量的反射，無法起到更好的節(jié)能和穩(wěn)定反應(yīng)溫度的作用；而且在實(shí)際操作中操作人員手上不可避免的存在油脂，操作時(shí)很容易沾染到熱反射屏上去，從而給晶體生長帶來雜質(zhì)，因此如何解決這一系列的問題成為現(xiàn)有技術(shù)中的難題。

技術(shù)實(shí)現(xiàn)要素：

本實(shí)用新型針對現(xiàn)有技術(shù)的不足，提供了一種熱反射屏高度可調(diào)的坩堝，該坩堝包括坩堝體和坩堝蓋以及調(diào)節(jié)桿，所述坩堝體內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋，所述坩堝體內(nèi)設(shè)置有熱反射屏，所述熱反射屏外側(cè)設(shè)置有外螺紋，并通過該外螺紋與坩堝體內(nèi)壁設(shè)置的內(nèi)螺紋配合連接，所述熱反射屏中心設(shè)置有通孔，所述通孔一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的通孔槽，通孔另一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的盲孔槽；采用這種結(jié)構(gòu)的坩堝，使用時(shí)可以根據(jù)不同晶體生長的需要在調(diào)節(jié)桿的帶動(dòng)下將熱反射屏調(diào)節(jié)到不同的高度，整個(gè)結(jié)構(gòu)更加簡單，可以適應(yīng)不同晶體的生長需要。

本實(shí)用新型的具體技術(shù)方案是：

一種熱反射屏高度可調(diào)的坩堝，該坩堝包括坩堝體和坩堝蓋以及調(diào)節(jié)桿，所述坩堝體內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋，所述坩堝體內(nèi)設(shè)置有熱反射屏，所述熱反射屏外側(cè)設(shè)置有外螺紋，并通過該外螺紋與坩堝體內(nèi)壁設(shè)置的內(nèi)螺紋配合連接，所述熱反射屏中心設(shè)置有通孔，所述通孔一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的通孔槽，通孔另一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的盲孔槽，所述的通孔槽和盲孔槽交錯(cuò)設(shè)置且大小一致；所述調(diào)節(jié)桿底部設(shè)置有與通孔槽大小對應(yīng)的凸塊；

這種結(jié)構(gòu)的坩堝，由于采用了專用的調(diào)節(jié)桿，可以避免用手觸及熱反射屏，也就可以避免手上的油脂等殘留在熱反射屏上，避免晶體生長時(shí)雜質(zhì)的進(jìn)入，而調(diào)節(jié)桿底部設(shè)置有與通孔槽大小對應(yīng)的凸塊，而通孔另一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的盲孔槽，所述的通孔槽和盲孔槽交錯(cuò)設(shè)置，使用時(shí)可以將凸塊通過通孔槽伸入到熱反射屏另一側(cè)，然后將調(diào)節(jié)桿旋轉(zhuǎn)一定角度后上提，此時(shí)凸塊嵌入盲孔槽中，從而與熱反射屏嵌套為一體，這樣就可以對熱反射屏進(jìn)行旋轉(zhuǎn)，調(diào)節(jié)其具體位置，調(diào)節(jié)結(jié)束后還可以方便的將調(diào)節(jié)桿取出，不會(huì)觸及托盤；這樣就可直接通過外螺紋與內(nèi)螺紋在托盤桿的帶動(dòng)下將熱反射屏旋入坩堝體內(nèi)的預(yù)定高度，將上蓋扣好后即可開始晶體的生長；

所述坩堝蓋上也設(shè)置有通孔，方便籽晶軸的進(jìn)出；

綜上所述，采用這種結(jié)構(gòu)的坩堝，使用時(shí)可以根據(jù)不同晶體生長的需要在調(diào)節(jié)桿的帶動(dòng)下將熱反射屏調(diào)節(jié)到不同的高度，整個(gè)結(jié)構(gòu)更加簡單，可以適應(yīng)不同晶體的生長需要。

附圖說明

圖1為本實(shí)用新型所述坩堝使用時(shí)的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖2為本實(shí)用新型所述坩堝的結(jié)構(gòu)剖視圖；

圖3為本實(shí)用新型所述熱反射屏的俯視圖；

圖4為本實(shí)用新型所述調(diào)節(jié)桿的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖中1為主體，2為內(nèi)螺紋，3為熱反射屏，4為通孔，5為外螺紋，6為坩堝蓋，7為通孔槽，8為盲孔槽，9為調(diào)節(jié)桿，10為凸塊。

具體實(shí)施方式

一種熱反射屏高度可調(diào)的坩堝，該坩堝包括坩堝體1和坩堝蓋6以及調(diào)節(jié)桿9，所述坩堝體1內(nèi)壁設(shè)置有內(nèi)螺紋2，所述坩堝體1內(nèi)設(shè)置有熱反射屏3，所述熱反射屏3外側(cè)設(shè)置有外螺紋5，并通過該外螺紋5與坩堝體內(nèi)壁設(shè)置的內(nèi)螺紋2配合連接，所述熱反射屏3中心設(shè)置有通孔4，所述通孔4一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的通孔槽7，通孔4另一側(cè)設(shè)置有一對對應(yīng)設(shè)置的盲孔槽8，所述的通孔槽7和盲孔槽8交錯(cuò)設(shè)置且大小一致；所述調(diào)節(jié)桿9底部設(shè)置有與通孔槽7大小對應(yīng)的凸塊10；

所述坩堝蓋6上設(shè)置有方便籽晶軸的進(jìn)出的通孔。